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电气元件制品的制造及其应用技术
能够形成梯度磁场的线圈结构及其设计方法
本发明属于电磁场领域,具体涉及一种能够形成梯度磁场的线圈结构及其设计方法。、梯度磁场系统用于在工作区域内产生磁场量值呈线性变化的磁场,这种磁场量值呈线性变化的磁场称为梯度磁场,梯度磁场主要用于梯度磁引信、梯度磁强计,原子式磁强计、磁张量梯度仪器等设备的校准和测试,以及产生梯度磁场环境进行医...
一种用于高温离子注入的扫描机器人的制作方法
本发明属于半导体离子注入设备,具体地涉及一种用于高温离子注入的扫描机器人。、在目前一些离子注入工艺中,需要采用高温离子注入方式,即对加热后的晶圆进行离子注入。现有技术方案中,一般均采用钨丝产生热辐射的方式对晶圆进行加热;但实际应用中发现,采用钨丝产生热辐射的方式难以保证加热后晶圆温度的均匀...
干法负极极片、二次电池和装置的制作方法
本申请涉及一种干法负极极片,尤其涉及一种干法负极极片、二次电池和装置,属于电池材料领域。、目前电极极片膜的加工工艺分湿法工艺和干法工艺。其中湿法工艺是将活性物质、粘结剂和导电剂在溶剂中混合均匀,制成固含量%-%浆料混合物,然后涂覆于实心片状集流体,最后烘干使溶剂蒸发,去除电极极片膜中的溶剂...
一种干电极膜和制备其的方法与流程
本发明涉及二次电池领域,具体提供一种干电极膜和制备其的方法。、二次电池由于较高的能量密度和较宽的使用场景而广泛地应用于消费类电池及新能源车载动力电池。目前传统锂电池制作过程当中,需要使用有机溶剂制备出稳定的电极浆料并涂覆在集流体上,然而,经典的浆料涂覆的湿电池电极存在一些不希望的问题,例如...
玻纤骨架的聚酰胺基固态电解质、电池及其制备方法
本发明涉及固态电解质的,特别涉及聚酰胺基固态电解质的。、随着人们对锂离子电池的能量密度和安全性提出更高要求,传统有机电解液因无法生成稳定的固态电解质界面层,容易导致锂枝晶生长、影响电池性能,严重时甚至会造成电池内部短路,存在安全隐患等问题而无法满足要求。与有机电解液相比,固态电解质具有更高...
具有三维磁信息的纳米磁体阵列及其制造方法、组装器件
本申请属于纳米磁体阵列制造,尤其涉及一种具有三维磁信息的纳米磁体阵列及其制造方法、组装器件。、单畴纳米磁体是纳米尺度下的一种特殊磁体结构,其由单个磁畴组成并且畴内的磁矩朝向一致。基于单筹纳米磁体开发的纳米磁编辑技术已经在微纳米机器人和超材料领域上的到成功验证,可以实现微机器多模态变体和机械...
一种高品质因数非晶纳米晶软磁磁粉芯及其制备方法
本发明涉及软磁复合材料领域,具体涉及一种高品质因数非晶纳米晶软磁磁粉芯及其制备方法。、软磁粉芯是一种由绝缘涂层和非晶磁粉组成的复合材料。非晶纳米晶软磁磁粉芯具有优异的软磁性能,包括高饱和磁化强度、低损耗和低矫顽力。因此,其以优异的磁性能被广泛应用于生活中,如无线通信传感器、变压器、汽车等领...
电池的制作方法
本发明涉及电池,具体涉及一种电池。、相关技术中,为了在电池出现热失控情况时及时释放电池内部压力,会在靠近电池的端部位置设置有防爆阀,当电池内部压强过高时,电池内部高压气体会冲破防爆阀实现泄压以此避免引发安全问题。但对于电池内部压强急剧增大的情况而言,当防爆阀泄压不及时时,电池仍可能存在因内...
一种继电器的制作方法
本发明涉及继电器,特别是涉及一种继电器。、现有技术的一种直流继电器采用动触片直动式结构,其接触部分采用两个静触头和一个动触片,两个静触头安装在绝缘罩的顶部,两个静触头的底端分别伸入到绝缘罩内,动触片为上下直动式并设置在绝缘罩内,且动触片在长度方向上的两端作为动触点分别与两个静触头作为静触点...
半导体芯片封装结构及其形成方法与流程
本公开涉及一种半导体芯片封装结构和用于形成该半导体芯片封装结构的方法,更具体地讲,涉及一种可以用于摄像头的超薄型半导体芯片封装结构和用于形成该半导体芯片封装结构的方法。、近年来,随着消费型电子向小型化趋势发展,芯片的封装也向着小型化、微型化方向发展。在摄像头芯片封装领域,超薄化封装成为趋势...
