一种qled封装盖板的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种QLED封装盖板，所述QLED封装盖板的上表面为纳米图案结构，所述QLED封装盖板的四周均为平面结构。本实用新型通过对QLED封装盖板的上表面进行纳米图案化处理，从而形成纳米图案结构，而封装盖板四周依然采用平面结构，利用本实用新型的封装盖板对QLED器件进行封装，发光层发出的光线可被最大限度的提取而被测试仪器收集，大大提高了器件效率。
【专利说明】
一种QLED封装盖板
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及QLED封装结构领域，尤其涉及一种QLED封装盖板。
【背景技术】
[0002]由于量子点具有尺寸可调谐的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，因此以量子点作为发光层的量子点发光二极管(QLED)是极具潜力的下一代显示和固态照明光源。同时，量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。
[0003]由于QLED器件中的有机材料吸水性较强，同时其容易被空气中氧气所氧化，为了提高QLED器件的寿命，一般对其进行封装以隔水隔气。如图1所示，在基板I上制备QLED器件
2，QLED器件2采用封装盖板3封装，其中的封装盖板3—般为双面平面结构，四周也是平面结构。同时由于QLED器件通常以平面的玻璃或者柔性基板作为载体制备获得，属于一种面光源。而器件中各层以及封装盖板的折射率与空气折射率存在差异，这导致QLED器件的光取出效率一般仅为20-25%左右，极大的限制了QLED器件的性能。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。
【实用新型内容】
[0005]鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种QLED封装盖板，旨在解决现有的QLED光取出效率低的问题。
[0006]本实用新型的技术方案如下:
[0007]—种QLED封装盖板，其中，所述QLED封装盖板的上表面为纳米图案结构，所述QLED封装盖板的四周均为平面结构。
[0008]所述的QLED封装盖板，其中，所述纳米图案结构包括多个间隔分布的纳米单元。
[0009]所述的QLED封装盖板，其中，所述纳米单元为纳米锥结构、纳米柱结构、纳米锥台结构或纳米峰结构。
[0010]所述的QLED封装盖板，其中，所述纳米单元的宽为100?lOOOnm。
[0011]所述的QLED封装盖板，其中，所述纳米单元的深度为10?lOOOnm。
[0012]所述的QLED封装盖板，其中，所述纳米单元的间距为200?800nm。
[0013]所述的QLED封装盖板，其中，所述QLED封装盖板的材质为玻璃、蓝宝石、碳化硅或有机透明体。
[0014]有益效果:本实用新型通过对QLED封装盖板的上表面进行纳米图案化处理，从而形成纳米图案结构，而封装盖板四周依然采用平面结构，利用本实用新型的封装盖板对QLED器件进行封装，发光层发出的光线可被最大限度的提取而被测试仪器收集，大大提高了器件效率。
【附图说明】
[0015]图1为采用现有技术中QLED封装盖板封装QLED的结构示意图。
[0016]图2为采用本实用新型一种QLED封装盖板第一实施例封装QLED的结构示意图。
[0017]图3为采用本实用新型一种QLED封装盖板第二实施例封装QLED的结构示意图。
[0018]图4为采用本实用新型一种QLED封装盖板第三实施例封装QLED的结构示意图。
[0019]图5为采用本实用新型一种QLED封装盖板第四实施例封装QLED的结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]本实用新型提供一种QLED封装盖板、表面处理方法及应用，为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0021]请参阅图2，其为采用本实用新型一种QLED封装盖板第一实施例封装QLED的结构示意图，如图所示，其是在基板10上制备QLED器件20，并采用封装盖板30来封装所述QLED器件20。所述封装盖板30的上表面为纳米图案结构，所述封装盖板30的四周均为平面结构。
[0022]本实用新型的封装盖板30，其能够有效的避免由于封装盖板30与空气折射率不同而导致的全反射问题，使得光线最大量的通过封装盖板30而被测试仪器收集。同时，对于封装盖板30四周仍然采用平面结构，这是由于封装盖板30与空气的折射率相差较大，容易出现全反射现象，而反射到封装盖板30四周的光线，可以最大量的反射回封装槽内，最后经过多次反射由封装盖板30正面射出，并被测试仪器收集，提高测试效率。也就是说，采用本实用新型的封装盖板30结构，能够有效的提高光提取效率，使得更多的光线从封装盖板30正面射出而被测试仪器收集。
[0023]所述纳米图案结构包括多个间隔分布的纳米单元。这些纳米单元均勾分布在封装盖板30的上表面，通过这些纳米单元使QLED发光层发出的光线最大量的从封装盖板30上表面出射，而不会被反射回封装槽内。
[0024]所述纳米单元可以是如图2所示的纳米锥结构，其形状为圆锥体结构；或者如图3所示的纳米柱结构，其形状为圆柱形;或者如图4所示的纳米锥台结构，其形状为锥台结构；或者如图5所示的纳米峰结构，其形状为波形结构。这些结构能够有效的减少光线在封装层的损失，从而更有效的对光线进彳丁提取，提尚器件性能。
[°°25] 进一步，所述纳米单元的宽优选为100?I OOOnm，例如500nm。所述纳米单元的深度优选为10~1000]1111，例如200111]1。所述纳米单元的间距优选为200~80011111，例如600111]1。按照上述间距以及大小来设置纳米单元，可更有效提取光线，提高光取出率。
