直流电高电压输入保护电路的制作方法

文档序号:7480895阅读:230来源:国知局
专利名称:直流电高电压输入保护电路的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种电路,尤其是指一种高电压输入保护电路。
技术背景熟知的,电子产品均有一个系统额定输入电压范围,其取决于一般供电电压标准及电子产品内部的芯片情况,然而随着产品的多元化,现有用户一家有多个充电器已不少见,而充电接头的品种往往也会有重复的。这就导致不同电压的充电器之间容易产生混用,然而一旦所插接的充电器电压高于对应电子产品的正常使用电压范围的电源时,极易导致广品的损坏。

实用新型内容本实用新型的目的在于克服了上述缺陷,提供一种供直流供电产品保护其不被插入的高电压损坏的直流电高电压输入保护电路。本实用新型的目的是这样实现的一种直流电高电压输入保护电路,它包括电源输出调整模块、电源输出控制模块及电源输出开关模块;所述电源输出调整模块接入输入电压,电源输出调整模块连接电源输出控制模块,电源输出控制模块连接电源输出开关模块,电源输出开关模块输出正常输出电压;电源输出调整模块根据输入电压是否符合设定从而启动电源输出控制模块的开/关,电源输出开关模块的正常输出电压根据电源输出控制模块开/关对应导通/关断;上述结构中,所述电源输出开关模块包括P沟道MOS管;上述结构中,所述电源输出控制模块包括NPN型三极管;所述电源输出调整模块包括稳压管;所述稳压管负极连接输入电压,稳压管正极连接三极管基极,三极管的集电极与P沟道MOS管的栅极相连,三极管发射极接地,所述P沟道MOS管的漏极输出所述正常输出电压;上述结构中,所述输入电压还通过电阻后连接三极管的集电极;所述输入电压连接P沟道MOS管的源极;上述结构中,所述P沟道MOS管的源极与栅极之间还串接有Rl第一电阻;上述结构中,所述稳压管与三极管之间还串接有R3第三电阻;上述结构中,所述R3第三电阻一路连接三极管,另一路串联R4第四电阻后接入地。本实用新型的有益效果在于设置了电源输出调整模块、电源输出控制模块及电源输出开关模块构成的保护电路,从而用户误插入了高于设备正常使用电压范围的电源时,保护产品不被插入的高于本机供电范围电源而损坏,相比现有无保护电路的产品而言增加本专利电路能够保证产品的稳定性和安全性。

