紫外线发光二极管及具有其的紫外线发光元件的制作方法

文档序号:10956355
紫外线发光二极管及具有其的紫外线发光元件的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供紫外线发光二极管及具有其的紫外线发光元件。紫外线发光二极管包括:基板;半导体层叠结构体,设置于基板上;以及第一电极及第二电极,设置于半导体层叠结构体上,半导体层叠结构体具有4μm至10μm的厚度,基板具有400μm至500μm的厚度。与半导体层叠结构体相比,使用厚度为40倍以上,甚至为100倍以上的大基板,从而基板能够更多地容纳半导体层叠结构体生成的热。另外,由于基板的表面积增加,因而通过基板表面的散热也增加。进一步而言,与半导体层叠结构体相比,采用极厚的基板,从而从半导体层叠结构体生成的光容易通过基板表面排出到外部,改善了光提取效率。
【专利说明】
紫外线发光二极管及具有其的紫外线发光元件
技术领域
[0001]本实用新型涉及发光二极管及具有其的发光元件,更详细而言,涉及一种释放紫外线的发光二极管及具有其的发光元件。
【背景技术】
[0002]—般而言,氮化镓系半导体作为全彩色显示装置、交通信号灯、普通照明及光通信设备的光源,被广泛应用于紫外线、蓝/绿色发光二极管(light emitting d1de)或激光二极管(laser d1de)。特别是氮化铟镓(InGaN)化合物半导体由于能带隙窄而倍受瞩目并进行大量研究。
[0003]另一方面,释放近紫外线的发光元件用于假币鉴别、树脂硬化及紫外线治疗等,另夕卜,可以与荧光体组合,呈现多样颜色的可见光线。近紫外线一般指称约320nm?390nm波长范围的紫外线。GaN具有约3.42eV的带隙能,该能量对应于约365nm波长的光能。因此,把InGaN用作讲层的发光元件,可以根据In的含有量而用于释放365nm以上的光,S卩释放365nm?390nm范围的近紫外线。
[0004]另一方面,为了释放365nm以下的波长范围的光,需要形成包含Al的阱层。例如,可以形成AlGaN阱层,制造释放紫外线的发光二极管。但是,当包含AlGaN阱层的紫外线发光二极管时,不仅难以在阱层中高效地生成光,而且,把生成的紫外线,特别是320nm以下的深紫外线释放到外部也极为困难,外部量子效率非常低,因此,在驱动紫外线发光二极管期间,存在发生大量热的问题。
[0005]因此,需要改善紫外线发光二极管的外部量子效率及散热特性,要求适合贴装这种紫外线发光二极管的紫外线发光元件。
【实用新型内容】
[0006]技术目的
[0007]本实用新型的一个目的是提供一种改善外部量子效率的紫外线发光二极管及具有其的紫外线发光元件。
[0008]本实用新型的另一个目的是提供一种改善了散热特性的紫外线发光二极管及紫外线发光元件。
[0009]技术方案
[0010]本实用新型一个实施例的紫外线发光二极管包括基板、设置于基板上的半导体层叠结构体以及设置于半导体层叠结构体上的第一电极及第二电极,半导体层叠结构体具有4μηι至ΙΟμπι的厚度,基板具有400μηι至500μηι的厚度。
[0011]与半导体层叠结构体相比,使用厚度为40倍以上,甚至为100倍以上的大基板,从而基板能够更多地容纳半导体层叠结构体生成的热。另外,由于基板的表面积增加,因而也增加通过基板表面的散热。进一步而言,与半导体层叠结构体相比,采用极厚的基板,从而从半导体层叠结构体生成的光容易通过基板表面排出到外部,光提取效率得到改善。
[0012]在几个实施例中,基板可以包括沿着基板的侧面的外周以带的形状形成,并沿基板的厚度方向相互隔开的多个粗糙面。例如,基板可以包括至少4个粗糙面。
