深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，所述深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片具有深扩散结低表层复合结构，所述深扩散结低表层复合结构包括硼掺杂层、磷掺杂层和磷吸杂层，其中，所述磷掺杂层设置在所述硼掺杂层的上表面，所述磷吸杂层设置在所述磷掺杂层的上表面。本实用新型能够解决表层扩散结均匀性、结深不理想的问题，还能够解决表层少子寿命低的问题。
【专利说明】
深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片
技术领域
[0001]本实用新型涉及光伏材料技术领域，尤其与一种深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片有关。
【背景技术】
[0002]现有技术的太阳能电池片，其表层扩散结结构存在均匀性、结深不理想的问题，导致烧结效果稳定性较差，不利于太阳能电池片整体电性能的提升；另一方面还存在少子寿命偏低的问题，导致少子寿命偏低的主要因素是表层的复合太高，而降低表层复合是提高少子寿命，提升太阳能电池片效率的有效办法。
[0003]表层扩散结是太阳能电池片吸收光能发电的核心部分，没有表层扩散结的存在，太阳能电池片就不能将光能转换为电能。
[0004]传统的表层扩散结是一层，均匀性分布较差，一般不均匀性7%左右，结深较浅，一般结深3微米左右。这样的表层结构导致烧结效果不理想，不利于太阳能电池片电性能的改塞口 ο
[0005]如图1所示，现有技术的表层扩散结结构，包括硼掺杂层11和在硼掺杂层11上表面上设置的磷掺杂层10，这样的表层扩散结结构导致太阳能电池片少子寿命较低，不利于太阳能电池片转换效率的提升。
[0006]因此，需要开发一种具有新的表层扩散结结构的太阳能电池片。
[0007]在所述【背景技术】部分公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
【实用新型内容】
[0008]本实用新型的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，一方面解决表层扩散结均匀性、结深不理想的问题;另一方面解决表层少子寿命低的问题。
[0009]为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下:
[0010]—种深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，所述深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片具有深扩散结低表层复合结构，所述深扩散结低表层复合结构包括硼掺杂层、磷掺杂层和磷吸杂层，其中，所述磷掺杂层设置在所述硼掺杂层的上表面，所述磷吸杂层设置在所述磷掺杂层的上表面。
[0011]本实用新型的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，优选的，所述深扩散结低表层复合结构的结深大于等于5微米。
[0012]本实用新型的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，优选的，所述深扩散结低表层复合结构的结深为5微米。
[0013]本实用新型的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，优选的，所述深扩散结低表层复合结构的一般均匀性为4%-5%。
[0014]本实用新型的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，优选的，所述硼掺杂层的厚度大于所述磷掺杂层的厚度，所述磷掺杂层的厚度大于所述磷吸杂层的厚度。
[0015]本实用新型的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，优选的，所述硼掺杂层、所属磷掺杂层和所述磷吸杂层三者之间的厚度比例为4:2:1。
[0016]本实用新型的有益效果在于，本实用新型提供一种新型的太阳能电池片表层扩散结结构，本实用新型通过选择一种新的工艺技术，制备一种均匀的深扩散结及低表层复合结构的太阳能电池片。均匀的深扩散结结构可有效改善烧结效果，降低表层接触电阻;低表面复合结构可有效提升电池片少子寿命，提升太阳能电池片转换效率。
【附图说明】
[0017]通过结合附图考虑以下对本实用新型的优选实施例的详细说明，本实用新型的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本实用新型的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。
[0018]图1为现有技术的表层扩散结的截面示意图。
[0019]图2为本实用新型实施例的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片的示意图。
[0020]其中，附图标记说明如下:
[0021 ] 20磷吸杂层
[0022]21磷掺杂层
[0023]22硼掺杂层
[0024]现有技术
[0025]10磷掺杂层
[0026]11硼掺杂层
【具体实施方式】
