专利名称：一种突波吸收器的制作方法
技术领域：
本实用新型是关于一种吸收器，特别是指一种突波吸收器。
背景技术：
突波吸收器为一种电路保护组件，主要功能为保护电子电路免于遭受突波的干扰 与破坏，应用范围包括信息、通讯及消费性电子产品。 一般来说产生突波的主要原因有两 种一种是打雷闪电所产生的雷突波，而另一种是由电路开闭所造成的开闭突波。雷突波是 自然界所产生的，因此如果要设计电路，必须在容易产生打雷的地区使用，所以加入适当的 保护是有必要的；而开闭突波是电路导通的瞬间所产生的突波，当突波产生时，若电子电路 如果没有突波保护，那么电路就容易因开闭突波而产生误动作，甚至可能会导致电路因过 载而损坏，或因为长时间受到突波的干扰而使电子产品寿命降低。 请参阅图l，其为运用现有突波吸收器的电源供应器的电路图。如图所示，电源供 应器包含一变压器T，其具有一一次侧绕组Np与一二次侧绕组Ns，一次侧绕组Np的一端耦接 一输入端Vrc，以接收输入电源， 一次侧绕组NP的另一端耦接一开关Q，开关Q透过一电阻R 耦接于接地端。变压器T的二次侧绕组Ns的一端耦接一整流器D的一端， 一电容C耦接于 整流器D的另一端与二次侧绕组Ns的另一端之间，电容C。亦耦接于电源供应器的输出端， 电源供应器的输出端用于提供一输出电压V。。控制器1依据电阻R所产生的一感测讯号而 产生一控制讯号，以控制开关Q的导通与关闭，进而控制变压器T，以调整输出电压V。。输 入端Vrc更耦接控制器1以提供电源至控制器1。 由于开关Q会时常切换，如此即会在开关Q的汲极产生高压突波，当此电压突波发
生时，若无适当方式抑制则开关Q将会受到过高的电压突波而损坏开关Q，又或者突波的能
量影响开关Q的正常频率响应效能，而造成功率损失加大，因而使得开关Q的温度提升，则
开关Q的可靠度下降，导致整体电路运作的功率因素恶化。基于上述因素， 一突波吸收器5
耦接于输入端Vee与开关Q的汲极，以用于消除开关Q所产生的突波。突波吸收器5用于将突波导引至电源端，以消除突波。然而，由于突波所有产生的
能量全部经由突波吸收器5导引至电源端，又因突波吸收器5具有一定内阻，所以流经突波
吸收器5的较大的电流会转换成较高的温度，如此会造成较高的功率损失，使得有效的功
率下降，也因为突波吸收器5本体的温度上升而会致使突波吸收器5的可靠度下降。现今，
电子产品发展相当快速且功能相当广泛，如此功率越来越大且体积越来越小，所以工作频
率越来越广，且频率越来越高，因此传统的突波吸收器必须加大功率才足以应付所需，但相
对其无效功率损耗会越来越高，如此即不符合现今节能诉求，而切耗费电源。 因此，本实用新型即在针对上述问题而提出一种突波吸收器，不仅可改善突波吸
收器无效功率损耗及本身温度升高的缺点，又可增加消除突波的效能与其可靠度，以解决
上述问题。
发明内容本实用新型的目的之一，在于提供一种突波吸收器，其通过由增设一第三接脚而与 其它电子组件配合，以有效消除高压突波，以降低突波吸收器本身的温度并增加其可靠度。 本实用新型的目的之二，在于提供一种突波吸收器，其通过由整合第一二极管与 第二二极管而为单一电子组件，如此可减小用于电子基板中所占用的体积，以改善电路设 计应用以及加工的容易度。 为实现本实用新型的目的及解决其技术问题是通过以下技术方案来实现的。
本实用新型所述的一种突波吸收器，其包含有一第一二极管，具有一第一接脚； 一第二二极管，连接于该第一二极管，且具有一第二接脚；以及一第三接脚，设置于该第 一二极管与该第二二极管的接合处。 本实用新型的有益效果是本实用新型通过由于第一二极管与第二二极管的接合 处设置第三接脚，其可利于直接导引突波能量，而可降低突波吸收器本身的温度，如此即可 提升突波吸收器的可靠度。
C电容电容c2电容电容D整流器NP一次侧绕组Ns二次侧绕组Q开关R电阻R2电阻T变压器v0输出电压vcc输入端
具体实施方式为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较 佳的实施例及配合详细的说明，说明如下 首先，请参阅图2，为本实用新型突波吸收器运用于电源供应器的一较佳实施例的 电路图。如图所示，电源供应器包含变压器T，其具有一次侧绕组Np与二次侧绕组K，一次 侧绕组NP耦接输入端Vcc以接收输入电源，以在二次侧绕组Ns提供输出电压V。。变压器T 的二次侧绕组Ns耦接整流器D与电容Q，电容Q用于过滤输出电压V。。此外， 一次侧绕组 NP耦接开关Q，开关Q透过电阻R耦接于接地端控制器1，以依据电阻R所产生的感测讯号 而产生控制讯号，以控制开关Q的导通与关闭，进而控制变压器T，以调整输出电压V。。输 入端Vrc更耦接控制器1以提供电源至控制器1。 此外，开关Q的汲极与输入端V①之间耦接本实用新型的突波吸收器10，以用于消 除开关Q所产生的高压突波。