专利名称：半导体制冷片电流换向电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种半导体制冷片电流换向电路。
背景技术：
半导体制冷片是一种工作在低压大电流下的器件，目前由半导体制冷片搭建的半 导体制冷片电流换向电路可以用于恒温电路，其多是采用场效应管或者继电器组成的桥式 控制电路串接在半导体制冷片上的方式完成的。如图1所示的半导体制冷片电流换向电路，其采用单路输出电源供电，即由Vin供 电，当需要加热时，控制器10发出控制信号使继电器Kl和继电器K4闭合，使继电器K2和继
电器K3断开，这时通过半导体制冷片TE的电流为。假设令继电器Kl为常开，则通过控
制继电器K4的占空比可以调节/皿的大小，进而控制半导体制冷片TE的加热功率。同理， 当需要制冷时，控制器10发出控制信号使继电器K2和继电器K3闭合，使继电器Kl和继电 器K4断开，这时通过半导体制冷片TE的电流为Zba。假设令继电器K2为常开，则通过控制
继电器K3的占空比可以调节4a的大小，进而控制半导体制冷片TE的制冷功率。可见，图
1所示半导体制冷片电流换向电路，由于采用继电器组成的桥式控制电路方式，因此反应速 度比较慢，控制精度较差。若采用场效应管组成的桥式控制电路方式，同样需要四个场效应管，电路反应速 度和控制精度较图1所示电路有所改善，但是，由于场效应管上会产生较大的导通损耗，因 此由场效应管组成半导体制冷片电流换向电路加热制冷效率不高。
实用新型内容为此，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种半导体制冷片电流换向电路， 使其电路损耗小，有效提高电路的加热制冷效率。于是，本实用新型提供了一种半导体制冷片电流换向电路，正电压通过MOS管Ql 与半导体制冷片B端连接，负电压通过MOS管Q2与半导体制冷片B端连接，半导体制冷片 的A端接地，MOS管Ql和MOS管Q2导通与否由控制器驱动。所述正电压和负电压由谐振变压器提供，其次级中间抽头接地。所述变压器次级一端接二极管Dl正极，该二极管负极通过电感Ll与MOS管Ql连 接，变压器次级另一端接二极管D2负极，该二极管正极通过电感L2与MOS管Q2连接，电感 Ll和电感L2两端分别连接有电容，电容的另一端接地。本实用新型所述半导体制冷片电流换向电路，通过使用正电压和负电压双路输出 电源替代背景技术中所述单路输出电源供电，仅用两个MOS管就可以实现电流的换向，简 化了电路结构，降低了电路损耗，有效提高了电路的加热制冷效率。
图1为现有技术中半导体制冷片电流换向电路图；图2为本实用新型实施例所述半导体制冷片电流换向电路图。
具体实施方式
下面，结合附图对本实用新型进行详细描述。如图2所示，本实施例提供了一种半导体制冷片电流换向电路，正电压Ul通过MOS 管Ql与半导体制冷片B端连接，负电压U2通过MOS管Q2与半导体制冷片B端连接，半导 体制冷片的A端接地，MOS管Ql和MOS管Q2导通与否由控制器20驱动。其中，正电压Ul和负电压U2由谐振变压器提供，其次级中间抽头接地。当然，正 电压Ul和负电压U2也可以由LM78系列和LM79系列线性稳压电路提供或者使用反激线路 提供，这是本领域普通技术人员可以实现的，在此不详细描述。如图2所示，变压器次级一端接二极管Dl正极，该二极管负极通过电感Ll与MOS 管Ql连接，变压器次级另一端接二极管D2负极，该二极管正极通过电感L2与MOS管Q2连 接，电感Ll和电感L2两端分别连接有电容，电容的另一端接地。其中，RF为电流取样电阻。当目标环境温度低于设定值时，MOS管Q2断开，MOS管Ql导通，电流方向为/M，
半导体制冷片TE加热。通过检测环境温度与设定温度差值和电流取样电阻RF上反馈电流 信号来决定控制器20输出给MOS管Ql的驱动信号占空比以达到控流加热的目的。当目标环境温度高于设定值时，MOS管Ql断开，MOS管Q2导通，电流方向为/迎，
半导体制冷片TE制冷。通过检测环境温度与设定温度差值和电流取样电阻RF上反馈电流 信号来决定控制器20输出给MOS管Q2的驱动信号占空比以达到控流制冷的目的。当目标环境温度处于设定值允许误差范围内时，MOS管Ql和MOS管Q2断开，半导 体制冷片TE不工作。可见，本实施例所述半导体制冷片电流换向电路，通过使用正电压和负电压双路 输出电源替代背景技术中所述单路输出电源供电，仅用两个MOS管就实现了电流的换向， 简化了电路结构，降低了电路损耗，有效提高了电路的加热制冷效率。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本 实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型 的保护范围之内。
权利要求1.一种半导体制冷片电流换向电路，其特征在于，正电压通过MOS管Ql与半导体制冷 片B端连接，负电压通过MOS管Q2与半导体制冷片B端连接，半导体制冷片的A端接地，MOS 管Ql和MOS管Q2导通与否由控制器驱动。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述正电压和负电压由谐振变压器提供， 其次级中间抽头接地。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述变压器次级一端接二极管Dl正极，该 二极管负极通过电感Ll与MOS管Ql连接，变压器次级另一端接二极管D2负极，该二极管 正极通过电感L2与MOS管Q2连接，电感Ll和电感L2两端分别连接有电容，电容的另一端 接地。
专利摘要本实用新型提供了一种半导体制冷片电流换向电路，正电压通过MOS管Q1与半导体制冷片B端连接，负电压通过MOS管Q2与半导体制冷片B端连接，半导体制冷片的A端接地，MOS管Q1和MOS管Q2导通与否由控制器驱动。本实用新型所述半导体制冷片电流换向电路，通过使用正电压和负电压双路输出电源替代背景技术中所述单路输出电源供电，仅用两个MOS管就可以实现电流的换向，简化了电路结构，降低了电路损耗，有效提高了电路的加热制冷效率。
文档编号H02M7/217GK201904735SQ20102065836
公开日2011年7月20日 申请日期2010年12月14日 优先权日2010年12月14日
发明者宋贵奇, 蔡春潮, 赵唐武 申请人:康佳集团股份有限公司