一种耐高压、耐功率n系列改型射频同轴连接器结构的制作方法

文档序号:10967213
一种耐高压、耐功率n系列改型射频同轴连接器结构的制作方法
【专利摘要】一种耐高压、耐功率的N系列改型射频同轴连接器结构,包括射频插头和射频插座,射频插头包括插针、插头绝缘子和插头外壳,插头绝缘子完全包覆插针,仅在界面端留有对插的径向间隙;射频插座包括插孔和插座第一绝缘子,插座第一绝缘子完全包覆插孔,插座第一绝缘子外部设置有三处台阶,第一台阶被插入插头绝缘子界面端的径向间隙中,第二台阶与插头绝缘子的台阶外径保持一致,第三台阶置于插座第二绝缘子的内孔内;插座第一绝缘子的第二台阶与插头绝缘子的台阶以及插座第二绝缘子的内孔间形成的空腔段即连接器界面中的介质为聚四氟乙烯与空气的混合介质;本实用新型通过更改界面介质为聚四氟乙烯与空气的混合介质来增加产品的爬电距离,满足了产品耐高压的要求,且可在低频段下替代标准N系列连接器使用。
【专利说明】
一种耐高压、耐功率N系列改型射频同轴连接器结构
技术领域
[0001]本实用新型属于电连接器技术领域,具体涉及一种耐高压、耐功率的N系列改型射频同轴连接器结构。
【背景技术】
[0002]N系列射频同轴连接器是一种获得普遍应用的连接器,产品广泛应用于武器装备等微波通讯系统领域,其界面配合结构如图1所示。产品的特点为界面为空气介质,该系列产品具有结构简单、可靠性高等特点。由于N系列射频同轴连接器的界面特点为空气介质,其爬电距离较短,所以通用N系列射频同轴连接器产品无法适用于耐高压和耐高功率的场入口 ο