一种功率半导体封装散热结构及制备方法
本发明涉及功率半导体,特别涉及一种功率半导体封装散热结构及制备方法。、以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高以及热导率高等优势,因而宽禁带器件天然具有耐高压、开关速度快、开关频率高及耐高温等优点;功率器件是电力电子系统的核心,而宽禁带器件的这些...
一种晶圆键合结构以及临时键合方法和激光解键合方法与流程
本发明涉及晶圆级封装和激光加工,尤其涉及一种晶圆临时键合方法以及激光解键合方法。、随着信息时代的到来,g通讯、物联网和可穿戴设备市场已正式进入爆发期,极大地改变了电子产品的制造和使用方式。当前,集成电路的晶体管尺寸已接近极限,摩尔定律发展趋缓。作为延续并超越摩尔定律的重要颠覆性技术,先进封...
硬掩模、结终端扩展结构、半导体结构及其制备方法与流程
本发明涉及半导体器件的,具体提供一种硬掩模、结终端扩展结构、半导体结构及其制备方法。、半导体功率器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元器件,电力电子技术的不断发展为半导体功率期器件开拓了广泛的应用领域。随着电力电子技术的快速发展,传统的硅(si)基功率器件正在快速接近其材料自身特...
测试结构及其形成方法、金属层检测方法与流程
本发明涉及半导体,特别涉及一种测试结构及其形成方法、介质层工艺窗口检测方法。、在半导体器件的后段制程(back end of line,beol)中,需要在半导体器件层之上形成互连结构,互连结构包括若干层金属层,以将半导体器件的电极引出,每层的金属层之间通过介质层进行隔离。通常情况下,会对...
一种电解液添加剂和电解液及其应用以及一种水系锌电池
本发明涉及电池电解液,尤其涉及一种电解液添加剂和电解液及其应用以及一种水系锌电池。、虽然锂离子电池在电动汽车和电子设备中受到了广泛的应用,但也存在着一些问题,例如安全性能差、锂资源短缺等一系列严峻的挑战。na、k元素的资源存储量丰富,在成本上与锂离子电池相比具有较强的优势,但是这两种离子的...
图像传感器封装的制作方法
本公开大体上涉及半导体装置封装,且明确地说但非排他地,涉及图像传感器封装。、图像传感器已变得随处可见。它们广泛用于数码静态相机、蜂窝式电话、安保摄像头,以及医学、汽车和其它应用。用于制造图像传感器的技术一直在高速发展。举例来说,对较高分辨率和较低功率消耗的需求已促进了这些装置的进一步小型化...
多面栅碳化硅MOSFET晶体管及其制备方法、芯片与流程
本发明涉及半导体方法,具体涉及一种多面栅碳化硅mosfet晶体管及其制备方法、芯片。、碳化硅功率器件正在越来越多的被使用在新能源领域,如充电桩、电动汽车、光伏逆变器、储能等领域。现有的碳化硅mosfet晶体管结构主要包含平面栅结构和沟槽栅结构。、现有碳化硅mosfet晶体管不论是平面栅结构...
一种毫米波天线系统及基于该系统的通信方法
本发明涉及毫米波通信,具体而言,涉及一种毫米波天线系统及基于该系统的通信方法。、毫米波技术是g应用中一项重要的基础技术,毫米波与传统的移动通信无线频谱相比,具有高频率、高速率、高容量的特点,目前正逐步成为宽带卫星通信、g乃至未来g移动通信发展的“黄金频段”。、但毫米波的传输距离较短,且在信...
一种晶圆预对准方法及晶圆厚度测量方法及其装置与流程
本发明属于光学测量,涉及一种晶圆预对准方法,还涉及一种晶圆厚度测量方法,尤其涉及一种晶圆预对准方法及晶圆厚度测量方法及其装置。、晶圆外观尺寸在半导体制造过程中至关重要,不合格厚度和直径的晶圆,会给晶圆制造的良率产生较大的影响,直接造成厂家的重大损失。传统的晶圆预对准装置,晶圆置于转盘之上,...
亚微米级单晶富锂锰基正极材料及其制备方法和应用与流程
本发明属于电池,具体涉及一种亚微米级单晶富锂锰基正极材料及其制备方法和应用。、能源革命的发展催促着锂离子电池储能技术的发展,而正极材料则是制约锂离子电池发展的关键因素。富锂锰基正极材料作为极具潜力的下一代正极材料候选者,其高容量(>mah g-)、低毒性和低成本引起了研究者的广泛关注...
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