一种交流调压器电路的制作方法

文档序号:7481473阅读:1203来源:国知局
专利名称:一种交流调压器电路的制作方法
技术领域
本实用新型涉及电路设计的技术领域,具体地说是一种可控硅交流调压器电路。
背景技术
传统交流电路在正常工作时,当电压出现波动,就会直接影响输出,负载功率不稳定,很容易击穿负载。所以一般需要加装调压器电路,比如申请号为“CN02242060.6”,名称为“电子交流调压器”的申请文件,描述了如下特征“一种称为电子交流调节器的电源产品,输出电压可在较低的5伏至输入交流市电的220伏之间调节,主电路采用双向可控硅与负载端(A,B)相串连,控制电路包括调节电阻、倒相直流放大器、直流/交流变换及脉冲放大器,还可以加入RC电路,采样电压可与主电路相隔开,采样电压可在I至2. 5伏之间选取。”但该申请所描述的产品存在体积过大、重量重,同时使用寿命短、反应动作慢这些缺点。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种改进的交流调压器电路,它可克服现有技术中体积过大、重量重,同时使用寿命短、反应动作慢、使用不便的一些不足。为了实现上述目的,本实用新型的技术方案是一种交流调压器电路,它主要包括整流电路,其特征在于整流电路的正、负极之间并联有单向可控硅和触发电路,所述的单向可控硅的控制极串接第二电阻后与所述的整流电路的负极相连。使用时,本实用新型的交流调压器电路由整流电路和触发电路构成,整流电路的正、负极之间并联有单向可控硅和触发电路,所述的单向可控硅的控制极串接一第二电阻后与所述的整流电路的负极相连,由于采用了单向可控硅这种新型的半导体器件,本实用新型具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点。

图I为本实用新型电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。本实用新型主要包括整流电路,其与现有技术的在于整流电路的正、负极之间并联有单向可控硅SCR和触发电路,所述的单向可控硅SCR的控制极串接一第二电阻R2后与所述的整流电路的负极相连。所述的触发电路由第一电阻R1、第四电阻R4、调节电位器Wl和电容Cl串联而成,所述的第一电阻Rl和第四电阻R4的接点与一第三电阻R3的一端相连,第三电阻R3的另一端与一双基极二极管Tl的第一基极相连,双基极二极管Tl的第二基极与所述的单向可控硅SCR控制极相连,双基极二极管Tl的发射极与调节电位器Wl和电容Cl的接点相连。在实施中,所述的调节电位器选用阻值为470ΚΩ的WH114-1型合成碳膜电位器,这种电位器可以直接焊在电路板上,电阻Rl要用功率为IW的金属膜电阻,电阻R2-R4都采用功率为1/8W的碳膜电阻。整流电路中的二极管Dl—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于O. 3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。单向可控硅SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于IA的国产3CT系例的可控硅整流器件。如图I所示,二极管Dl—D4组成桥式整流电路,双基极二极管Tl、第一电阻R1、第四电阻R4和调节电位器Wl构成张弛振荡器作为可控硅的触发电路。当调压器接上市电后,220V交流电通过负载电阻RL经二极管Dl—D4整流,在单向可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压,该电压由电阻Rl降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时,整流电压通过R4、Wl对电容C充电。当充电电压Uc达到Tl管的峰值电压Up时,双基极二极管Tl由截止变为导通,于是电容C通过双基极二极管Tl的e、bl结和R2迅速放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到单向可控硅SCR的控制极,使单向可控硅导通。单向可控硅导通后的管压降很低,一般小于IV,所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过零点时,可控硅自关断。当交流电在负半周时,电容C又从新充电如此周而复始,便可调整负载RL上的功率了。
权利要求1.一种交流调压器电路,它主要包括整流电路,其特征在于整流电路的正、负极之间并联有单向可控硅SCR和触发电路,所述的单向可控硅SCR的控制极串接第二电阻(R2)后与所述的整流电路的负极相连。
2.根据权利要求I所述的一种交流调压器电路,其特征在于所述的触发电路由第一电阻(R1)、第四电阻(R4)、调节电位器(Wl)和电容(Cl)串联而成,所述的第一电阻(Rl)和第四电阻(R4)的接点与一第三电阻(R3)的一端相连,第三电阻(R3)的另一端与一双基极二极管(Tl)的第一基极相连,双基极二极管(Tl)的第二基极与所述的单向可控硅(SCR)控制极相连,双基极二极管(Tl)的发射极与调节电位器(Wl)和电容(Cl)的接点相连。
专利摘要本实用新型的交流调压器电路由整流电路和触发电路构成,整流电路的正、负极之间并联有单向可控硅和触发电路,所述的单向可控硅的控制极串接一第二电阻后与所述的整流电路的负极相连,由于采用了单向可控硅这种新型的半导体器件,本实用新型具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点。
文档编号H02M5/45GK202772800SQ20122029510
公开日2013年3月6日 申请日期2012年6月21日 优先权日2012年6月21日
发明者陈洪 申请人:上海浩亚机电有限公司
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