一种整流桥电路封装结构的制作方法

文档序号:10956300阅读:527来源:国知局
一种整流桥电路封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型的一种整流桥电路封装结构,包括塑封体,以及封装于塑封体内的上料片、芯片和下料片,上料片设置有两个水平延伸至塑封体左侧的引脚,下料片设置有两个水平延伸至塑封体右侧的引脚,四个引脚矩形排列,引脚端部设置有矩形的缺口,并且相对的两个引脚之间设置有位于塑封体底部表面的让位凹槽,让位凹槽的深度为0.08mm,塑封体的厚度为1.38mm~1.42mm。本实用新型的有益效果是:整体结构简单、紧凑,散热效果好,焊接方便;缺口的设计减少切粒过程中所引起的应力集中,保证引脚切粒平整,避免出现切粒不干净、变形等不良情况。
【专利说明】
一种整流桥电路封装结构
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及一种整流桥电路封装结构。
【背景技术】
[0002]随着移动资讯产品、家用电器产品以及绿色照明等领域的发展,为其配套的电子产品大量使用到了整流桥、二极管、稳压管等重要元器件,并对这类器件产品的“轻、薄、小、密”提出了更高的要求;高水平的超小型塑封结构,不仅代表了行业技术水平,对后级产品的小型化、更高的功率密度,高可靠性、高安全性等要求至关重要;目前半导体元器件中使
[0003]用量最大的整流二极管产品,也朝着集成化方向发展,安装了四颗二极管的整流桥封装器件以使用安装方便、功率密度高、占用PCB板面积小、可靠性高等特点,在一些高端产品中得到广泛的应用。
[0004]以表面贴装整流桥为代表的此类表面封装的元器件,在走向小型化的基础上,由于受到结构限制,散热问题却越来越难以解决,其功率密度很难达到设计要求,常温条件自然散热环境下其耗散功率最大只有1.2W。因此需要一种高散热性能的整流桥封装结构,来解决小型化与功率的矛盾。

【发明内容】

[0005]为解决以上技术上的不足,本实用新型提供了一种在封装和切粒过程中不易出现变形,且封装后的产品散热性能较好的整流桥电路封装结构。
[0006]本实用新型是通过以下措施实现的:
[0007]本实用新型的一种整流桥电路封装结构,包括塑封体,以及封装于塑封体内的上料片、芯片和下料片,所述上料片设置有两个水平延伸至塑封体左侧的引脚,所述下料片设置有两个水平延伸至塑封体右侧的引脚,四个引脚矩形排列,引脚端部设置有矩形的缺口,并且相对的两个引脚之间设置有位于塑封体底部表面的让位凹槽,所述让位凹槽的深度为
0.08mm,所述塑封体的厚度为1.38mm?1.42mm。
[0008]上述让位凹槽为光面,塑封体底部表面为亚光面。
[0009]上述塑封体的宽度为6.6mm~6.7mm,塑封体的长度为7.95mm?8.05mm,所述引脚的宽度为0.98mm?1.02mm,引脚的厚度为0.18mm?0.22mm,引脚的长度为0.8mm?1.4mm0
[0010]本实用新型的有益效果是:整体结构简单、紧凑,散热效果好,焊接方便;缺口的设计减少切粒过程中所引起的应力集中,保证引脚切粒平整,避免出现切粒不干净、变形等不良情况。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的底面结构示意图。
[0012]图2为本实用新型的侧面结构示意图。
[0013]其中:I塑封体,2引脚,3缺口,4让位凹槽。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图对本实用新型做进一步详细的描述:
[0015]如图1、2所示,本实用新型的一种整流桥电路封装结构,包括塑封体I,以及封装于塑封体I内的上料片、芯片和下料片,所述上料片设置有两个水平延伸至塑封体I左侧的引脚2,所述下料片设置有两个水平延伸至塑封体I右侧的引脚2,四个引脚2矩形排列,引脚2端部设置有矩形的缺口 3,并且相对的两个引脚2之间设置有位于塑封体I底部表面的让位凹槽4,让位凹槽4的深度为0.08mm,塑封体I的厚度为1.38mm?1.42mm。让位凹槽4深度增加,目的是让位贴红胶的位置,避免贴红胶过程中虚焊问题。封装体在塑封完成后需要进行切粒,缺口 3的设计可以减少在切粒过程所带来的应力,从而使得引脚2切粒平整,避免出现切粒不干净、变形等不良情况。
[0016]让位凹槽4为光面,塑封体I底部表面为亚光面。塑封体I的宽度为6.6mm?6.7mm,塑封体I的长度为7.95mm?8.05mm,引脚2的宽度为0.98mm?1.02mm,引脚2的厚度为0.18mm?
0.22mm,引脚2的长度为0.8mm~l.4mm。在上述尺寸下,塑封体I的散热效果和使用效果最佳。
[0017]以上所述仅是本专利的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本专利技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本专利的保护范围。
【主权项】
1.一种整流桥电路封装结构,包括塑封体,以及封装于塑封体内的上料片、芯片和下料片,其特征在于:所述上料片设置有两个水平延伸至塑封体左侧的引脚,所述下料片设置有两个水平延伸至塑封体右侧的引脚,四个引脚矩形排列,引脚端部设置有矩形的缺口,并且相对的两个引脚之间设置有位于塑封体底部表面的让位凹槽,所述让位凹槽的深度为.0.08mm,所述塑封体的厚度为1.38mm?1.42mm。2.根据权利要求1所述整流桥电路封装结构,其特征在于:所述让位凹槽为光面,塑封体底部表面为亚光面。3.根据权利要求1所述整流桥电路封装结构,其特征在于:所述塑封体的宽度为6.6mm?.6.7mm,塑封体的长度为7.95mm?8.05mm,所述引脚的宽度为0.98mm~l.02mm,引脚的厚度为.0.18mm?0.22mm,引脚的长度为0.8mm?1.4mm。
【文档编号】H01L23/31GK205645795SQ201620421671
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月11日
【发明人】陈钢全, 张胜君, 王刚
【申请人】山东迪电子科技有限公司, 山东迪一电子科技有限公司
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