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以下结合附图详述本实用新型的具体结构图I为本实用新型的电路原理框图;图2为本实用新型的电路结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1,本实施方式涉及一种直流电高电压输入保护电路,它包括电源输出调整模块、电源输出控制模块及电源输出开关模块;所述电源输出调整模块接入输入电压,电源输出调整模块连接电源输出控制模块,电源输出控制模块连接电源输出开关模块,电源输出开关模块输出正常输出电压;电源输出调整模块根据输入电压是否符合设定从而启动 电源输出控制模块的开/关,电源输出开关模块的正常输出电压根据电源输出控制模块开/关对应导通/关断。上述电路结构中,电源输出开关模块可直接采用P沟道MOS管。参见图2为一具体实施例的电路图,本实施例中电源输出开关模块采用的就是P沟道MOS管Q2,电源输出控制模块则采用NPN型三极管Ql和Q3,而电源输出调整模块则包括有稳压管Dl。稳压管Dl的负极连接输入电压VIN,稳压管Dl的正极通过R3电阻和R4电阻分压后连接三极管Ql的基级,三极管Ql的集电极与三极管Q3的基极连接,Q3集电极通过电阻R2与P沟道MOS管Q2的栅极相连,三极管的发射极接地,所述P沟道MOS管Q2的漏极输出所述正常输出电压V0UT,在P沟道MOS管Q2的源极与栅极之间还串接有电阻Rl。上述中,输入电压VIN还通过电阻Rl和R2后连接三极管Ql的集电极、输入电压VIN还连接P沟道MOS管Q2的源极。由此,上述电路在使用时,首先按需选择稳压管D1,此稳压管Dl的选择决定了正常输出电压VOUT的电压在什么电压值被关断输出,例如选择稳压管为6V,则输入端电压VIN在6V以下时,则VOUT约等于VIN,因为VIN低于6V,则Dl不导通,Ql的基极=0V,Ql截止.,则集电极为高电平,则Q3导通,只要Rl和R2参数选择得当,满足PMOS管Q2VGS导通电压,则PMOS管导通。而当输入电压高于6V时,Dl导通、则Ql导通、Q3截止,则PMOS管的栅极电压等于源极电压,不能满足PMOS管的导通条件,Q2不导通,V0UT=0V。要想VOUT在什么电压值被关断,只需选择对应的稳压二极管Dl的参数即可。由此可见,通过采用增加本专利电路后,用户误插入了高于设备正常使用电压范围的电源时,保护产品不被插入的高于本机供电范围电源而损坏,而现有产品一般无此保护电路,当插入了高于设备规定的电压时会损坏设备,相比之下能够保证产品的稳定性和安全性。因此本专利产品可有效解决直流供电产品在用户使用不当插入高于设备电源使用范围的电压时而损坏设备。以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
权利要求1.一种直流电高电压输入保护电路,其特征在于它包括电源输出调整模块、电源输出控制模块及电源输出开关模块;所述电源输出调整模块接入输入电压,电源输出调整模块连接电源输出控制模块,电源输出控制模块连接电源输出开关模块,电源输出开关模块输出正常输出电压;电源输出调整模块根据输入电压是否符合设定从而启动电源输出控制模块的开/关,电源输出开关模块的正常输出电压根据电源输出控制模块开/关对应导通/关断。
2.如权利要求I所述的直流电高电压输入保护电路,其特征在于所述电源输出控制模块包括NPN型三极管。
3.如权利要求2所述的直流电高电压输入保护电路,其特征在于所述电源输出开关模块包括P沟道MOS管;所述电源输出控制模块包括NPN三极管;所述电源输出调整模块包括稳压管;所述稳压管负极连接输入电压,稳压管正极连接三极管基级,三极管的集电极与P沟道MOS管的栅极相连,三极管发射极接地,所述P沟道MOS管的漏极输出所述正常输出电压。
4.如权利要求3所述的直流电高电压输入保护电路,其特征在于所述输入电压还通过Rl,R2,R5电阻后连接三极管的集电极;所述输入电压连接P沟道MOS管的源极。
5.如权利要求3或4所述的直流电高电压输入保护电路,其特征在于所述P沟道MOS管的源极与栅极之间还串接有Rl电阻。
6.如权利要求5所述的直流电高电压输入保护电路,其特征在于所述稳压管与三极管之间还串接有R3电阻。
7.如权利要求5所述的直流电高电压输入保护电路,其特征在于所述第三电阻R3—路连接三极管,另一路串联R4第四电阻后接入地。
专利摘要本实用新型提供了一种直流电高电压输入保护电路,它包括电源输出调整模块、电源输出控制模块及电源输出开关模块;所述电源输出调整模块接入输入电压,电源输出调整模块连接电源输出控制模块,电源输出控制模块连接电源输出开关模块,电源输出开关模块输出正常输出电压;电源输出调整模块根据输入电压是否符合设定从而启动电源输出控制模块的开/关,电源输出开关模块的正常输出电压根据电源输出控制模块开/关对应导通/关断。本实用新型可有在用户误插入了高于设备正常使用电压范围的电源时,保护产品不被插入的高于本机供电范围电源而损坏,相比现有无保护电路的产品而言增加本实用新型电路能够保证产品的稳定性和安全性。
文档编号H02H3/20GK202663083SQ20122028000
公开日2013年1月9日 申请日期2012年6月14日 优先权日2012年6月14日
发明者余能坚, 蒋海华, 戴隆杰 申请人:深圳瑞信视讯技术有限公司
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