[0013]在表面形成的粗糙面可以是借助于利用了隐身激光(stealthlaser)的划片工序而形成的面。粗糙面抑制能够在基板侧面发生的内部全反射,提高发光二极管的光提取效率。
[0014]紫外线发光二极管可以还包括绝缘层,覆盖半导体层叠结构体,且具有使第一电极及第二电极暴露的多个开口部。紫外线发光二极管可以使基板朝上而半导体层叠结构体朝下地倒装焊接。此时,绝缘层防止第一电极及第二电极短路。
[0015]紫外线发光二极管还可以包括设置于第一电极及第二电极上的多个凸块。通过多个凸块,所述紫外线发光二极管可以倒装焊接于基台或印刷电路板等。
[0016]另一方面,半导体层叠结构体可以包括:η型半导体层;以及台面,位于η型半导体层上,并包括活性层及位于活性层上的P型半导体层。第一电极可以设置于η型半导体层上,第二电极可以设置于台面上。例如,第一电极可以欧姆接触η型半导体层,第二电极可以欧姆接触P型半导体层。
[0017]进一步地,第一电极可以包括η接触层及η上部层,第二电极可以包括P接触层及P上部层。另外,η上部层及P上部层可以为同一物质的层。
[0018]例如,η接触层可以由Ti/Al形成,P接触层可以由Pt或ITO形成,η上部层及P上部层可以由Ni/Au形成。Ni/Au提高凸块的接合力。
[0019]另一方面,η型半导体层可以包括:n型AlGaN层;以及无掺杂的AlN层,设置于基板与η型AlGaN层之间。通过设置AlN层,AlGaNjl的结晶品质得到改善。
[0020]另一方面,活性层可以包括相互交替层叠的多个AlGaN势皇层与多个AlGaN阱层,ρ型半导体层可以包括AlGaN电子阻挡层及P型GaN层。
[0021]多个AlGaN势皇层及η型AlGaN层可以比多个AlGaN阱层更多地含有Al,因此,阱层生成的光可以透过AlGaN势皇层及η型AlGaN层。
[0022]另外,AlGaN电子阻挡层比η型AlGaN层更多地含有Al JlGaN电子阻挡层把电子置于活性层内,使电子与空穴的复合率增加。AlGaN电子阻挡层可以比除最末AlGaN势皇层之外的其它势皇层更多地含有Al。
[0023]另一方面,位于活性层与AlGaN电子阻挡层之间的最末AlGaN势皇层,可以比AlGaN电子阻挡层更多地含有Al。最末AlGaN势皇层可以具有比其它势皇层更薄的厚度,改善设置于其上的AlGaN电子阻挡层的结晶品质。
[0024]最末AlGaN势皇层可以SAlxGa1-J^l (0.9<χ< I)。即,Al的摩尔分数χ可以大于0.9。
[0025]另一方面,η型半导体层可以在η型AlGaN层与活性层之间还包括AlyGa1-yN层(0.85<y<0.95)。AlyGai—yN层比设置于其上的AlGaN势皇层更多地含有Al C3AlyGa1-yN层改善设置于其上的活性层的结晶品质。
[0026]另一方面,可以为y〈x。位于最末AlGaN势皇层上的AlGaN电子阻挡层比位于AlyGapyN层上的AlGaN势皇层更多地含有Al,因而最末AlGaN势皇层含有比AlyGaryN层更多的Al。
[0027]活性层可以释放320nm以下的紫外线,具体而言,为300nm以下的紫外线,更具体而言,为290nm以下的紫外线。为此,活性层内阱层及势皇层的组成比可以确定。
[0028]本实用新型又一实施例的紫外线发光元件包括前面说明的实施例的发光二极管。
[0029]进一步地,所述紫外线发光元件还可以包括基台,发光二极管可以是通过多个凸块倒装焊接于基台上。
[0030]由于紫外线发光二极管倒装焊接于基台上,因而通过基板而释放光。另外,半导体层叠结构体生成的热可以通过基板表面释放,进一步地,热可以通过基台释放。
[0031]紫外线发光元件还可以包括形成侧壁的陶瓷主体以及设置于陶瓷主体的下部的散热用金属板,基台可以设置于散热用金属板上。