本实用新型的突波吸收器10具有三只接脚，以通过由第三接 脚连接于一电阻R2与一电容C2，而电阻R2与电容C2并耦接于输入端Vrc。由于电容C2位于 高频状态下时可视为短路，故突波吸收器io可将大部分的突波能量用较低的损耗引导至 输入端Vrc，如此即可降低发生在突波吸收器10上的损耗，因而可大幅降低突波吸收器10的 温度，进而可提高突波吸收器10的可靠度。电容C2的电容值可依据整体电路的需求而调 整，所以运用本实用新型的突波吸收器10比现有突波吸收器具有较大的适用范围，亦可提 高整体电路的有效功率因素。另外，因本实用新型的突波吸收器IO为单一电子组件，且因 具有较低的本体温度，所以可作成插件式封装(DIP)型式之外，亦可封装成贴片包装(SMD) 型式，而更进一步降低突波吸收器10所占的体积。 请参阅图3，为本实用新型突波吸收器的一较佳实施例的电路图。如图所示，本实 用新型的突波吸收器10包含一第一二极管12、一第一接脚13、一第二二极管16、一第二接 脚18与一第三接脚19。第一接脚13连接于第一二极管12的正极，第二接脚18连接于第 二二极管16的正极，而第一二极管12的负极连接于第二二极管16的负极。第三接脚19 耦接于第一二极管12与第二二极管16的接合处。第二二极管16的较佳实施例可为一瞬 时电压二极管(Transient Voltage Su卯ressor， TVS)，又或者第一二极管12可为瞬时电 压二极管。 请参阅图4，为本实用新型突波吸收器的第一较佳实施例的结构图。如图所示，本 实用新型的突波吸收器10的第一二极管12包含一 P极121与一 N极123，第二二极管16 包含一P极161与一N极163，第一二极管12与第二二极管16的P极121、 161即为正极， N极123、 163为负极。第一二极管12的N极123与第二二极管16的N极163相连接，即第一二极管12的负极连接于第二二极管16的负极。第一接脚13连接于第一二极管12的P 极121，第二接脚18连接于第二二极管16的P极161。第三接脚19设置于第一二极管12 的N极123与第二二极管16的N极163的接合处。由于本实用新型的突波吸收器10的第 三接脚19设置于第一二极管12与第二二极管16的接合处，且因第一二极管12与第二二 极管16产生热能的主要位置为PN极的接面，所以本实用新型突波吸收器10的第三接脚19 可有效导引出第一二极管12与第二二极管16所产生的热能，而降低温度，如此突波吸收器 10即会因为温度下降，而提高其可靠度。 请参阅图5，为本实用新型突波吸收器的第二较佳实施例的结构图。如图所示，此 实施例与上一实施例的不同之处在于此实施例的突波吸收器10更包含一散热层38，其连 接于第一二极管12的N极123与第二二极管16的N极163，而第三接脚19连接于散热层 38，如此可通过由散热层38更提高突波吸收器10的散热效果。散热层38可为一散热片。 请参阅图6，为本实用新型突波吸收器的第三较佳实施例的结构图。如图所示，本 实用新型的突波吸收器10的第一二极管12与第二二极管16包含一 N型井127、一第一 P 型掺杂区125与一第二 P型掺杂区165。第一 P型掺杂区125与第二 P型掺杂区165位于 N型井127且相互间隔。第一接脚13连接于第一P型掺杂区125，第二接脚18连接于第二 P型掺杂区165，第三接脚19连接于N型井127。 请参阅图7，为本实用新型突波吸收器的第四较佳实施例的结构图。请一并参阅图
6，如图所示，此实施例不同于图6实施例之处在于此实施例更具有一散热层40，其设置于N
型井127，而第三接脚19连接于散热层40，以利于突波吸收器10散热。 请参阅图8，为本实用新型突波吸收器的另一较佳实施例的电路图。请一并参阅图
3，如图所示，此实施例不同于图3实施例之处在于此实施例的突波吸收器10的第一二极管
12的正极与第二二极管16的正极相连接，且第三接脚19设置于第一二极管12与第二二极
管12接合处。 请参阅图9，为本实用新型突波吸收器的第五较佳实施例的结构图。请一并参阅 图4，如图所示，此实施例不同于图4实施例之处在于此实施例将第一二极管12的P极121 与第二二极管16的P极161相连接，也就是第一二极管12的正极连接第二二极管16的正 极。第一接脚13连接于第一二极管12的N极123，第二接脚18连接于第二二极管16的N 极163。第三接脚19设置于第一二极管12的P极121与第二二极管16的P极161的接合 处。 请参阅图IO，为本实用新型突波吸收器的第六较佳实施例的结构图。请一并参阅
图5，如图所示，此实施例不同于图5实施例之处在于此实施例第一二极管12的P极121与