[0026]所述封装盖板30的材质可以是玻璃、蓝宝石、碳化硅或有机透明体。但显然，上述材质仅仅为举例，本领域技术人员还可根据需要采用其他材质，同样在其表面设置纳米图案结构，也可实现本实用新型的目的。
[0027]另外，所述的纳米图案结构可以采用物理、化学气象沉积、湿法或者干法刻蚀等方法加工而成。以在蓝宝石衬底上制作纳米柱结构为例，可以采用化学气象沉积的方法实现，首先做好掩膜板，然后在MOCVD(金属有机化合物化学气象沉积)里面进行沉积，对蓝宝石衬底要进行加热处理。通过控制通入的气象成分比例来实现沉积的速率，保证沉积过程形成良好的纳米锥结构。本实用新型对封装盖片30上表面的图案化处理方法，其工艺简单，适合大面积生产制备。
[0028]下面通过具体例子来对封装盖板30的制作过程进行说明。
[0029]S1、在洁净的平面蓝宝石衬底表面旋涂一层负性光刻胶并进行坚膜化处理，得到有机薄膜，厚度为30-200nm，坚膜化处理是通过烘烤实现的，烘烤在空气中200 V进行，烘烤时间为5-10分钟；
[0030]S2、在有机薄膜表面旋涂一层压印胶，厚度为70-300nm;
[0031]S3、将具有若干纳米单元的柔性模板放置在压印胶上，采用紫外光固化纳米压印技术将柔性模板上的纳米单元图案转移到压印胶上；
[0032]S4、然后在紫外光下进行曝光固化压印胶，曝光时间为5-10秒；
[0033]S5、再将柔性模板去除，这样压印胶上形成了若干纳米单元；
[0034]S6、利用干法刻蚀清除纳米单元底部残余的压印胶，直至暴露出有机薄膜的上表面；
[0035]S7、利用湿法刻蚀去掉每个纳米单元底部的有机薄膜，直至暴露出平面蓝宝石衬底的上表面，同时控制湿法刻蚀的显影时间在1-30分钟；
[0036]S8、在暴露出的平面蓝宝石衬底的上表面上沉积金属镍层，金属镍层的厚度为1-50nm;金属镍层的厚度小于有机薄膜的厚度；
[0037]S9、利用显影液去掉平面蓝宝石衬底表面剩余的有机薄膜及覆盖在有机薄膜上表面上的压印胶，显影时间为5min-30min，在平面蓝宝石衬底表面得到了若干具有纳米图案结构的金属镍单元；
[0038]S10、以若干具有纳米图案结构的金属镍单元作为掩膜，使用干法刻蚀对平面蓝宝石衬底进行刻蚀；
[0039]S11、最后剥离若干金属镍单元，平面蓝宝石衬底的表面形成了若干间隔排列的纳米单元，即得到纳米图案化的封装盖板。
[0040]对于QLED的制备方法，其主要流程如下:
[0041]首先，将ITO基板按次序置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO放置于洁净烘箱内烘干备用。
[0042]待ITO基板烘干后，用氧气等离子体处理(Plasma treatment)ITO表面5分钟以进一步处理ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数，此过程也可采用紫外-臭氧处理(UV-Ozone treatment)来完成。
[0043]然后，在经过上步处理的ITO基板上沉积一层空穴注入层，此层的厚度为O-1OOnm，优选40-50nm，对其依次进行热处理、压印成型和热固化处理，制备出光取出层，也即空穴传输层。
[0044]待上一步处理的ITO基板冷却后，将量子点发光层沉积在空穴传输层表面，其厚度为1-1OOnm之间。这一步的沉积完成后将ITO基板放置在80 °C的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂。
[0045]随后，在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层，其中电子传输层优选具有高的电子传输性能的η型氧化锌，其较佳的厚度为30-60nm，电子注入层材料可以选择低功函数的Ca，Ba等金属，也可以选择CsF，LiF，CsC03等化合物，还可以是其它电解质型电子传输层材料。
[0046]最后，将沉积完各功能层的ITO基板置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层10nm的金属银或者铝作为阴极，器件制备完成。
[0047]器件制备完成后，将上述经过纳米图案化的封装盖板封装在器件上，UV固化后即可测试。经过测试，经过本实用新型的封装盖板封装的QLED器件是常规封装结构光提取效率的1.3倍左右。
[0048]综上所述，本实用新型通过对QLED封装盖板的上表面进行纳米图案化处理，从而形成纳米结构，而封装盖板四周依然采用平面化的方式对器件进行封装，这样QLED发光层发出的光线可被最大限度的提取而被测试仪器收集，大大提高了器件效率。
[0049]应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种QLED封装盖板，其特征在于，所述QLED封装盖板的上表面为纳米图案结构，所述QLED封装盖板的四周均为平面结构。2.根据权利要求1所述的QLED封装盖板，其特征在于，所述纳米图案结构包括多个间隔分布的纳米单元。3.根据权利要求2所述的QLED封装盖板，其特征在于，所述纳米单元为纳米锥结构、纳米柱结构、纳米锥台结构或纳米峰结构。4.根据权利要求2所述的QLED封装盖板，其特征在于，所述纳米单元的宽为100?100nm05.根据权利要求2所述的QLED封装盖板，其特征在于，所述纳米单元的深度为10?100nm06.根据权利要求2所述的QLED封装盖板，其特征在于，所述纳米单元的间距为200?800nmo7.根据权利要求1所述的QLED封装盖板，其特征在于，所述QLED封装盖板的材质为玻璃、蓝宝石、碳化硅或有机透明体。
【文档编号】H01L51/52GK205645891SQ201620332648
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年4月20日
【发明人】刘佳, 曹蔚然, 杨行, 杨一行, 钱磊
【申请人】Tcl集团股份有限公司