[0032]与陶瓷主体一同采用散热用金属板,从而能够把紫外线发光二极管生成的热,通过散热用金属板而容易地释放。
[0033]进一步地,紫外线发光元件还可以包括在陶瓷主体的外壁暴露的多个外部引线以及从陶瓷主体的内部接续于多个外部引线的多个内部引线。
[0034]另外,紫外线发光元件还可以包括覆盖陶瓷主体的上部入口的玻璃板或石英板。_5] 实用新型的效果
[0036]根据本实用新型的实施例,可以提供散热特性优异、外部量子效率得到改善的紫外线发光二极管及具有其的发光元件。进一步地,与陶瓷主体一同利用散热用金属板,可以提供能够容易地释放紫外线发光二极管生成的热的紫外线发光元件。
【附图说明】
[0037]图1是用于说明本实用新型一个实施例的紫外线发光元件的概略性平面图。
[0038]图2显示了图1的概略性剖面图。
[0039]图3是图2的局部放大剖面图。
[0040]图4是用于说明本实用新型一个实施例的紫外线发光二极管的概略性平面图。
[0041 ]图5是沿着图4的截取线A-A截取的概略性剖面图。
[0042]图6是放大了图5的紫外线发光二极管的局部剖面图。
[0043]图7是用于说明本实用新型又一实施例的紫外线发光二极管的概略性平面图。
【具体实施方式】
[0044]下面参照附图,详细说明本实用新型的实施例。下面介绍的实施例是为了向本实用新型所属技术领域的技术人员充分传递本实用新型的思想而作为示例提供的。因此,本实用新型不限定于以下说明的实施例,可以以其它形态进行具体化。而且,在附图中,为了便利,元件的宽度、长度、厚度等,也可以夸张地表现。另外,当记载为一个元件在在另一元件“上部”或“上面”时,不仅是各部分在其它部分的“紧上部”或“紧上面”的情形,还包括在各元件与其它元件之间存在另外的元件的情形。在整个说明书中,相同的参照符号代表相同的元件。
[0045]图1是用于说明本实用新型一个实施例的紫外线发光元件的概略性平面图。图2显示了图1的概略性剖面图。图3是图2的局部放大剖面图。
[0046]参照图1至图3,紫外线发光元件100包括紫外线发光二极管40。另外,紫外线发光元件100可以包括外壳10、散热用金属板20、基台30、紫外线透过板50及粘合物质层55。
[0047]外壳10可以包括形成侧壁的陶瓷主体11,并且包括内部引线13、15和外部引线17。进一步地,外壳10可以包括导电性粘合垫19。
[0048]陶瓷主体11可以以诸如氧化铝(A1203)、A1N等的陶瓷物质形成。特别是,AlN由于导热率高,有利于把紫外线发光二极管生成的热释放到外部。
[0049]内部引线可以包括竖直引线13及水平引线15,从陶瓷主体11的内部连接到外部引线17。水平引线15可以在外壳10的内部空间露出,竖直引线13可以连接水平引线15与外部引线17。
[0050]另一方面,导电性粘合垫19可以设置于外壳10的上部入口部分,紫外线透过板50置于其上。外壳10可以利用低温同时烧成陶瓷技术形成。
[0051]散热用金属板20设置于陶瓷主体11的下部,并结合到陶瓷主体11。如图3所示,散热用金属板20可以包括底板21和在底板21上形成的粘结层23。底板21可以以铜或钨形成,粘结层23可以以Ni/Au形成。散热用金属板20可以被设置为在烧成外壳10之前预先与外壳10—同烧成,从而结合到陶瓷主体11。
[0052]基台30并非特别地限定,而可以包括基体31、粘结图案33及下部金属层35。基体31例如可以以耐热性优异、导热率相对高的AlN形成。另外,粘结图案33可以以Cu/Au形成。Cu电气传导特性优异,Au可以容易地在其上焊接金属凸块。粘结图案33分为正极与负极两部分。