[0027]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反，提供这些实施方式使得本实用新型将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0028]在说明本实用新型或本实用新型优选实施例的元件时，词“一”、“一个”、“该”以及“所述”意欲指的是存在着一个或更多个元件。术语“包括”、“包含”和“具有”等意欲是开放性的且指的是除了所列出的元件之外还可存在其它元件。
[0029]本实用新型主要涉及使用新的工艺技术实现新的太阳能电池片表层扩散结机构。
[0030]本实用新型是提出一种新型的太阳能电池片表层扩散结结构，是一种可有效改善烧结效果，降低表层接触电阻;可有效提升电池片少子寿命，提升电池片转换效率的表层扩散结结构。通过调整工艺内容，在太阳能电池片表面形成均匀的深扩散结构及低表面复合机构，改善烧结效果，提升少子寿命，最终实现太阳能电池片转换效率的提升。
[0031]通过新工艺实现的新型的表层扩散结结构，本实用新型实施例的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片的低表层复合结构，一般均匀性可以达到4%_5%，结深可以做到5微米左右，也即大于等于5微米，这样的表层结构有利于烧结效果的改善，可以降低烧结后的串联电阻，提升太阳能电池片的转换效率。
[0032]下面参考附图和优选实施例对技术方案作详细说明。
[0033]如图2所示，本实用新型实施例的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，具有深扩散结低表层复合结构，也即其表层扩散结结构，所述深扩散结低表层复合结构包括硼掺杂层22、磷掺杂层21和磷吸杂层20，其中，磷掺杂层21设置在硼掺杂层22的上表面，而磷吸杂层20设置在磷掺杂层21的上表面。
[0034]部分优选实施例中，硼掺杂层22的厚度大于磷掺杂层21的厚度，磷掺杂层21的厚度大于磷吸杂层20的厚度，进而，硼掺杂层20、磷掺杂层21和磷吸杂层22三者之间的厚度比例可为4:2:1，但本实用新型实施例的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片。
[0035]本实用新型实施例的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，通过新工艺实现的新型的表层扩散结结构，一般均匀性可以达到4%-5%，结深可以做到5微米左右，这样的表层结构有利于烧结效果的改善，可以降低烧结后的串联电阻，提升太阳能电池片的转换效率。
[0036]传统的表层扩散结结构没有磷吸杂层22的存在，这样导致电池片少子寿命较低，不利于太阳能电池片转换效率的提升。通过新工艺实现的本实用新型的表层扩散结结构，有一层磷吸杂结构层，这样可有效提升电池片的少子寿命，进而提升太阳能电池片的转换效率。
[0037]本实用新型实施例的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，可有效降低表层接触电阻并改善电性能参数;另一方面可有效提升表层少子寿命，较大的表层少子寿命，可有效提升电池片转换效率。通过新工艺实现的新型的表层扩散结结构可提升太阳能电池片转换效率0.1%以上。
[0038]应理解，以上描述的多个示例可沿多个方向(如倾斜、颠倒、水平、垂直，等等)并且以多个构造被利用，而不背离本实用新型的原理。附图中示出的实施例仅作为本实用新型的原理的有效应用的示例而被示出和描述，本实用新型并不限于这些实施例的任何具体的细节。
[0039]当然，一旦仔细考虑代表性实施例的以上描述，本领域技术人员就将容易理解，可对这些具体的实施例做出多种改型、添加、替代、删除以及其他变化，并且这些变化在本实用新型的原理的范围内。因此，前面的详细描述应被清楚地理解为是仅以说明和示例的方式来给出的，本实用新型的精神和范围仅由所附权利要求书及其等同物限定。
【主权项】
1.一种深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，其特征在于，所述深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片具有深扩散结低表层复合结构，所述深扩散结低表层复合结构包括硼掺杂层、磷掺杂层和磷吸杂层，其中，所述磷掺杂层设置在所述硼掺杂层的上表面，所述磷吸杂层设置在所述磷掺杂层的上表面。2.如权利要求1所述的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，其中所述深扩散结低表层复合结构的结深大于等于5微米。3.如权利要求2所述的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，其中所述深扩散结低表层复合结构的结深为5微米。4.如权利要求2所述的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，其中所述深扩散结低表层复合结构的一般均匀性为4%-5%。5.如权利要求2所述的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，其中所述硼掺杂层的厚度大于所述磷掺杂层的厚度，所述磷掺杂层的厚度大于所述磷吸杂层的厚度。6.如权利要求5所述的深扩散结低表层复合结构的太阳能电池片，其中所述硼掺杂层、所属磷掺杂层和所述磷吸杂层三者之间的厚度比例为4:2:1。
【文档编号】H01L31/0304GK205666240SQ201620542548
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年6月3日
【发明人】武慧亮, 张林风, 邬尧, 武志强
【申请人】包头市山晟新能源有限责任公司