一种正装led发光二极管的制作方法
【专利摘要】一种正装LED发光二极管，涉及LED发光二极管的生产技术领域。在衬底的同一侧包括依次设置的N?GaN层、量子阱层、P?GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N?GaN层上连接N电极，在N电极与N?GaN层之间包裹式设置透明导电层、P?GaN层和量子阱层。本实用新型保留了N电极下方的部分P?GaN及量子阱层，能够减少N?GaN层直接暴露于LED发光二极管表面的面积，进而减少ICP刻蚀完后的黑点现象的发生，并提高产品的良率，并且本实用新型有利于增加电流的横向扩展能力，提高电流的分布均匀性。
【专利说明】
一种正装LED发光二极管
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及LED发光二极管的生产技术领域。
【背景技术】
[0002]目前的芯片大部分是正装结构，P电极通过透时导电层直接形成于P-GaN层上，为了将N电极与N-GaN层直接连接，刻蚀时仅保留P电极下方的P-GaN层、量子阱层，其余部分的P-GaN层和量子阱层全部刻蚀去除，直接完全露出N-GaN层。这种结构大量的N-GaN层直接暴露于LED发光二极管表面，在进行ICP刻蚀作N台阶时容易受到外延表面因素的影响，再蒸镀完电极之后，容易出现ICP黑点及LED发光二极管良率低的缺点。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型目的是提出一种可有效减少出现ICP黑点，并提高LED发光二极管良率的LED发光二极管。
[0004]本实用新型在衬底的同一侧包括依次设置的N-GaN层、量子阱层、P-GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N-GaN层上连接N电极，其特征在于在N电极与N-GaN层之间包裹式设置透明导电层、P-GaN层和量子阱层。
[0005]本实用新型保留了N电极下方的部分P-GaN及量子阱层，能够减少N-GaN层直接暴露于LED发光二极管表面的面积，进而减少ICP刻蚀完后的黑点现象的发生，并提高产品的良率，并且本实用新型有利于增加电流的横向扩展能力，提高电流的分布均匀性。
【附图说明】
[0006]图1至图2为本实用新型制作工艺过程图。
[0007]图3为本实用新型的一种结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]—、正装芯片制作工艺如下:
[0009]1、在常规衬底I的上方依次外延生长形成N-GaN层2、量子阱层3和P-GaN层4。
[0010]2、在黄光光刻工艺中，利用感应偶和等离子(ICP)调节刻蚀气体BC13和C12的比例图形化地刻蚀去除各元胞的P-GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N-GaN层，刻蚀深度约 10000 A?16000 Ao
[0011]形在的半制品如图1所示。
[0012]3、在外延片表面利用溅射法蒸镀氧化铟锡(ITO)透明导电层5，通过光刻工艺，采用化学蚀刻方法，仅保留P-GaN层上的ΙΤ0，使电流在P-GaN层表面分布的均匀性更好。如图2所示。
[0013]4、在相邻的两个元胞中的一个元胞的透明导电层上制作形成厚度大约10000 A?12000 A的P电极。
[0014]在相邻的两个元胞中的另一个元胞的透明导电层、P-GaN层和量子阱层外包裹式制作形成厚度大约10000 A?12000 A的N电极，并使N电极的下端连接在N-GaN层上。
[0015]二、制成的产品结构特点:
[0016]如图3所示，在衬底I的同一侧包括依次设置的N-GaN层2、量子阱层3、P_GaN层4和透明导电层5，在透明导电层5上设置P电极，在N电极7与N-GaN层2之间包裹式设置透明导电层5、P-GaN层4和量子阱层3。
【主权项】
1.一种正装LED发光二极管，在衬底的同一侧包括依次设置的N-GaN层、量子阱层、P-GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N-GaN层上连接N电极，其特征在于在N电极与N-GaN层之间包裹式设置透明导电层、P-GaN层和量子阱层。
【文档编号】H01L33/42GK205645852SQ201620343301
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年4月22日
【发明人】蔡立鹤, 张永, 陈凯轩, 李俊贤, 刘英策, 陈亮, 魏振东, 吴奇隆, 周弘毅, 邬新根, 黄新茂
【申请人】厦门乾照光电股份有限公司