一种自激式降压电路及灯具的制作方法
【专利摘要】本发明适用于灯具领域，尤其涉及一种自激式降压电路及灯具。在本发明实施例中，本自激式降压电路采用独立式元器件构成，结构简单可靠、低成本、工作稳定，解决了现在的降压电路存在压差的问题，提高了降压电路工作效率，适合为各种外界电源的电子产品做简易的降压电路。
【专利说明】一种自激式降压电路及灯具
【技术领域】
[0001]本发明属于灯具领域，尤其涉及一种自激式降压电路及灯具。
【背景技术】
[0002]降压电路是一种基本的DC/DC变换器，广泛应用在各种供电电路中。
[0003]目前很多电路中需要用到降压功能，但一般的模拟电路对于较大压差的降压电路不适应，而且现在的降压电路工作效率低，结构复杂。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种自激式降压电路，旨在解决现在的降压电路存在压差、效率低和结构复杂的问题。
[0005]本发明是这样实现的，一种自激式降压电路，所述自激式降压电路包括:
[0006]电阻Rl、电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、储能电容Cl、滤波电容C2、电感L1、二
极管D1、第一开关管、第二开关管和第三开关管；
[0007]所述第一开关管的高电位端为输入端，所述第一开关管的低电位端接电感LI的第一端，所述电感LI的第二端为输出端，所述第一开关管的高电位端通过所述电阻Rl接第三开关管的高电位端，所述第三开关管的低电位端接地，所述储能电容Cl连接在所述第三开关管的高电位端和低电位端之间，所述第二开关管的高电位端通过所述电阻R2接第一开关管的控制端，所述第二开关管的低电位端接地，所述第二开关管的控制端接第三开关管的高电位端，所述二极管Dl的阴极接第一开关管的低电位端，所述二极管Dl的阳极接地，所述分压电阻R3和分压电阻R4串接在所述电感LI的第二端与地之间，所述分压电阻R3和分压电阻R4的公共连接端接第三开关管的控制端，所述滤波电容C2连接在电感LI的第二端和地之间。
[0008]本发明的另一目的在于提供一种灯具，所述灯具包括上述的自激式降压电路。
[0009]在本发明中，本自激式降压电路采用独立式元器件构成，结构简单可靠、低成本、工作稳定，解决了现在的降压电路存在压差的问题，提高了降压电路工作效率，适合为各种外界电源的电子产品做简易的降压电路。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本发明第一实施例提供的自激式降压电路的结构图；
[0011]图2是本发明第二实施例提供的自激式降压电路的结构图。
【具体实施方式】
[0012]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。[0013]图1示出了本发明第一实施例提供的自激式降压电路的结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，详述如下。
[0014]一种自激式降压电路，所述自激式降压电路包括:
[0015]电阻Rl、电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、储能电容Cl、滤波电容C2、电感L1、二极管D1、第一开关管100、第二开关管200和第三开关管300 ；
[0016]所述第一开关管100的高电位端为输入端，所述第一开关管100的低电位端接电感LI的第一端，所述电感LI的第二端为输出端，所述第一开关管100的高电位端通过所述电阻Rl接第三开关管300的高电位端，所述第三开关管300的低电位端接地，所述储能电容Cl连接在所述第三开关管300的高电位端和低电位端之间，所述第二开关管200的高电位端通过所述电阻R2接第一开关管100的控制端，所述第二开关管200的低电位端接地，所述第二开关管200的控制端接第三开关管300的高电位端，所述二极管Dl的阴极接第一开关管100的低电位端，所述二极管Dl的阳极接地，所述分压电阻R3和分压电阻R4串接在所述电感LI的第二端与地之间，所述分压电阻R3和分压电阻R4的公共连接端接第三开关管300的控制端，所述滤波电容C2连接在电感LI的第二端和地之间。
[0017]作为本发明一实施例，所述第一开关管100采用PNP型三极管Ql，所述PNP型三极管Ql的基极为第一开关管100的控制端，所述PNP型三极管Ql的发射极为第一开关管100的高电位端，所述PNP型三极管Ql的集电极为第一开关管100的低电位端。
[0018]作为本发明一实施例，所述第二开关管200采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的基极为第二开关管200的控制端，所述NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管200的高电位端，所述NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管200的低电位端。
[0019]作为本发明一实施例，所述第三开关管300采用NPN型三极管Q3，所述NPN型三极管Q3的基极为第三开关管300的控制端，所述NPN型三极管Q3的集电极为第三开关管300的高电位端，所述NPN型三极管Q3的发射极为第三开关管300的低电位端。
[0020]图2示出了本发明第二实施例提供的自激式降压电路的结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，详述如下。
[0021]作为本发明一实施例，所述第一开关管100采用P型MOS管Q4，所述P型MOS管Q4的栅极为第一开关管100的控制端，所述P型MOS管Q4的源极为第一开关管100的高电位端，所述P型MOS管Q4的漏极为第一开关管100的低电位端。
[0022]作为本发明一实施例，所述第二开关管200采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管200的控制端，所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管200的高电位端，所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管200的低电位端。
