专利名称：漏电断路器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种漏电断路器，尤其是一种符合GB14048. 2-2001标准的 30mA漏电断路器。
背景技术：
中国专利文献CN2354282Y公开了一种显示式家用零断漏电断路器，由 主控电路、比较电路、试验电路等组成，其主控电路及可控硅均并联有压 敏电阻。
中国专利文献CN2276678Y公开了一种单相零断漏电保护器，机械脱扣 开关电磁铁线圈、单向可控硅元件和二极管顺序电连接结构的漏电保护器 中增加一或门电路，使或门电路中串联的二个二极管按导通方向一致与单 向可控硅元件、机械脱扣开关的电磁铁线圏顺序电连接，另一个二极管的 阴极与二个串联二极管之间的导线电连接，阳极与地线接线端子电连接。
上述现有技术的不足之处在于现有的漏电断路器的电^f兹兼容抗干扰 性能差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种抗千扰性能较强且不易发生误 动作的漏电断路器。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种漏电断路器，包括用于与 交流电源相连的桥式整流电路、用于设置在交流电源线路中的机械脱扣开 关、单向可控硅、以及由谐振电容和用于检测交流电源的第一电流互感器 构成的并联谐振回路；机械脱扣开关的电磁铁线圈设于所述桥式整流电路 的交流端的回路中；单向可控硅的A极与K极分别接所述桥式整流电路的 正极端和负极端，单向可控硅的G极与所述并联谐振回路相连；所述并联 谐振回路的谐振频率为50Hz。
上述技术方案中，所述并联谐振回路中第一电流互感器的电感量为不
小于2 OH;或，所述并联谐振回路中还包括与第 一电流互感器相串联的第二 电流互感器；第一电流互感器与第二电流互感器的电感量之和不小于20H。
上述技术方案中，还包括与所述并联谐振回路相并联的雪崩稳压管， 且雪崩稳压管的阳极与单向可控硅的G极相连。
上述技术方案中，还包括与所述单向可控硅的G极相连的低通虑波电 路；低通虑波电路包括第二电容、第三电阻、设于雪崩稳压管的阳极与 单向可控硅的G极之间的磁珠；第二电容和第三电阻串联后设于雪崩稳压 管的阴极与单向可控硅的G极之间。
本发明具有积极的效果(l)本发明中，并联谐振回路的谐振频率为 50 Hz,与我国的市交流电源的频率相同。当交流电源发生漏电时，电流互 感器获取的漏电信号也为50 Hz。根据并联谐振回路的特性，当并联谐振回 路处于谐振时，可使50 Hz的漏电信号的触发可控硅的效能处于最佳，以最 有效地触发可控珪，同时使50Hz以外的干扰信号的触发可控^f圭的效能较低， 从而可有效抑制50Hz以外的干扰信号。因此，本发明的漏电断路器抗干扰 性能较强且不易发生误动作。(2)现有技术中，当漏电断路器所在的"OV 市交流电的检测回路中存在一个强脉沖干扰信号(例如，250A,前沿为8微 秒，后沿为20微秒的尖脉冲)往往使电流互感器发生磁饱和，从而破坏了 并联谐振回路的谐振频率，因电流互感器磁饱和非线性产生的次谐波能触 发可控硅，从而使现有技术的漏电断路器误动作。而在本发明中，所述并 联谐振回路中采用的电流互感器的电感量不小于20H;以保证所述强脉沖 干扰信号(250A,前沿为8微秒，后沿为20微秒的尖脉冲)不会使电流互感 器发生磁饱和，防止了次谐波触发可控硅的情况。(3)本发明中，并联谐 振回路并联有雪崩稳压管，且雪崩稳压管的阳极与单向可控硅的G极相连。 所述雪崩稳压管的正向导通电压不高于O. 55V，且所述单向可控硅的触发电 压不低于O. 56V。当外界干扰信号入侵时，雪崩稳压管首先导通，迅速排除 了干扰信号，以防止其触发可控硅，而发生误动作。(4)本发明中，所述 单向可控硅SCR的G极相连有低通虑波电路，用于滤掉高频干扰信号，进一 步保证漏电断路器的可靠性。
图1为本发明的漏电断路器的电原理图。
(实施例1 )
见图l，本实施例的漏电断路器包括用于与交流电源相连的桥式整流 电路(包括二极管D1、 D2、 D3和D4)、用于设置在交流电源线路(即图l中 的标号1和2)中的机械脱扣开关K1、单向可控硅SCR、雪崩稳压管DW、低通 虑波电路、以及由谐振电容C1、用于检测交流电源的漏电信号的第一电流 互感器H1和第二电流互感器H2构成的并联谐振回路。
