专利名称：调压电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种调压电路。
背景技术：
调压是电路中经常用到的电路模块，用于调整电路功能电压。现有电路中一般采用晶闸管作为调压的件，但是晶闸管的面积较大，发热较大，消耗的功率也较大，根本不适用于集成电路，一般是在芯片外接调压电路。
实用新型内容本实用新型的发明目的在于针对上述存在的问题，提供一种MOS结构的调压电路。·本实用新型采用的技术方案是这样的本实用新型的一种调压电路，该电路包括四只电阻、一只可调电阻、一只NMOS晶体管、一只差分放大器、两只稳压管和两只电容。差分放大器的负极输入端通过可调电阻接地并通过第一电阻连接至电压源，正极输入端通过第二电阻连接至电压源、通过第二电容接地、连接至第二稳压管的阴极，正极电源输入端通过第三电阻连接至电压源、通过第一电容接地、连接至第一稳压管的阴极，负极电源输入端接地，输出端通过第四电阻连接至NMOS晶体管的栅极；所述第一稳压管的阳极、第二稳压管的阳极和NMOS晶体管的源极均接地；所述NMOS晶体管的漏极作为该调压电路的输出端的负极。综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是该电路体较小、功耗小、速度高、适用于集成，且电路结构简单。
图I是本实用新型调压电路的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。如图I所示，是本实用新型调压电路的电路原理图。本实用新型的一种调压电路，该电路包括四只电阻Rl R4、一只可调电阻RW1、一只NMOS晶体管Q1、一只差分放大器IC1、两只稳压管Wl和W2以及两只电容Cl和C2。下面结合图I对本实用新型上述各电子元器件间的连接关系做详细说明差分放大器ICl的负极输入端通过可调电阻RWl接地GND并通过第一电阻Rl连接至电压源VDD，正极输入端通过第二电阻R2连接至电压源VDD、通过第二电容R2接地GND、连接至第二稳压管W2的阴极，正极电源输入端通过第三电阻R3连接至电压源VDD、通过第一电容Cl接地GND、连接至第一稳压管Wl的阴极，负极电源输入端接地GND，输出端通过第四电阻R4连接至NMOS晶体管Ql的栅极；所述第一稳压管Wl的阳极、第二稳压管W2的阳极和NMOS晶体管Ql的源极均接地GND ;所述NMOS晶体管Ql的漏极作为该调压电路的输出端Vout的负 极。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1. 一种调压电路，其特征在于，包括四只电阻(Rl R4)、一只可调电阻(RW1)、一只NMOS晶体管(Ql)、一只差分放大器(ICl)、两只稳压管(Wl，W2 )和两只电容(Cl，C2 ); 差分放大器(ICl)的负极输入端通过可调电阻(RWl)接地(GND)并通过第一电阻(Rl)连接至电压源(VDD)，正极输入 端通过第二电阻(R2)连接至电压源(VDD)、通过第二电容(R2)接地(GND)、连接至第二稳压管(W2)的阴极，正极电源输入端通过第三电阻(R3)连接至电压源(VDD)、通过第一电容(Cl)接地(GND)、连接至第一稳压管(Wl)的阴极，负极电源输入端接地(GND)，输出端通过第四电阻(R4)连接至NMOS晶体管(Ql)的栅极；所述第一稳压管(Wl)的阳极、第二稳压管(W2)的阳极和NMOS晶体管(Ql)的源极均接地(GND);所述NMOS晶体管(Ql)的漏极作为该调压电路的输出端(Vout)的负极。
专利摘要本实用新型公开了一种调压电路。该电路差分放大器的负极输入端通过可调电阻接地并通过第一电阻连接至电压源，正极输入端通过第二电阻连接至电压源、通过第二电容接地、连接至第二稳压管的阴极，正极电源输入端通过第三电阻连接至电压源、通过第一电容接地、连接至第一稳压管的阴极，负极电源输入端接地，输出端通过第四电阻连接至NMOS晶体管的栅极；所述第一稳压管的阳极、第二稳压管的阳极和NMOS晶体管的源极均接地；所述NMOS晶体管的漏极作为该调压电路的输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成，电路结构简单。
文档编号H02M3/157GK202798463SQ201220508288
公开日2013年3月13日 申请日期2012年10月1日 优先权日2012年10月1日
发明者吴勇, 余力, 桑园 申请人:郑州单点科技软件有限公司