专利名称：一种单管全桥逆变电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种单管全桥逆变电路，属于IGBT技术领域。
背景技术：
传统的感应加热电源全桥逆变方案普遍采用IGBT模块的形式，IGBT模块不仅体积大，而且成本高，对于小功率的感应加热而言，在装配空间小，成本相对又受限的情况下无法满足用户的需求。
发明内容本实用新型的目的是为解决传统的感应加热电源全桥逆变技术中，采用IGBT模块的成本较高、体积较大的问题，进而提供一种单管全桥逆变电路。本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的一种单管全桥逆变电路，包括四个IGBT组成的逆变桥和一个谐振回路，其中的第一个IGBT和第三个IGBT组成上桥臂，其中的第二个IGBT和第四个IGBT组成下桥臂，所述上桥臂和下桥臂分别串联在谐振回路的两端。本实用新型需通过四个IGBT逆变桥组成全桥逆变回路，使全桥逆变回路的结构变得简单，并减少了制造成本。
图1为本实用新型的具体实施方式
提供的单管全桥逆变电路的结构示意图。
具体实施方式
本具体实施方式
提供了一种单管全桥逆变电路，如图1所示，包括四个IGBT和一个谐振回路，其中的第一个IGBT和第三个IGBT组成上桥臂，其中的第二个IGBT和第四个 IGBT组成下桥臂，所述上桥臂和下桥臂分别串联在谐振回路的两端。具体的，在图1中，四个IGBT单管组逆变桥，其中Ql和Q3为上桥臂，Q2和Q4为下桥臂，在正半周，Ql和Q4同时导通，母线电压加在电感和电容组成的串联谐振回路上，在负半周，Q2和Q3同时导通，母线电压反方向加在串联谐振回路上。图中的R1、R2、R3、和R4 为驱动电阻，R5、R6、R7和R8为驱动回路的下拉电阻，确保IGBT在加有母线电压而没有驱动信号的情况下不导通。C1、C2、C3和C4为缓冲电容，用于吸收在IGBT开关过程中因杂散电感产生的尖峰电压，电阻R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15和R16为缓冲电容的放电电阻。 电容C5和电感INDUCT0R2组成串联谐振回路。以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
权利要求1. 一种单管全桥逆变电路，其特征在于，包括四个IGBT组成的逆变桥和一个谐振回路，其中的第一个IGBT和第三个IGBT组成上桥臂，其中的第二个IGBT和第四个IGBT组成下桥臂，所述上桥臂和下桥臂分别串联在谐振回路的两端。
专利摘要本实用新型提供了一种单管全桥逆变电路，属于IGBT技术领域。本实用新型包括四个IGBT组成的逆变桥和一个谐振回路，其中的第一个IGBT和第三个IGBT组成上桥臂，其中的第二个IGBT和第四个IGBT组成下桥臂，所述上桥臂和下桥臂分别串联在谐振回路的两端。本实用新型需通过四个IGBT组成全桥逆变回路，使全桥逆变回路的结构变得简单，并减少了制造成本。
文档编号H02M7/48GK202221968SQ20112030945
公开日2012年5月16日 申请日期2011年8月22日 优先权日2011年8月22日
发明者阳勇 申请人:阳春丽