机械脱扣开关K1的电磁铁线圏KM设于所述桥式整流电路的交流端的回 路中；低通虑波电路与所述单向可控硅SCR的G极相连；在30毫安的断路器 中，低通虑波电路包括第二电容C2、第三电阻R3、设于雪崩稳压管DW的 阳极与单向可控硅SCR的G极之间的磁珠L1;第二电容C2和第三电阻R3串联 后设于雪崩稳压管DW的阴极与单向可控硅SCR的G极之间。低通虑波电路， 用于滤掉高频干扰信号，进一步保证漏电断路器的可靠性。
在50或70毫安的断路器中，》兹珠L1可更换为电阻，该电阻与第二电容 C2串联构成低通虑波器，磁珠L1更换为电阻可降低成本且不影响低通虑波 的效果。
单向可控硅SCR的A极与K极分别接所述桥式整流电路的正极端和负极 端，单向可控硅SCR的G极串联磁珠L1后与所述并联谐振回路相连。
第一电流互感器H1与第二电流互感器H2的电感量之和为20H，谐振电 容Cl的电容量为O. 5uF，因此所述并联谐振回路的谐振频率为50Hz。根据并 联谐振回路的特性，当并联谐振回路发生谐振时，可使50 Hz的干扰信号的 触发可控硅的效能处于最佳，以最有效地触发可控硅，同时使50Hz以外的 干扰信号的触发可控硅的效能较低，从而可有效抑制50Hz以外的干扰信号。 因此，本发明的漏电断路器抗干扰性能较强且不易发生误动作。相串联的 第 一 电流互感器H1与第二电流互感器H2的电感量之和为2 OH,从而使本实施 例的漏电断路器应用于220V市交流电中时，其中的电流互感器不易发生磁 饱和，防止了次谐波触发可控硅的情况。
雪崩稳压管DW与并联谐振回路相并联，且雪崩稳压管DW的阳极与单向 可控硅SCR的G极相连。所述雪崩稳压管DW的正向导通电压不高于O. 55V,且 所述单向可控硅SCR的触发电压不低于O. 56V。还包括与雪崩稳压管DW相并 联的第一电阻R1和第二电阻R2; Sl为实验按钮，使用时起模拟漏电的作用。 实验按钮S1串联降压电阻R4后与交流电源相连。
在其他实施例中，所述并联谐振回路中仅采用一个电感量为20H或2SH 的电流互感器，相应的谐振电容C1的电容量为0. 5uF或0. 4uF。
权利要求
1、一种漏电断路器，包括桥式整流电路、机械脱扣开关(K1)、单向可控硅(SCR)、以及由谐振电容(C1)和第一电流互感器(H1)构成的并联谐振回路；机械脱扣开关(K1)的电磁铁线圈(KM)设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；单向可控硅(SCR)的A极与K极分别接所述桥式整流电路的正极端和负极端，单向可控硅(SCR)的G极与所述并联谐振回路相连；其特征在于所述并联谐振回路的谐振频率为50Hz。
2、 权利要求l所述的漏电断路器，其特征在于所述并联谐振回路中 第一电流互感器(HI)的电感量不小于20H;或，所述并联谐振回路中还包 括与第一电流互感器(HI)相串联的第二电流互感器(H2);第一电流互感 器(HI)与第二电流互感器(H2)的电感量之和不小于20H。
3、 根据权利要求1或2所述的漏电断路器，其特征在于还包括与所 述并联谐振回路相并联的雪崩稳压管(DW)，且雪崩稳压管(DW)的阳极与 单向可控硅(SCR )的G极相连。
4、 根据权利要求3所述的漏电断路器，其特征在于所述雪崩稳压管 (DW)的正向导通电压不高于0.55V,且所述单向可控硅(SCR)的触发电压不低于0. 56V。
5、 根据权利要求3所述的漏电断路器，其特征在于还包括与所述单 向可控硅(SCR)的G极相连的低通虑波电路；低通虑波电路包括第二电 容(C2 )、第三电阻(R3 )、设于雪崩稳压管(DW)的阳极与单向可控硅(SCR ) 的G极之间的磁珠(LI);第二电容(C2)和第三电阻(R3)串联后设于 雪崩稳压管(DW)的阴极与单向可控硅(SCR)的G极之间。
全文摘要
为解决现有的漏电断路器的电磁兼容抗干扰性能较差的技术问题，本发明涉及一种漏电断路器。其包括用于与交流电源相连的桥式整流电路、用于设置在交流电源线路中的机械脱扣开关、单向可控硅、以及由谐振电容和用于检测交流电源的第一电流互感器构成的并联谐振回路；机械脱扣开关的电磁铁线圈设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；单向可控硅的A极与K极分别接所述桥式整流电路的正极端和负极端，单向可控硅的G极与所述并联谐振回路相连；所述并联谐振回路的谐振频率为50Hz。
文档编号H02H3/32GK101345407SQ20081012012
公开日2009年1月14日 申请日期2008年7月29日 优先权日2008年7月29日
发明者任海波, 陈双龙, 黄东海 申请人:人民电器集团有限公司