专利名称：高速数字开关阀驱动器的制作方法
技术领域：
本实用新型主要涉及开关电源领域，尤其涉及一种高速数字开关阀驱动器。
背景技术：
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关晶体管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电源的开关阀的通断速率决定了开关电源的性能，然而开关阀的通断由驱动器决定。
实用新型内容本实用新型目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种能够控制开关电源的开 关阀快速通断的高速数字开关阀驱动器。本实用新型是通过以下技术方案实现的高速数字开关阀驱动器，包括有一个开关阀，所述开关阀包括有阀体，阀体内设有阀芯，阀体的两端分别安装有一个空腔的端盖，两个端盖内各设有一个电磁线包，所述的电磁线包分别引出一个接线端子于阀体外，其特征在于还包括有一个金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，所述MOSFET并联有负责充放电的电容后再并联二极管一，所述二极管一还串联一个二极管二，二极管一的负极与二极管二的正极连接，所述MOSFET的栅极连接源极再连接电容的一端后与二极管一的正极共同接地，所述MOSFET的漏极与电容的另一端连接再接在二极管一与二极管二之间后接开关阀的其中一个接线端子，所述二极管二的负极接开关阀的另一个接线端子。所述的高速数字开关阀驱动器，其特征在于所述二极管二的负极还接有一个60V的直流电压。本实用新型的工作原理是M0SFET管导通时，一方面给电容充电，一方面导通二极管二，给开关阀的一端一个脉冲，电容充电完毕，MOSFET管截止；电容放电，二极管一导通，给开关阀的另一端一个脉冲；从而，实现开关阀的连续快速通断。本实用新型的优点是本实用新型结构简单，实现了开关电源的开关阀的快速通断。
图I为本实用新型的开关阀的结构示意图。图2为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
如图I、图2所示，高速数字开关阀驱动器，包括有一个开关阀，开关阀包括有阀体1，阀体I内设有阀芯2，阀体I的两端分别安装有一个空腔的端盖3，两个端盖3内各设有一个电磁线包4，电磁线包4分别引出一个接线端子5、6于阀体外，还包括有一个金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET) 7，MOSFET并联有负责充放电的电容8后再并联二极管一 9，二极管一 9还串联一个二极管二 10，二极管一 9的负极与二极管二 10的正极连接，MOSFET的栅极连接源极再连接电容8的一端后与二极管一 9的正极共同接地，MOSFET的漏 极与电容8的另一端连接再接在二极管一 9与二极管二 10之间后接开关阀的其中一个接线端子5，二极管二 10的负极接开关阀的另一个接线端子6。二极管二 10的负极还接有一个60V的直流电压。
权利要求1.一种高速数字开关阀驱动器，包括有一个开关阀，所述开关阀包括有阀体，阀体内设有阀芯，阀体的两端分别安装有一个空腔的端盖，两个端盖内各设有一个电磁线包，所述的电磁线包分别引出一个接线端子于阀体外，其特征在于还包括有一个金属-氧化层-半导体-场效晶体管MOSFET，所述MOSFET并联有负责充放电的电容后再并联二极管一，所述二极管一还串联一个二极管二，二极管一的负极与二极管二的正极连接，所述MOSFET的栅极连接源极再连接电容的一端后与二极管一的正极共同接地，所述MOSFET的漏极与电容的另一端连接再接在二极管一与二极管二之间后接开关阀的其中一个接线端子，所述二极管二的负极接开关阀的另一个接线端子。
2.根据权利要求I所述的高速数字开关阀驱动器，其特征在于所述二极管二的负极还接有一个60V的直流电压。
专利摘要本实用新型公开了一种高速数字开关阀驱动器，包括有一个开关阀，开关阀包括有阀体，阀体内设有阀芯，阀体的两端分别安装有一个空腔的端盖，端盖内各设有一个电磁线包，电磁线包分别引出一个接线端子于阀体外，还包括有一个MOSFET管，MOSFET并联有负责充放电的电容后再并联二极管一，二极管一还串联一个二极管二，二极管一的负极与二极管二的正极连接，MOSFET的栅极连接源极再连接电容的一端后与二极管一的正极共同接地，MOSFET的漏极与电容的另一端连接再接在二极管一与二极管二之间后接开关阀的其中一个接线端子，二极管二的负极接开关阀的另一个接线端子。本实用新型结构简单，实现了开关电源的开关阀的快速通断。
文档编号H02M1/00GK202550862SQ201220013339
公开日2012年11月21日 申请日期2012年1月12日 优先权日2012年1月12日
发明者于彩新 申请人:安徽博一流体传动股份有限公司