电气元件制品的制造及其应用技术
  • 本申请涉及RF(射频)放大器,并且具体地涉及用于RF放大器的阻抗匹配网络。RF功率放大器被用于各种应用中,诸如用于无线通信系统的基站等。由RF功率放大器放大的信号通常包括具有频率范围在400兆赫(MHz)至60千兆赫(GHz)的高频调制载波的信号。调制载波的基带信号通常处于相对较低...
  • 本发明属于显示,尤其涉及一种OLED面板以及检测阴极层偏位的方法。目前,有机发光二极管OLED显示设备愈发普及,这种OLED显示设备都包括OLED面板,OLED面板包括玻璃基板、位于玻璃基板上的像素以及与这些像素电性连接的阴极层。OLED面板中阴极层一般是通过蒸镀等工艺形成于玻璃基...
  • 本发明涉及半导体互连结构,特别是涉及一种具有多孔的低K或超低K层间介质层的半导体互连结构。半导体集成电路技术的飞速发展不断对互连技术发展提出新的要求。目前,在半导体制造的后段工艺中,为了连接各个部件构成的集成电路,通常使用具有相对高导电率的金属材料,但随着半导体器件的尺寸不断收缩,互连结构...
  • 本说明书公开的技术涉及半导体装置及其制造方法。专利文献1公开了一种在铝制的电极焊盘上接合铜制的引线的技术。引线比电极焊盘硬,因此在接合时,电极焊盘被引线压扁,构成电极焊盘的材料被从引线的下部向外周侧压出。其结果是,在接合部的周围,电极焊盘隆起。该现象通常称为铝溅出(aluminumspl...
  • 本发明涉及电子封装,尤其涉及VDMOS功率器件塑封用防分层翘曲结构。以VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)为典型代表的功率半导体器件是电力电子领域的主流元器件,在大功率开关、功率转换等领域有着广泛的应用。塑料封装因其在成本、工艺等方面的优势是目前VDMOS功率器件...
  • 本发明涉及显示,具体地,涉及阵列基板及其制备方法,以及显示装置。目前,随着半导体制造技术以及显示技术的发展,显示领域竞争的日益激烈,用户对于显示装置的性能要求也随之提高,高清晰度、高对比度以及高开口率的显示装置越来越受到用户的欢迎。此外柔性屏幕、全面屏无边框显示产品等新型显示装置,...
  • 本发明涉及半导体结构的制备方法,特别是涉及一种具有多孔的低K或超低K层间介质层的半导体结构制备方法。半导体集成电路技术的飞速发展不断对互连技术发展提出新的要求。目前,在半导体制造的后段工艺中,为了连接各个部件构成的集成电路,通常使用具有相对高导电率的金属材料,但随着半导体器件的尺寸不断收缩...
  • 本发明涉及半导体制造领域,特别是指一种超级结器件工艺中的深沟槽外延填充方法。在超级结项目中,四代工艺在三代基础上,深沟槽由原来的88.6度优化至90度,pitch(原胞尺寸)由原来的4:5缩小至2:3,沟槽CD面内范围也明显减小,器件性能因此得到显著提升。但另一方面,沟槽形貌及尺寸的优化将...
  • 本发明涉及微波毫米波微组装,特别是涉及一种共晶焊接组件及共晶焊接方法。真空共晶焊接技术是近几年出现的一种新的焊接方法。与传统的导电银胶贴装工艺相比,共晶焊接技术所采用的共晶焊片比导电胶具有更好的导热性和导电性,更适用于要求散热好的大功率电路芯片或基片、要求接触电阻小的高频电路芯片。...
  • 本发明属于硅片清洗,特别是涉及一种硅片夹爪及硅片夹持机构。现有技术中,硅片在清洗时,通常是将硅片放置在硅片承载花篮里,然后将硅片承载花篮放置在清洗槽内对硅片进行清洗。因为硅片承载花篮对硅片具有一定的遮挡,导致清洗液对硅片的清洗不够彻底,影响硅片的清洗质量。发明内容针对现有技术中存在...
  • 本发明涉及一种电子产品在生产过程中对镜片光学元件、电子零件等微小零件进行拾取和摆放,并携带使用方便的专用工具小型电动吸笔。现在大规模的电子产品生产过程中,普遍采用自动贴片机进行表面元件的安装,但在新产品的试验和小批量的生产过程中,仍需采用手工贴片的技术操作,为提高安装效率,保证产品质量,还...
  • 本发明属于芯片验证,具体涉及一种晶圆芯片定位系统及定位方法。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼...
  • 本发明涉及加工方法,该加工方法用于对在正面侧和背面侧具有使可见光线反射的涂层的被加工物进行加工。在对以半导体晶片为代表的板状的被加工物进行加工时,使用下述加工装置,该加工装置具有:用于对被加工物进行保持的卡盘工作台;以及用于对卡盘工作台所保持的被加工物进行加工的加工组件。在利用该加工装置对...
  • 本发明涉及一种输送装置,更确切地说,是一种太阳能电池多向输送装置。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。只要被光照到,瞬间就可输出电压及电流,以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流,而以光化学效应工作的湿式太阳能电池则还处于萌芽阶段。硅太阳能电池分为单晶硅太阳能...
  • 本发明涉及硅片制绒,具体为一种RENA制绒设备多出口式均匀排液装置。硅片在切割过程中会在表面形成大约10μm厚的损伤层,这一层与硅片基体的性质不同,会严重影响太阳能电池的性能。清洗工序制绒工艺就是利用硅片的这一层损伤层,通过硝酸对其氧化制绒,形成高低不平的表面,大大增加电池片表面的...
  • 本公开涉及半导体器件生产领域,尤其涉及工艺腔、工艺腔的加热控制方法及装置。在半导体加工中采用的热反应、热处理工艺,是一种获得更好的材料的常用的方法。许多热反应及热处理工艺需要在包括工艺腔的设备中进行。该工艺腔内设置有多个加热丝,该加热丝放在加热槽内,通过热辐射对上方的加热板进行加热,生产线...
  • 本发明涉及集成电路领域,具体为一种改进型集成电路产品装置。集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构。目前,晶体管...
  • 本发明涉及使用处理液来对基板进行液处理的基板液处理装置。在半导体装置的制造工序中包括氮化硅膜蚀刻工序,在该氮化硅膜蚀刻工序中,半导体晶圆等基板浸渍于贮存在处理槽的磷酸水溶液中,对在基板的表面形成的氮化硅膜进行湿蚀刻。这样的湿蚀刻所使用的液处理装置具有:内槽,其贮存处理液(磷酸水溶液);外槽...
  • 本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种静电吸盘除静电时的氦气压力控制系统及方法。静电吸盘(Electrostaticchuck,E-chuck)是用于晶圆固定和温度控制的重要部件。通过其表面绝缘层产生的静电力吸附并固定晶圆。然后,通过绝缘层槽道中的冷却气体和基座中的循环冷却液使晶圆表面稳...
  • 本发明涉及一种将基板载置于载置台来进行加热的技术。在半导体制造工艺中,在半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等基板上形成涂敷膜之后,将基板载置于设置有加热器的载置台来对该基板进行加热处理。作为加热处理,能够例举在曝光前后对形成于基板的抗蚀膜以例如100℃左右的温度进行的处理。抗蚀图案的线宽受各种...
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