[0053]另一方面,基台30可以通过粘合剂25而粘合于散热用金属板20上。粘合剂25可以使用导热率优异的Ag膏。
[0054]紫外线发光二极管40例如通过多个凸块45a、45b而贴装于基台30上。紫外线发光二极管40可以倒装焊接。在本实施例中,虽然对紫外线发光二极管40贴装于基台30上的情形进行说明,但并非本实用新型必须限定于此。例如,也可以变形得省略基台30,散热用金属板20贴装紫外线发光二极管40。对于紫外线发光二极管40的结构,参照图4至图6进行详细说明。
[0055]另一方面,基台30的粘结图案33通过多个导线35而电气连接于多个水平引线15,因此,紫外线发光二极管40可以供应电力。
[0056]另一方面,在陶瓷封装主体11的入口侧可以设置有紫外线透过板50。紫外线透过板50可以是玻璃板或石英板。紫外线透过板50透过从发光二极管40释放的紫外线。紫外线透过板50利用金属焊接材料,例如利用Ni/Au等焊接于导电性粘合垫19。导电性粘合垫19为了增强紫外线透过板50的粘合力而采用,也可以省略。紫外线透过板50对外壳10内部空间进行密封,保护发光二极管40不受外部环境影响。
[0057]图4是用于说明本实用新型一个实施例的紫外线发光二极管40的概略性平面图,图5是沿着图4的截取线A-A截取的概略性剖面图,图6是放大了图5的紫外线发光二极管的局部剖面图。
[0058]首先,参照图4及图5,紫外线发光二极管40包括基板401及半导体层叠结构体(例如由附图标记410、420、430表示)。
[0059]基板401可以是用于使氮化镓系预覆层生长的生长基板,例如,可以是蓝宝石、碳化硅、氮化镓基板。特别是,为了提供深紫外线发光二极管,基板401可以为蓝宝石基板。
[0060]基板401可以整体上为四边形形状,但并非基板的形状限定于此。另一方面,在本实施例中,基板401的厚度可以具有400μπι至500μπι范围内的值。基板401越厚,从光生成的半导体层叠结构体至基板401下面(主要释放光的面)的距离越长,因此,基板401下面中的光入射角减小,光提取效率得到提高。半导体层叠结构体的整体厚度大致可以为5μπι至ΙΟμπι范围内,基板401可以具有半导体层叠结构体的40倍以上的厚度,进一步地,具有100倍以上的厚度。
[0061]另一方面,基板401可以包括沿其侧面以带的形式形成的多个粗糙面R。多个粗糙面R可以沿基板401的厚度方向相互隔开设置。多个粗糙面R为了把基板401分割成个别发光二极管,可以利用隐身激光执行划片工序来形成,多个粗糙面R之间的区域成为断裂面。
[0062]另一方面,半导体层叠结构体以含有铝的氮化镓系半导体层形成,包括η型半导体层410及位于η型半导体层410上的台面Μ。台面M包括活性层420及ρ型半导体层430,并且可以包括η型半导体层410的一部分。活性层420设置于η型半导体层410与ρ型半导体层430之间。对于半导体层叠结构体的全部层结构,在后面参照图6详细说明。
[0063]如图4所示,台面M可以以H型形状形成,但并非限定于此。台面M可以具有宽度宽的部分和窄的部分,在图4中,图示了在两个宽度宽的部分之间设置有一个宽度窄的部分的情形。不同于此,台面M也可以包括三个以上宽度宽的部分和分别设置于多个宽度宽的部分之间的宽度窄的部分。如此形成具有在多个宽度宽的部分之间设置有宽度窄的部分的形状的台面Μ,从而可以提供在高电流密度条件下表现出优异的光输出特性的紫外线发光二极管。
[0064]台面M在η型半导体层410上设置成岛的形状。即,台面M被η型半导体层410的表面围绕。
[0065]紫外线发光二极管40还可以包括第一电极450及第二电极460。第一电极450设置于η型半导体层410上,第二电极460设置于台面M上。
