一种高可靠性的静电防护电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种高可靠性的静电防护电路，它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，场效应管MOS1的源极连接在场效应管MOS2的源极上，场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1，场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1，场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接电阻R2，场效应管MOS1的栅极连接在三极管T1的集电极上，三极管T1的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管T1的发射极接地，场效应管MOS1的源极通过电阻R3连接在二级静电泄放电路上。其优点是：采用两级静电泄放，可对静电进行有效泄放，其可靠性高。
【专利说明】—种高可靠性的静电防护电路【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路领域，更具体的说是涉及一种高可靠性的静电防护电路。
【背景技术】
[0002]静电是一种处于静止状态的电荷，当电荷聚集在某个物体上或表面时就形成了静电，而静电也分为正静电和负静电。在干燥和多风的冬季，最易产生静电。在对静电进行泄放时，在电子设备领域，由于电子设备内部有集成电路，其集成电路内有太多的电子元器件。人在地毯沙发上的静电电压可高达一万多伏，其对电子设备的破坏力极强。尤其对于手持设备，经常与人接触的电子设备。在电子设备上一般都会连接静电泄放电路，其利用接地来对静电进行泄放，其对静电的泄放不完全。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种高可靠性的静电防护电路，其采用两级静电泄放，可对静电进行有效泄放，其可靠性高。
[0004]为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案:
一种高可靠性的静电防护电路，它包括场效应管MOSl和场效应管M0S2,所述的场效应管MOSl的源极连接在场效应管M0S2的源极上，所述的场效应管MOSl的栅极和源极之间连接有电容Cl，所述的场效应管MOSl的栅极和漏极之间连接有电阻Rl，所述的场效应管M0S2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管M0S2的栅极和漏极之间连接电阻R2，所述的场效应管MOSl的栅极连接在三极管Tl的集电极上，所述的三极管Tl的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管Tl的发射极接地，所述的场效应管MOSl的源极通过电阻R3同时连接在三极管T3的基极和三极管T2的基极上，所述的三极管T3的发射极连接在电源上，所述的三极管T2的发射极接地，所述的三极管T3的集电极连接在三极管T2的集电极上，所述的场效应管MOSl为P型场效应管，所述的场效应管M0S2为N型场效应管，所述的三极管T3为PNP型三极管，所述的三极管T2和三极管Tl为NPN型三极管。
[0005]更进一步的技术方案是:
作为优选，所述的电阻Rl和电阻R2的阻值相等。
[0006]进一步的，所述的电阻R3的阻值为2千欧姆-3千欧姆。
[0007]与现有技术相比，本发明的有益效果是:
本发明的电路结构简单，根据静电电性提供多条泄放通道，且对静电进行两级泄放，有效的保证了对静电的完全泄放，可靠性高。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细说明。
[0009]图1为本发明的电路图。【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[0011][实施例]
如图1所不的一种高可靠性的静电防护电路，它包括场效应管MOSl和场效应管M0S2,所述的场效应管MOSl的源极连接在场效应管M0S2的源极上，所述的场效应管MOSl的栅极和源极之间连接有电容Cl，所述的场效应管MOSl的栅极和漏极之间连接有电阻Rl，所述的场效应管M0S2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管M0S2的栅极和漏极之间连接电阻R2，所述的场效应管MOSl的栅极连接在三极管Tl的集电极上，所述的三极管Tl的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管Tl的发射极接地，所述的场效应管MOSl的源极通过电阻R3同时连接在三极管T3的基极和三极管T2的基极上，所述的三极管T3的发射极连接在电源上，所述的三极管T2的发射极接地，所述的三极管T3的集电极连接在三极管T2的集电极上，所述的场效应管MOSl为P型场效应管，所述的场效应管M0S2为N型场效应管，所述的三极管T3为PNP型三极管，所述的三极管T2和三极管Tl为NPN型三极管。在使用时，场效应管MOSl的源极连接在设备的外部接口上，三极管T3的集电极连接在设备的内部电路上。在本发明中，当静电作用于外部接口时，场效应管M0S1、场效应管M0S2和三极管Tl根据静电的电性提供多条泄放通路。若静电电性为负电荷，则经场效应管M0S1、三极管Tl进行泄放，若静电电性为正电荷，则经场效应管M0S2进行泄放。此为一级泄放通路，若静电未泄放完全，三极管T2和三极管T3再次对静电进行泄放。此为二级泄放通路，可保证对静电泄放的可靠性。电阻R4为三极管提供导通电压，保证其正常工作，为静电泄放提供可靠通道。
[0012]所述的电阻Rl和电阻R2的阻值相等。电阻Rl和电阻R2分别为场效应管MOSl和场效应管M0S2提供导通压降，电阻成上下对称分布，为了使其性能更优越，所述的电阻Rl和电阻R2的阻值相等。
[0013]所述的电阻R3的阻值为2千欧姆-3千欧姆。电阻R3起限流作用，避免电流过大对设备内部电子元器件造成破坏，即其至少也应该在2千欧姆，但是为了使得其不对外接端口的设备信号传输时造成影响，电阻R3的阻值不应超过3千欧姆。
[0014]如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化，凡是与本发明具有相同或相近的技术方案，均落入本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种高可靠性的静电防护电路，其特征在于:它包括场效应管MOSl和场效应管M0S2，所述的场效应管MOSl的源极连接在场效应管M0S2的源极上，所述的场效应管MOSl的栅极和源极之间连接有电容Cl，所述的场效应管MOSl的栅极和漏极之间连接有电阻R1，所述的场效应管M0S2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管M0S2的栅极和漏极之间连接电阻R2，所述的场效应管MOSl的栅极连接在三极管Tl的集电极上，所述的三极管Tl的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管Tl的发射极接地，所述的场效应管MOSl的源极通过电阻R3同时连接在三极管T3的基极和三极管T2的基极上，所述的三极管T3的发射极连接在电源上，所述的三极管T2的发射极接地，所述的三极管T3的集电极连接在三极管T2的集电极上，所述的场效应管MOSl为P型场效应管，所述的场效应管M0S2为N型场效应管，所述的三极管T3为PNP型三极管，所述的三极管T2和三极管Tl为NPN型三极管。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性的静电防护电路，其特征在于:所述的电阻Rl和电阻R2的阻值相等。
3.根据权利要求1或2所述的一种高可靠性的静电防护电路，其特征在于:所述的电阻R3的阻值为2千欧姆-3千欧姆。
【文档编号】H02H9/04GK103683257SQ201310613026
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年11月28日 优先权日:2013年11月28日
【发明者】黄友华 申请人:成都市宏山科技有限公司