一种信息通讯耦合器的制造方法

文档序号:10975146阅读:561来源:国知局
一种信息通讯耦合器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种信息通讯耦合器,包括耦合器本体,所述耦合器本体的中部安装有主波导,所述主波导的上端安装有第一耦合头和第二耦合头,所述第一耦合器头和第二耦合器头均包括装配外壳,所述装配外壳的上端安装有匹配电阻座,所述匹配电阻座的上端安装有匹配电阻,所述第一耦合器头和第二耦合器头均安装有同轴外导体,且同轴外导体的内部安装有同轴内导体,所述同轴内导体的上端安装有N型同轴接头,所述第一耦合器头和第二耦合器头的底部均安装有耦合片。本实用新型结构简单,设计巧妙,使用方便,采用耦合片切割磁场激励电流来实现耦合,可以同时测量入射功率和反射功率,耦合系数可调,方向性好,满足了大功率测量的需求。
【专利说明】
一种信息通讯耦合器
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及信息通讯技术领域,具体为一种信息通讯耦合器。
【背景技术】
[0002]在微波系统中,往往需将一路微波功率按比例分成几路,这就是功率分配问题。实现这一功能的元件称为功率分配元器件即耦合器,主要包括:定向耦合器、功率分配器以及各种微波分支器件。光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内,彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端,受光器的引脚为输出端,常见的发光源为发光二极管,受光器为光敏二极管、光敏三极管等等。光电耦合器的种类较多,常见有光电二极管型、光电三极管型、光敏电阻型、光控晶闸管型、光电达林顿型、集成电路型等,但是现有的耦合器在高频段电路中,电压和电流的检测十分困难,而且存在衰减值不稳定和带宽窄的问题,针对上述问题,特提出一种信息通讯耦合器。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种信息通讯耦合器,以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种信息通讯耦合器,包括耦合器本体,所述耦合器本体的中部安装有主波导,所述主波导的上端安装有第一耦合头和第二耦合头,所述第一耦合头和第二耦合头均包括装配外壳,所述装配外壳的上端安装有匹配电阻座,所述匹配电阻座的上端安装有匹配电阻,所述第一耦合头和第二耦合头均安装有同轴外导体,且同轴外导体的内部安装有有同轴内导体,所述同轴内导体的上端安装有N型同轴接头,所述第一耦合头和第二耦合头的底部均安装有耦合片,且耦合片的左右两端分别与匹配电阻座和同轴内导体连接,所述耦合片上设有焊锡接头插孔,且焊锡接头插孔内安装有焊锡接头。
[0005]优选的,所述焊锡接头和焊锡接头插孔的数量均不少于两个。
[0006]优选的,所述第一耦合头和第二耦合头以主波导上表面的中心处中心对称放置。
[0007]优选的,所述耦合片与装配外壳的距离范围在I毫米至10毫米。
[0008]与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:一种信息通讯耦合器,结构简单,设计巧妙,使用方便,采用耦合片切割磁场激励电流来实现耦合,可以同时测量入射功率和反射功率,耦合系数可调,方向性好,满足了大功率测量的需求。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型结构不意图;
[0010]图2为本实用新型的俯视图;
[0011]图3为本实用新型中第一耦合头的结构示意图;
[0012]图4为本实用新型中第二耦合头的结构示意图;
[0013]图5为本实用新型中耦合片的结构示意图。
[0014]图中:1、親合器本体,2、主波导,3、第一親合头,4、第二親合头,5、装配外壳,6、匹配电阻座,7、匹配电阻,8、同轴外导体,9、同轴内导体,10、N型同轴接头,11、耦合片,12、焊锡接头插孔,13、焊锡接头。
【具体实施方式】
[0015]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0016]请参阅图1-5,本实用新型提供一种技术方案:一种信息通讯耦合器,包括耦合器本体I,所述耦合器本体I的中部安装有主波导2,所述主波导2的上端安装有第一耦合头3和第二耦合头4,所述第一耦合头3和第二耦合头4均包括装配外壳5,所述装配外壳5的上端安装有匹配电阻座6,所述匹配电阻座6的上端安装有匹配电阻7,所述第一耦合头3和第二耦合头4均安装有同轴外导体8,且同轴外导体8的内部安装有有同轴内导体9,所述同轴内导体9的上端安装有N型同轴接头10,所述第一耦合头3和第二耦合头4的底部均安装有耦合片11,且耦合片11的左右两端分别与匹配电阻座6和同轴内导体9连接,所述耦合片11上设有焊锡接头插孔12,且焊锡接头插孔12内安装有焊锡接头13,结构简单,设计巧妙,使用方便,采用耦合片11切割磁场激励电流来实现耦合,可以同时测量入射功率和反射功率,耦合系数可调,方向性好,满足了大功率测量的需求。
[0017]具体而言,所述焊锡接头13和焊锡接头插孔12的数量均不少于两个,可以更好的对耦合片11进行固定。
[0018]具体而言,所述第一耦合头3和第二耦合头4以主波导2上表面的中心处中心对称放置,可以更好的测量入射功率和反射功率。
[0019]具体而言,所述耦合片11与装配外壳5的距离范围在I毫米至10毫米,可以满足不同的测量需要,并且测量效果最优。
[0020]工作原理:通过朝向相反的第一耦合头3和第二耦合头4实现传输信号和反射信号的测量,当信号进入时,耦合片11切割磁场激励出电流,引起的电场经同轴内导体9和同轴外导体8实现传输信号的耦合输出,当信号发生反射时,激励电流引起的电场被匹配电阻7吸收,再经由同轴内导体9和同轴外导体8传输实现反射信号的耦合输出。
[0021]尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
【主权项】
1.一种信息通讯耦合器,包括耦合器本体(I),其特征在于:所述耦合器本体(I)的中部安装有主波导(2),所述主波导(2)的上端安装有第一耦合头(3)和第二耦合头(4),所述第一耦合头(3)和第二耦合头(4)均包括装配外壳(5),所述装配外壳(5)的上端安装有匹配电阻座(6),所述匹配电阻座(6)的上端安装有匹配电阻(7),所述第一耦合头(3)和第二耦合头(4)均安装有同轴外导体(8),且同轴外导体(8)的内部安装有同轴内导体(9),所述同轴内导体(9)的上端安装有N型同轴接头(10),所述第一耦合头(3)和第二耦合头(4)的底部均安装有耦合片(11),且耦合片(11)的左右两端分别与匹配电阻座(6)和同轴内导体(9)连接,所述耦合片(11)上设有焊锡接头插孔(12),且焊锡接头插孔(12)内安装有焊锡接头(13)。2.根据权利要求1所述的一种信息通讯耦合器,其特征在于:所述焊锡接头(13)和焊锡接头插孔(12)的数量均不少于两个。3.根据权利要求1所述的一种信息通讯耦合器,其特征在于:所述第一耦合头(3)和第二耦合头(4)以主波导(2)上表面的中心处中心对称放置。4.根据权利要求1所述的一种信息通讯耦合器,其特征在于:所述耦合片(11)与装配外壳(5)的距离范围在I毫米至10毫米。
【文档编号】H01P5/12GK205666316SQ201620503545
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年5月27日
【发明人】王渠, 张金师, 董淑杰, 宋绪磊, 尹金昌, 王洪源, 李丽丽, 曹凯峰, 毕启萌, 王延策
【申请人】国网山东省电力公司阳谷县供电公司
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