电气元件制品的制造及其应用技术
  • 半导体器件及其制造方法与流程
    本公开总体而言涉及电子领域,更具体地,涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括集成电路,该集成电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。随着半导体器件变得高度集成,MOSFET的按比例缩小也在加速,因此半导体器件的操作特性可能恶化。已经开发了各种技术来制造具有优异性能和高...
  • 半导体结构的形成方法与流程
    本发明实施例关于硅锗源极/漏极外延堆叠的例示性制作方法。在半导体装置如互补式金属氧化物半导体装置中,完全应变通道可改良载子移动率并降低通道电阻。此外,改良载子移动率可增加应变诱发驱动电流,其可用于通道长度缩小的互补式金属氧化物半导体装置。发明内容本发明一实施例提供的半导体结构的形成方法,包...
  • 集成电路装置及其形成方法与流程
    本公开实施例涉及集成电路制造,且特别涉及具有侧壁间隔物的集成电路装置及其形成方法。半导体集成电路(integratedcircuit,IC)工业已经历快速的成长,在集成电路发展的过程中,随着几何尺寸(例如利用制造过程可以产生的最小元件或线)缩减的同时,功能密度(例如每一个芯片面积内互相连...
  • 半导体结构及其形成方法与流程
    本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件为了达到更高的运算速度、更大的数据存储量、以及更多的功能,半导体器件朝向更高的元件密度、更高的集成度方向发展,因此,晶体管的栅极结构变得越来越细且长度变得越来越短,使得位于栅极结构两侧基底...
  • 集成电路器件鳍、集成电路及其形成方法与流程
    本发明的实施例一般地涉及半导体,更具体地,涉及集成电路器件鳍、集成电路及其形成方法。半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。在IC演进的过程中,功能密度(即,每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增加,而几何尺寸(即,可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小...
  • 具有嵌入气隙的FINFET器件及其制造方法与流程
    本发明实施例涉及具有嵌入气隙的FINFET器件及其制造方法。半导体工业已经进入到纳米技术工艺节点来追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本。随着这种进展的发生,来自制造和设计问题的挑战已经引起诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的三维设计的发展。利用从衬底延伸的薄“鳍”(或鳍式结构)...
  • 半导体器件及其制造方法与流程
    本发明涉及集成电路制造,尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。在现有的某些半导体器件中,往往需要同时具备以下五类晶体管:低压PMOS晶体管(LowVoltagePMetalOxideSemiconductor,LVPMOS)、低压NMOS晶体管(LVNMOS)、中压N型横向...
  • 半导体器件及其形成方法与流程
    本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件朝着更高的元件密度,以及更高的集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件,目前正被广泛应用,传统的平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱,产生短沟道效应而导致漏电流,最终影响半导体器件的电...
  • 基于以沉积的非晶半导体材料为基础形成的晶体半导体材料的技术和相关半导体器件的制作方法
    通常,本公开涉及其中诸如硅的晶体半导体材料可用在关键器件区域中的技术和相关半导体器件,该关键器件区域诸如为复杂晶体管元件的沟道区域以及漏极和源极区域。已在半导体器件领域取得了重大进展,这主要由于诸如晶体管元件等的基本部件的临界尺寸的不断减小。特别地,晶体管元件的缩放使能制造高度复杂的电子器...
  • 小直径晶片的制造方法与流程
    本发明涉及小直径晶片的制造方法,从一张晶片制造出直径较小的多个小直径晶片。在以移动电话、个人计算机为代表的电子设备中,包含集成电路等器件的器件芯片成为必须的构成要素。器件芯片例如如下得到:利用多条分割预定线(间隔道)对由硅等半导体材料形成的晶片的正面侧进行划分,在各区域形成器件之后,沿着该...