[0066]第一电极450包括欧姆接触η型半导体层410的η接触层451及设置于η接触层451上部的η上部层453。11接触层451可以以Ti/Al形成,η上部层453可以以Ni/Au形成。
[0067]第二电极460包括欧姆接触ρ型半导体层430的ρ接触层461及设置于ρ接触层461上部的P上部层463。?接触层461可以由Pt或氧化铟锡(ITO)形成,ρ上部层463可以由Ni/Au形成。P上部层463以与η上部层453的材料相同的材料形成,因而它们可以在同一工序中一同形成。η上部层453及ρ上部层463分别覆盖η接触层451及ρ接触层461,防止它们受损,进一步地,提高η凸块45a及ρ凸块45b的粘合力。
[0068]另一方面,绝缘层470覆盖η型半导体层410及台面M。绝缘层470覆盖第一电极450及第二电极460,且可以具有使它们暴露的多个开口部470a、470b。绝缘层470可以以硅氧化膜或硅氮化膜的单膜或多膜形成,进一步地,也可以以交替层叠硅氧化膜与钛氧化膜的分布布拉格反射器形成。
[0069]η凸块45a及ρ凸块45b可以在借助于绝缘层47的多个开口部470a、470b而暴露的第一电极450及第二电极460上形成。η凸块45a及ρ凸块45b可以是以Au形成的柱形凸块。如图5所示,η凸块45a可以比ρ凸块45b相对更长,η凸块45a与ρ凸块45b的上表面可以位于同一面上。因此,当基台30的粘结图案33以相同高度形成时,可以容易地把紫外线发光二极管40贴装于基台30的粘结图案33上。
[0070]在本实施例中,说明了η凸块45a及ρ凸块45b在第一电极450及第二电极460上形成的情形,但这些多个凸块45a、45b也可以在基台30上形成,并焊接于发光二极管40。
[0071]参照图6,正如前面所作的说明,紫外线发光二极管40的半导体层叠结构体包括设置于基板401上的n型半导体层410、活性层420及p型半导体层430。这些半导体层410和430 以及活性层420、可以利用有机金属气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延 (HVPE)技术而形成。[0〇72]另一方面,n型半导体层410可以包括n型AlGaN层413及设置于基板401与n型AlGaN层之间的A1N层411,活性层420包括相互交替层叠的AlGaN势皇层421、423、425、427与六16&~ 阱层422、424、426。另外,?型半导体层430可以包括4?^^电子阻挡层431及?型6&~层433。 [〇〇73]多个AlGaN阱层422、424、426选择A1与Ga的组成比,以便释放要求的波长的紫外线。例如,多个AlGaN阱层422、424、426可以释放具有320nm以下波长的紫外线,进一步地具有300nm以下波长的紫外线,更具体地,具有290nm以下的波长的紫外线。此时,多个AlGaN阱层422、424、426中含有的A1的摩尔分数可以为约0.4至0.6的范围内。
[0074]多个 AlGaN势皇层 421、423、425、427及11型4163~层413比多个4163叫弁层422、424、 426更多地含有A1。因此,多个AlGaN势皇层421、423、425、427及11型416&1^层413具有比多个 AlGaN阱层422、424、426更宽的能带隙,因而能够使多个阱层生成的光透过。
