一种刻蚀加压喷淋清洗器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种刻蚀加压喷淋清洗器。其技术方案是：在硅片的上部设有上清洗装置，在硅片的下部设有下清洗装置，在第一水刀管路的右侧设有第一水汽混合加压装置，在第一水刀管路的下侧设有第一水刀，在第一水刀上设有多个第一喷雾头，在第二水刀管路的右侧设有第二水汽混合加压装置，在第二水刀管路的上侧设有第二水刀，在第二水刀上设有多个第二喷雾头，雾化座的出液端设有雾化盖，在雾化盖的中心设有出液孔，以出液孔为圆心的外周设有环槽。本实用新型的有益效果是：本实用新型在硅片的上部和下部均设有清洗装置，清洗装置上加设有水汽混合加压装置，喷雾头喷出的喷雾为扇形，这样，节省了去离子水，降低了费用，并且清洗效果好。
【专利说明】
一种刻蚀加压喷淋清洗器
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种刻蚀清洗器，特别涉及一种刻蚀加压喷淋清洗器。
【背景技术】
[0002]刻蚀是半导体、微电子及LED制造过程中的一个重要工序，刻蚀是利用化学或物理方法有选择性地从硅片或者蓝宝石衬底表面去除不需要的材料的过程。随着半导体器件的集成度提高，半导体器件的线宽越来越小，关键尺寸的控制也越来越重要，对刻蚀工艺的要求也越来越高。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。在使用湿法刻蚀绝缘清洗机的生产过程中，清洗硅片时，现有技术为使用去离子水，水刀为普通水刀，去离子水滴落在硅片上，对硅片清洗，这样造成使用去离子水量大，成本高，清洗的效果一般。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的就是针对现有技术存在的上述缺陷，提供一种刻蚀加压喷淋清洗器，节省了去离子水，降低了费用，并且清洗效果好。
[0004]其技术方案是:包括上清洗装置和下清洗装置，在硅片的上部设有上清洗装置，在硅片的下部设有下清洗装置，上清洗装置包括第一水刀管路、第一水刀、第一喷雾头、第一水汽混合加压装置、第一水刀支架，在第一水刀管路的右侧设有第一水汽混合加压装置，在第一水刀管路的右端头设有第一水刀支架，在第一水刀管路的下侧设有第一水刀，在第一水刀上设有多个第一喷雾头，下清洗装置包括第二水刀管路、第二水刀、第二喷雾头、第二水汽混合加压装置、第二水刀支架，在第二水刀管路的右侧设有第二水汽混合加压装置，在第二水刀管路的右端头设有第二水刀支架，在第二水刀管路的上侧设有第二水刀，在第二水刀上设有多个第二喷雾头，所述的第一喷雾头包括雾化座、雾化盖、环槽、出液孔，雾化座的出液端设有雾化盖，在雾化盖的中心设有出液孔，以出液孔为圆心的外周设有环槽。
[0005]上述出液孔形成夹角α，所述第二喷雾头与第一喷雾头相同，第一喷雾头与第二喷雾头喷出的喷雾为扇形，第一水刀上的第一喷雾头为等间距设置，第二水刀上的第二喷雾头为等间距设置，相邻第一喷雾头喷淋在硅片上的扇形喷雾连在一起，相邻第二喷雾头喷淋在硅片上的扇形喷雾连在一起。
[0006]本实用新型的有益效果是:本实用新型在硅片的上部和下部均设有清洗装置，清洗装置上加设有水汽混合加压装置，喷雾头喷出的喷雾为扇形，这样，节省了去离子水，降低了费用，并且清洗效果好。
【附图说明】
[0007]附图1是本实用新型的结构示意图；
[0008]附图2是喷雾头的结构示意图；
[0009]上图中:第一水刀管路1、第一水刀2、第一喷雾头3、第一水汽混合加压装置4、第一水刀支架5、硅片6、第二水刀管路7、第二水刀8、第二喷雾头9、第二水汽混合加压装置10、第二水刀支架11、雾化座3.1、雾化盖3.2、环槽3.3、出液孔3.4。
【具体实施方式】
[0010]结合附图1-2，对本实用新型作进一步的描述:
[0011]本实用新型包括上清洗装置和下清洗装置，在硅片6的上部设有上清洗装置，在硅片6的下部设有下清洗装置，上清洗装置包括第一水刀管路1、第一水刀2、第一喷雾头3、第一水汽混合加压装置4、第一水刀支架5，在第一水刀管路I的右侧设有第一水汽混合加压装置4，在第一水刀管路I的右端头设有第一水刀支架5，在第一水刀管路I的下侧设有第一水刀2，在第一水刀2上设有多个第一喷雾头3，下清洗装置包括第二水刀管路7、第二水刀8、第二喷雾头9、第二水汽混合加压装置10、第二水刀支架11，在第二水刀管路7的右侧设有第二水汽混合加压装置10，在第二水刀管路7的右端头设有第二水刀支架11，在第二水刀管路7的上侧设有第二水刀8，在第二水刀8上设有多个第二喷雾头9，所述的第一喷雾头3包括雾化座3.1、雾化盖3.2、环槽3.3、出液孔3.4，雾化座3.1的出液端设有雾化盖3.2，在雾化盖3.2的中心设有出液孔3.4，以出液孔3.4为圆心的外周设有环槽3.3。
[0012]其中，所述出液孔3.4形成夹角α，所述第二喷雾头9与第一喷雾头3相同，第一喷雾头3与第二喷雾头9喷出的喷雾为扇形，第一水刀2上的第一喷雾头3为等间距设置，第二水刀8上的第二喷雾头9为等间距设置，相邻第一喷雾头3喷淋在硅片6上的扇形喷雾连在一起，相邻第二喷雾头9喷淋在硅片6上的扇形喷雾连在一起。
[0013]本实用新型在硅片的上部和下部均设有清洗装置，清洗装置上加设有水汽混合加压装置，喷雾头喷出的喷雾为扇形，这样，节省了去离子水，降低了费用，并且清洗效果好。
[0014]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，任何熟悉本领域的技术人员均可能利用上述阐述的技术方案对本实用新型加以修改或将其修改为等同的技术方案。因此，依据本实用新型的技术方案所进行的任何简单修改或等同置换，尽属于本实用新型要求保护的范围。
【主权项】
1.一种刻蚀加压喷淋清洗器，其特征是:包括上清洗装置和下清洗装置，在硅片(6 )的上部设有上清洗装置，在硅片(6)的下部设有下清洗装置，上清洗装置包括第一水刀管路(1)、第一水刀(2)、第一喷雾头(3)、第一水汽混合加压装置(4)、第一水刀支架(5)，在第一水刀管路(I)的右侧设有第一水汽混合加压装置(4)，在第一水刀管路(I)的右端头设有第一水刀支架(5)，在第一水刀管路(I)的下侧设有第一水刀(2)，在第一水刀(2)上设有多个第一喷雾头(3)，下清洗装置包括第二水刀管路(7)、第二水刀(8)、第二喷雾头(9)、第二水汽混合加压装置(10)、第二水刀支架(11)，在第二水刀管路(7)的右侧设有第二水汽混合加压装置(10)，在第二水刀管路(7)的右端头设有第二水刀支架(11)，在第二水刀管路(7)的上侧设有第二水刀(8)，在第二水刀(8)上设有多个第二喷雾头(9)，所述的第一喷雾头(3)包括雾化座(3.1)、雾化盖(3.2)、环槽(3.3)、出液孔(3.4)，雾化座(3.1)的出液端设有雾化盖(3.2 )，在雾化盖(3.2 )的中心设有出液孔(3.4 )，以出液孔(3.4)为圆心的外周设有环槽(3.3)02.根据权利要求1所述的一种刻蚀加压喷淋清洗器，其特征是:所述出液孔(3.4)形成夹角α，所述第二喷雾头(9)与第一喷雾头(3)相同，第一喷雾头(3)与第二喷雾头(9)喷出的喷雾为扇形，第一水刀(2)上的第一喷雾头(3)为等间距设置，第二水刀(8)上的第二喷雾头(9)为等间距设置，相邻第一喷雾头(3)喷淋在硅片(6)上的扇形喷雾连在一起，相邻第二喷雾头(9)喷淋在硅片(6)上的扇形喷雾连在一起。
【文档编号】H01L21/67GK205657044SQ201620287925
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2016年4月8日 公开号201620287925.3, CN 201620287925, CN 205657044 U, CN 205657044U, CN-U-205657044, CN201620287925, CN201620287925.3, CN205657044 U, CN205657044U
【发明人】杨洪军, 鞠靖, 张振兴, 万福旺
【申请人】山东天信光伏新能源有限公司