【发明内容】

[0003]为了克服上述现有技术缺陷,本实用新型的目的在于提供一种耐高压、耐功率的N系列改型射频同轴连接器结构;通过更改界面介质为聚四氟乙烯与空气的混合介质结构来增加产品的爬电距离,满足了产品耐高压的要求,且该结构产品可与标准的N系列连接器进行互换,可在低频段下替代标准N系列连接器使用。
[0004]为达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
[0005]—种耐高压、耐功率的N系列改型射频同轴连接器结构,包括射频插头和射频插座,所述射频插头包括插针1、同轴安装于插针I外周圈的插头绝缘子2以及同轴安装于插头绝缘子2外周圈的插头外壳3,所述插头绝缘子2完全包覆插针I,仅在界面端留有对插的径向间隙,所述插头绝缘子2外部设置有一处台阶,与插头外壳3内孔的台阶相配合实现轴向定位;所述射频插座包括插孔4和同轴安装于插孔4外周圈的插座第一绝缘子5,所述插座第一绝缘子5完全包覆插孔4,插座第一绝缘子5外部设置有三处台阶,第一台阶在射频插头与射频插座对插时,被插入插头绝缘子2界面端的径向间隙中,第二台阶与插头绝缘子2的台阶外径保持一致,第三台阶置于插座第二绝缘子6的内孔内,并与插座第二绝缘子6端面相配合实现轴向定位;插座第二绝缘子6设置有一处台阶,与插座外壳7内孔的台阶相配合实现轴向定位;所述插座第一绝缘子5的第二台阶与插头绝缘子2的台阶以及插座第二绝缘子6的内孔间形成的空腔段即连接器界面中的介质为聚四氟乙烯与空气的混合介质。
[0006]所述插针I和插孔4的外径标称尺寸a小于标准N系列射频同轴连接器的插针和插孔的外径标称尺寸;为满足与标准N系列射频同轴连接器互换的要求,所述插针I的头部外径和插孔4的孔径b分别与标准N系列射频同轴连接器的插针外径标称尺寸和插孔的孔径保持一致。
[0007]本实用新型具有耐电压、耐功率指标优良的特点,同时可实现在低频段下替代标准N系列连接器使用。
【附图说明】
[0008]图1为标准N系列射频同轴连接器界面配合结构示意图。
[0009]图2为本实用新型插头与插座界面配合结构示意图。
[0010]图3为本实用新型插头与标准N系列射频同轴插座配合结构示意图。
[0011 ]图4为本实用新型插座与标准N系列射频同轴插头配合结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图和【具体实施方式】,对本实用新型作进一步详细说明:
[0013]如图2所示,一种耐高压、耐功率的N系列改型射频同轴连接器结构,包括射频插头和射频插座,射频插头包括插针I和同轴安装于插针I上的插头绝缘子2,所述插头绝缘子2完全包覆插针I,仅在界面端留有对插的径向间隙,所述绝缘子2同轴安装于插头外壳3内,插头绝缘子2外形设置有一处台阶,与插头外壳3内孔的台阶相配合实现轴向定位。射频插座包括插孔4和同轴安装于插孔4上的插座第一绝缘子5,所述插座第一绝缘子5完全包覆插孔4,插座第一绝缘子5外部设置有三处台阶,第一台阶在射频插头与射频插座对插时,被插入插头绝缘子2界面端的径向间隙中,第二台阶的外径与插头绝缘子2的台阶外径保持一致,第三台阶置于插座第二绝缘子6内孔内,并与插座第二绝缘子6端面相配合实现轴向定位。插座第二绝缘子6设置有一处台阶,与插座外壳7内孔的台阶相配合实现轴向定位。所述插座第一绝缘子5的第二台阶与插头绝缘子2的台阶以及插座第二绝缘子6的内孔间形成的空腔段即连接器界面中的介质为聚四氟乙烯与空气的混合介质。
[0014]如图2所示,由于连接器界面(图中的空腔)介质为聚四氟乙烯与空气的混合介质结构,增加了介质的介电常数,所以为满足阻抗匹配要求,所述插针I与插孔4的外径标称尺寸a小于标准N系列射频同轴连接器的插针和插孔的外径标称尺寸3.04mm。为满足本实用新型与标准N系列射频同轴连接器互换的要求,所述插针I的头部外径与插孔4的孔径b与标准N系列射频同轴连接器保持一致。
[0015]如图3、图4所示,在本实用新型连接器与标准N系列射频同轴连接器配合时,其界面存在阻抗不匹配段,所以限制了本实用新型连接器在高频段替代标准N系列射频同轴连接器的使用,但可在低频段下替代标准N系列连接器使用。
[0016]本实用新型通过进行绝缘子包覆内导体增加爬电长度的结构设计,保证产品在正常大气压下耐电压及耐功率的要求,使用户的选择更为丰富。本实用新型主要应用于电子、兵器、信息产业等工程领域,还可广泛应用于高可靠性的通讯以及自动控制等技术领域。
【主权项】
1.一种耐高压、耐功率的N系列改型射频同轴连接器结构,包括射频插头和射频插座,其特征在于:所述射频插头包括插针(1)、同轴安装于插针(I)外周圈的插头绝缘子(2)以及同轴安装于插头绝缘子(2)外周圈的插头外壳(3),所述插头绝缘子(2)完全包覆插针(I),仅在界面端留有对插的径向间隙,所述插头绝缘子(2)外部设置有一处台阶,与插头外壳(3)内孔的台阶相配合实现轴向定位;所述射频插座包括插孔(4)和同轴安装于插孔(4)夕卜周圈的插座第一绝缘子(5),所述插座第一绝缘子(5)完全包覆插孔(4),插座第一绝缘子(5)外部设置有三处台阶,第一台阶在射频插头与射频插座对插时,被插入插头绝缘子(2)界面端的径向间隙中,第二台阶与插头绝缘子(2)的台阶外径保持一致,第三台阶置于插座第二绝缘子(6)的内孔内,并与插座第二绝缘子(6)端面相配合实现轴向定位;插座第二绝缘子(6)设置有一处台阶,与插座外壳(7)内孔的台阶相配合实现轴向定位;所述插座第一绝缘子(5)的第二台阶与插头绝缘子(2)的台阶以及插座第二绝缘子(6)的内孔间形成的空腔段即连接器界面中的介质为聚四氟乙烯与空气的混合介质。2.根据权利要求1所述的一种耐高压、耐功率的N系列改型射频同轴连接器结构,其特征在于:所述插针(I)和插孔(4)的外径标称尺寸a小于标准N系列射频同轴连接器的插针和插孔的外径标称尺寸;为满足与标准N系列射频同轴连接器互换的要求,所述插针(I)的头部外径和插孔(4)的孔径b分别与标准N系列射频同轴连接器的插针外径标称尺寸和插孔的孔径保持一致。
【文档编号】H01R24/44GK205657251SQ201620499707
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2016年5月27日 公开号201620499707.6, CN 201620499707, CN 205657251 U, CN 205657251U, CN-U-205657251, CN201620499707, CN201620499707.6, CN205657251 U, CN205657251U
【发明人】王延辉, 吴晓熙, 刘玮, 多卉卉, 张 浩, 张健
【申请人】陕西华达科技股份有限公司
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