[0075]多个AlGaN势皇层421、423、425比多个阱层422、424、426厚,特别是第一416&1^势皇层421比其它势皇层更厚。最末AlGaN势皇层427可以在多个AlGaN势皇层中最薄。例如,第一 AlGaN势皇层421可以具有7nm至15nm的范围内的厚度,最末AlGaN势皇层427可以具有lnm至 3nm范围内的厚度。此外的多个AlGaN势皇层423、425可以具有5nm至10nm范围内的厚度。多个AlGaN阱层422、424、426可以具有大致相同的厚度,可以具有约lnm至4nm的厚度。
[0076]另一方面,AlGaN电子阻挡层431比n型AlGaN层413更多地含有A1。进一步地,AlGaN电子阻挡层431比除最末AlGaN势皇层427之外的其余AlGaN势皇层421、423、425更多地含有 A1 AlGaN电子阻挡层431防止电子不复合并超出活性层420,提高电子与空穴的复合率。 [〇〇77]位于活性层420与AlGaN电子阻挡层431之间的最末AlGaN势皇层427,比AlGaN电子阻挡层431更多地含有A1。最末AlGaN势皇层427为AlxGai—XN层(0.9〈x〈l),A1的摩尔分数可以超过0.9。[〇〇78]最末AlGaN势皇层427改善在其上形成的电子阻挡层431的结晶品质,借助于电子阻挡层431而防止活性层420的结晶品质受损。[〇〇79]另一方面,A1N层411可以是非有意掺杂杂质的层,图5所示的第一电极450可以接触n型AlGaN层413。
[0080]另一方面,n型半导体层410可以在n型AlGaN层413与活性层420之间还包括 AlyGai—yN 层415,A1 的摩尔分数y 满足0 ? 85〈y〈0 ? 95 jlyGai—yN 层415包含比 n型 AlGaN 层413 相对更多含量的A1,从而改善在其上形成的势皇层421的结晶品质,进而改善活性层420整体的结晶品质。AlyGai—yN层415以比势皇层421薄的厚度形成。例如,AlyGai—yN层415可以以lnm 至3nm范围的厚度形成。
[0081]AlyGa1-yN层415的A1摩尔分数小于最末AlGaN势皇层427的A1摩尔分数(S卩,y〈x)。 这是因为,在AlyGa1-yN层415上形成的势皇层421的A1含量小于在最末AlGaN势皇层427上形成的AlGaN电子阻挡层431的A1含量。[0〇82]另一方面,电子阻挡层431可以相对较厚地形成,例如,可以具有20nm至40nm范围内的厚度。另外,图5所示的第二电极460可以接触p GaN层433a GaN层433可以比电子阻挡层431厚,例如,以300nm至600nm的厚度形成。
[0083] 在n型AlGaN层413中,掺杂诸如硅的n型掺杂物,在p GaN层433中,掺杂诸如Mg的p 型掺杂物。在电子阻挡层431中,也掺杂诸如Mg的p型掺杂物。[〇〇84]图7是用于说明本实用新型又一实施例的紫外线发光二极管40a的概略性平面图。 [〇〇85]参照图7,本实施例的紫外线发光二极管40a与前面说明的紫外线发光二极管40大体类似,不过,存在的差异在于,台面M位于基板401的大致中央的位置,绝缘层470的使第一电极450暴露的多个开口部470a设置于紫外线发光二极管40a的四个角部。因此,多个n凸块 45a可以设置于被多个开口部470a暴露的并处于四个角部的第一电极450上。[〇〇86]如上所述,台面M的位置或形状以及多个n凸块45a形成的位置,可以多样地变更。
[0087]前面对本实用新型的实施例进行了说明,但并非本实用新型限定于所述实施例。 另外,为了说明的便利,在一个实施例中一同说明了许多元件,但一部分实施例也可以省略,另外,也可以添加或变更其它结构。例如,在前面的实施例中,图示了陶瓷主体为四边形形状的情形,但也可以以圆形等其它形状形成。