  • 一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板与流程
    本发明涉及显示,特别是涉及一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板。由于LTPS(LowTemperaturePoly-silicon,低温多晶硅)具有较高的载流子迁移率,可以有效减小薄膜晶体管的面积,从而达到更高的开口率,且能够降低显示面板的功耗,因此,低温多晶硅基板被广泛的...
  • TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板与流程
    本发明涉及显示,尤其涉及一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板。顶栅自对准氧化物由于寄生电容较小,是目前大尺寸显示面板首选的TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)背板技术,顶栅自对准氧化物TFT器件通常采用IGZO(indiumgalliumzin...
  • 显示面板的制造方法及其光罩与流程
    本申请涉及显示领域,特别是涉及一种显示面板的制造方法及其光罩。TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,薄膜晶体管液晶显示装置),具有低成本、低功耗和高性能的优点,在电子、数码产品等领域有着广泛的运用,是现代IT、视讯产品中重要...
  • 阵列基板的制备方法、装置及显示面板与流程
    本发明涉及薄膜晶体管领域,尤其涉及一种阵列基板的制备方法、装置以及显示面板。阵列基板在4-Mask四道光刻工艺制程中,由于光阻以及曝光的局限性,常见的基于HTM半色调掩膜板(HalfToneMask)的曝光设计(主要为薄膜晶体管沟道区域处)会使得经过曝光的光刻胶光罩形成的凹槽较为平缓,...
  • 制造半导体装置的方法与流程
    本发明的实施例是有关于一种制造半导体装置的方法。更具体来说,本发明的实施例是有关于一种具有垂直布线结构的半导体装置及一种制造所述半导体装置的方法,所述半导体装置是通过由所述装置的垂直布线结构提供的策略而设计。随着对用于小型化装置(例如便携式装置)或使计算能力更强大的高密度集成电路的需求增加...
  • 具有接触增强层的FDSOI半导体装置以及制造方法与流程
    本申请通常涉及在集成电路及半导体装置制造期间形成接触,尤其涉及在半导体制造的中间工艺方案过程中(也就是说,在晶体管装置的前端工艺制程以后且在加工多个金属互连层之前)形成接触。制造例如CPU(中央处理单元)、储存装置、专用集成电路(ASIC;applicationspecificinte...
  • 半导体装置结构的形成方法与流程
    本发明实施例涉及半导体制造技术,且特别有关于具有阻障层的半导体装置结构及其形成方法。半导体集成电路工业已经历快速的成长,在集成电路的材料和设计上的技术进展产生多个集成电路世代,每一个世代比先前的世代具有更小且更复杂的电路。然而,这些进展已经增加在集成电路的工艺和制造上的复杂度。在集...
  • 半导体结构的形成方法与流程
    本发明实施例关于改良间隙填充的金属化工艺。在制作集成电路时,由于接点开口所需的几何形状,充填接点开口的挑战性越来越高。如此一来,沉积金属以充填接点开口时难以不形成空洞或缝隙。接点中的空洞不符需求,因为空洞会增加接点电阻并负面地影响集成电路可信度。发明内容本发明一实施例提供的半导体结构的形成...
  • 半导体器件、制造方法和电子设备与流程
    本发明涉及集成电路制造,尤其涉及一种半导体器件、制造方法和电子设备。在集成电路中,在同一半导体衬底上需要组装很多元器件,这些元器件之间需要互相布线连接,而且随着集成度的提高和特征尺寸的减小,布线密度必须增加,所以用于元器件之间以及布线之间电气隔离的集成电路的表面钝化技术就显得非常重...
  • 形成半导体器件的方法以及封装件与流程
    本发明涉及半导体领域,并且更具体地,涉及形成半导体器件的方法以及封装件。集成电路的封装正在变得越来越复杂,其中,将多个器件管芯封装在同一封装件中以实现更多的功能。例如,已经将封装件结构开发成在同一封装件中包括诸如处理器和存储器立方体的多个器件管芯。封装件结构可以包括使用不同技术形成的器件管...
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