第二二极管16的P极161连接散热层38。第一接脚13连接于第一二极管12的N极123，
第二接脚18连接于第二二极管18的N极163，第三接脚19设连接于散热层38。 请参阅图ll，为本实用新型突波吸收器的第七较佳实施例的结构图。请一并参阅
图6，如图所示，此实施例不同于图6实施例之处在于此实施例的第一二极管12与第二二
极管16包含一 P型井128、一第一 N型掺杂区129与第二 N型掺杂区169，第一 N型掺杂区
129与第二 N型掺杂区169位于P型井128并相互间隔。第一接脚13连接于第一 N型掺杂
区129，第二接脚18连接于第二N型掺杂区169，第三接脚19连接于P型井128。 请参阅图12为本实用新型突波吸收器的第八较佳实施例的结构图。请一并参阅CN 201450324 U
图ll，如图所示，此实施例不同于图11实施例之处在于此实施例增加一散热层40，其连接
在P型井128，而第三接脚19设置于散热层40，以利于突波吸收器10散热。 综上所述，本实用新型突波吸收器包含第一二极管、第二二极管与第三接脚，第三
接脚设置于第一二极管与第二二极管接合处，其可利于导引出突波能量，如此即可降低突
波吸收器本身的温度，也可增加突波吸收器的可靠度，此外本实用新型的突波吸收器更可
增加散热层，以提高散热效果。 综上所述，仅为本实用新型的一较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型实施 的范围，凡依本实用新型权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为之均等变化与修 饰，均应包括于本实用新型的权利要求范围内。
权利要求一种突波吸收器，其特征在于，其包含有一第一二极管，具有一第一接脚；一第二二极管，连接于该第一二极管，且具有一第二接脚；以及一第三接脚，设置于该第一二极管与该第二二极管的接合处。
2. 根据权利要求l所述的一种突波吸收器，其特征在于，其中该第一二极管或该第二二极管为一瞬时电压二极管。
3. 根据权利要求l所述的一种突波吸收器，其特征在于，其中该第一二极管与该第二二极管分别包含一正极与一负极，且该第三接脚连接于该第一二极管的该负极与该第二二极管的该负极的接合处，该第一二极管的该第一接脚连接于该第一二极管的该正极，该第二二极管的该第二接脚连接于该第二二极管的该正极。
4. 根据权利要求l所述的一种突波吸收器，其特征在于，其中该第一二极管与该第二二极管分别包含一正极与一负极，且该第三接脚连接于该第一二极管的该正极与该第二二极管的该正极的接合处，该第一二极管的该第一接脚连接于该第一二极管的该负极，该第二二极管的该第二接脚连接于该第二二极管的该负极。
5. 根据权利要求1所述的一种突波吸收器，其特征在于，更包含一散热层，连接于该第一二极管的一负极与该第二二极管的一负极，且该第三接脚与该散热层相连接。
6. 根据权利要求1所述的一种突波吸收器，其特征在于，更包含一散热层，连接于该第一二极管的一正极与该第二二极管的一正极，且该第三接脚与该散热层相连接。
7. 根据权利要求l所述的一种突波吸收器，其特征在于，其中该第一二极管与该第二二极管包含一N型井，耦接该第三接脚；一第一 P型掺杂区，位于该N型井；以及一第二 P型掺杂区，位于该N型井并与该第一 P型掺杂区间隔。
8. 根据权利要求l所述的一种突波吸收器，其特征在于，其中该第一二极管与该第二二极管包含一P型井，耦接该第三接脚；一第一 N型掺杂区，位于该P型井；以及一第二 N型掺杂区，位于该P型井并与该第一 N型掺杂区间隔。
9. 根据权利要求l所述的一种突波吸收器，其特征在于，其中该第一二极管与该第二二极管包含一N型井；一散热层，耦接于该N型井，并耦接该第三接脚；一第一 P型掺杂区，位于该N型井；以及一第二 P型掺杂区，位于该N型井，并与该第一 P型掺杂区间隔。
10. 根据权利要求1所述的一种突波吸收器，其特征在于，其中该第一二极管与该第二二极管包含一P型井；一散热层，耦接于该P型井，并耦接该第三接脚；一第一 N型掺杂区，位于该P型井；以及一第二 N型掺杂区，位于该P型井，并与该第一 N型掺杂区间隔。
专利摘要本实用新型是关于一种突波吸收器，其包含一第一二极管、一第二二极管与一第三接脚，第一二极管具有一第一接脚，第二二极管连接于第一二极管，且具有一第二接接脚，第三接脚设置于第一二极管与第二二极管的接合处。本实用新型将第三接脚耦接于第一二极管与第二二极管接合处，其可有效引出突波能量，而有效降低突波吸收器本身的温度，进而提升突波吸收器的可靠度。
文档编号H02H9/04GK201450324SQ200920003840
公开日2010年5月5日 申请日期2009年2月9日 优先权日2009年2月9日
发明者廖哲杏 申请人:典亮科技有限公司