[0088]以上的说明用于示例性地说明本实用新型,只要是本实用新型所属技术领域的技术人员,则可以在不超出本实用新型的本质性特性的范围内,进行多样的修改、变更及置换。因此,本实用新型公开的实施例及附图并非用于具体限定本实用新型,而是用于帮助本实用新型的理解,本实用新型的权利范围并非根据这种实施例及附图而限定。本实用新型的保护范围应根据的权利要求书解释,在与之同等范围内的所有技术思想应解释为包含于本实用新型的权利范围。
【主权项】
1.一种紫外线发光二极管,其特征在于,所述紫外线发光二极管包括: 基板; 半导体层叠结构体,设置于所述基板上;以及 第一电极及第二电极,设置于所述半导体层叠结构体上, 所述半导体层叠结构体具有4μηι至ΙΟμπι的厚度, 所述基板具有400μπι至500μπι的厚度。2.根据权利要求1所述的紫外线发光二极管,其特征在于,所述基板包括沿着所述基板的侧面的外周以带的形状形成并沿所述基板的厚度方向相互隔开的多个粗糙面。3.根据权利要求2所述的紫外线发光二极管,其特征在于,所述基板包括至少4个粗糙面。4.根据权利要求1所述的紫外线发光二极管,其特征在于,所述紫外线发光二极管还包括:绝缘层,覆盖所述半导体层叠结构体,且具有使所述第一电极及所述第二电极暴露的多个开口部。5.根据权利要求4所述的紫外线发光二极管,其特征在于,所述紫外线发光二极管还包括设置于所述第一电极及所述第二电极上的多个凸块。6.根据权利要求1所述的紫外线发光二极管,其特征在于,所述半导体层叠结构体包括: η型半导体层;以及 台面,位于所述η型半导体层上,包括活性层及位于所述活性层上的P型半导体层, 所述第一电极设置于所述η型半导体层上, 所述第二电极设置于所述台面上。7.根据权利要求6所述的紫外线发光二极管,其特征在于, 所述第一电极包括η接触层及η上部层, 所述第二电极包括P接触层及P上部层, 所述η上部层及所述P上部层为同一物质的层。8.根据权利要求7所述的紫外线发光二极管,其特征在于, 所述η接触层由Ti/Al形成,所述P接触层由Pt或ITO形成, 所述η上部层及所述P上部层由Ni/Au形成。9.根据权利要求6所述的紫外线发光二极管,其特征在于, 所述η型半导体层包括η型AlGaN层及设置于所述基板与所述η型AlGaN层之间的AlN层, 所述活性层包括相互交替层叠的多个AlGaN势皇层和多个AlGaN阱层, 所述P型半导体层包括AlGaN电子阻挡层及P型GaN层。10.根据权利要求9所述的紫外线发光二极管,其特征在于,所述活性层用于释放300nm以下的紫外线。11.一种紫外线发光元件,其特征在于,所述紫外线发光元件包括权利要求1至10中任意一项所述的紫外线发光二极管。12.根据权利要求11所述的紫外线发光元件,其特征在于,所述紫外线发光元件还包括基台, 所述紫外线发光二极管通过多个凸块在所述基台上倒装焊接。13.根据权利要求12所述的紫外线发光元件,其特征在于,所述紫外线发光元件还包括形成侧壁的陶瓷主体以及设置于所述陶瓷主体的下部的散热用金属板, 所述基台设置于所述散热用金属板上。14.根据权利要求13所述的紫外线发光元件,其特征在于,所述紫外线发光元件还包括在所述陶瓷主体的外壁暴露的多个外部引线以及从所述陶瓷主体的内部接续于所述多个外部引线的多个内部引线。15.根据权利要求13所述的紫外线发光元件,其特征在于,所述紫外线发光元件还包括覆盖所述陶瓷主体的上部入口的玻璃板或石英板。
【文档编号】H01L33/20GK205645857SQ201620365810
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】高美苏
【申请人】首尔伟傲世有限公司
再多了解一些
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