[0023]作为本发明一实施例，所述第三开关管300采用N型MOS管Q6，所述N型MOS管Q6的栅极为第三开关管300的控制端，所述N型MOS管Q6的漏极为第三开关管300的高电位端，所述N型MOS管Q6的源极为第三开关管300的低电位端。
[0024]本发明一实施例还包括一种灯具，所述灯具包括上述的自激式降压电路。
[0025]下面以第一开关管100采用PNP型三极管Ql、第二开关管200采用NPN型三极管Q2和第三开关管300采用NPN型三极管Q3为例，说明自激式降压电路的工作原理:
[0026]1、当输入端上电时，电压经过电阻Rl给储能电容Cl充电，当充电至0.7V时，NPN型三极管Q2导通，将PNP型三极管Ql基极通过电阻R2拉低，从而使PNP型三极管Ql导通，降压电路工作，在输出端输出低电压；
[0027]2、输出端经过分压电阻R3、分压电阻R4分压取样(R3、R4取值设置时将根据公式:VL*R4/ (R3+R4) =0.7V)后反馈到NPN型三极管Q3基极，使NPN型三极管Q3饱和导通，使储能电容Cl两端放电至0.3V, NPN型三极管Q2趋于截止，NPN型三极管Q3也截止，降压电路无输出，输出端为OV ；
[0028]3、当输出端为OV时，NPN型三极管Q3又截止，输入端通过电阻Rl给储能电容Cl充电，重复第1-2步的动作循环，PNP型三极管Ql连续的开关，这样在输出端就出现高/低电平的方波，经过滤波电容C2平滑滤波后成为所需的直流电压。
[0029]在本发明实施例中，本自激式降压电路采用独立式元器件构成，结构简单可靠、低成本、工作稳定，解决了现在的降压电路存在压差的问题，提高了降压电路工作效率，适合为各种外界电源的电子产品做简易的降压电路。
[0030]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种自激式降压电路，其特征在于，所述自激式降压电路包括: 电阻Rl、电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、储能电容Cl、滤波电容C2、电感L1、二极管D1、第一开关管、第二开关管和第三开关管； 所述第一开关管的高电位端为输入端，所述第一开关管的低电位端接电感LI的第一端，所述电感LI的第二端为输出端，所述第一开关管的高电位端通过所述电阻Rl接第三开关管的高电位端，所述第三开关管的低电位端接地，所述储能电容Cl连接在所述第三开关管的高电位端和低电位端之间，所述第二开关管的高电位端通过所述电阻R2接第一开关管的控制端，所述第二开关管的低电位端接地，所述第二开关管的控制端接第三开关管的高电位端，所述二极管Dl的阴极接第一开关管的低电位端，所述二极管Dl的阳极接地，所述分压电阻R3和分压电阻R4串接在所述电感LI的第二端与地之间，所述分压电阻R3和分压电阻R4的公共连接端接第三开关管的控制端，所述滤波电容C2连接在电感LI的第二端和地之间。
2.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第一开关管采用PNP型三极管Ql，所述PNP型三极管Ql的基极为第一开关管的控制端，所述PNP型三极管Ql的发射极为第一开关管的高电位端，所述PNP型三极管Ql的集电极为第一开关管的低电位端。
3.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第一开关管采用P型MOS管Q4，所述P型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端，所述P型MOS管Q4的源极为第一开关管的高电位端，所述P型MOS管Q4的漏极为第一开关管的低电位端。
4.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第二开关管采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的基极为第二开关管的控制端，所述NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端，所述NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。
5.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第二开关管采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端，所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端，所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。
6.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第三开关管采用NPN型三极管Q3，所述NPN型三极管Q3的基极为第三开关管的控制端，所述NPN型三极管Q3的集电极为第三开关管的高电位端，所述NPN型三极管Q3的发射极为第三开关管的低电位端。
7.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第三开关管采用N型MOS管Q6，所述N型MOS管Q6的栅极为第三开关管的控制端，所述N型MOS管Q6的漏极为第三开关管的高电位端，所述N型MOS管Q6的源极为第三开关管的低电位端。
8.一种灯具，其特征在于，所述灯具包括如权利要求1-7任一项所述的自激式降压电路。
【文档编号】H02M3/155GK103904887SQ201210580486
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月28日 优先权日:2012年12月28日
【发明者】周明杰, 管伟芳 申请人:深圳市海洋王照明工程有限公司, 海洋王照明科技股份有限公司