折弯框架的制作方法
【专利摘要】折弯框架。提供了一种结构简单，降低框架变形程度，提高质量的折弯框架。所述框架包括铜片一~四，铜片一~四相互之间的中部留有均匀的间隙，铜片一~四的外部设有塑封体；铜片一~四的中部的下部呈向上的折弯体，所述折弯体的高度大于框架的厚度、且小于所述塑封体的顶面和框架顶面之间的距离。本实用新型在框架的中下部设计成向上垂直折弯结构，塑封后折弯部分仍被包裹在本体内部，当塑封体由于热胀冷缩产生形变时，折弯部分会抵抗此种形变，降低材料的弯曲度并保证芯片不受损害。本实用新型能够在不改变材料外形和性能的前提下，改善材料的弯曲状况，使得材料获得良好的外观良率和可靠性。
【专利说明】折弯框架
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及对芯片框架的改进。
【背景技术】
[0002]随着光伏行业的迅速发展，客户对应用在接线盒内的二极管提出了更高更新的要求，在这种环境下，集多个二极管封装于一体的模块产品就应运而生，此产品改变了接线盒行业的现状，无论在组装、调试、更换以及材料散热、电性能方面均有质的突破。但是，由于集成的因素，此产品体积较数倍于一般的二极管，较为庞大的体积以及使用铜框架式结构的封装势必导致在塑封后本体出现一定的弯曲变形的现象，影响了产品的外观和质量。
实用新型内容
[0003]本实用新型针对以上问题，提供了一种结构简单，降低框架变形程度，提高质量的折弯框架。
[0004]本实用新型的技术方案是:所述框架包括铜片一?四，铜片一?四相互之间的中部留有均匀的间隙，铜片一?四的外部设有塑封体；铜片一?四的中部的下部呈向上的折弯体，所述折弯体的高度大于框架的厚度、且小于所述塑封体的顶面和框架顶面之间的距离。
[0005]所述折弯体垂直于所述框架的顶面。
[0006]本实用新型在框架的中下部设计成向上垂直折弯结构，塑封后折弯部分仍被包裹在本体内部，当塑封体由于热胀冷缩产生形变时，折弯部分会抵抗此种形变，降低材料的弯曲度并保证芯片不受损害。
[0007]本实用新型能够在不改变材料外形和性能的前提下，改善材料的弯曲状况，使得材料获得良好的外观良率和可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型的结构示意图，
[0009]图2是图1的右视图；
[0010]图中I是框架，11是铜片一，12是铜片二，13是铜片三，14是铜片四，2是塑封体，3是折弯体，4是间隙；
[0011]图中A为框架的厚度，B为塑封体上半部分的厚度，C为折弯体的高度。
【具体实施方式】
[0012]本实用新型如图1-2所示，所述框架包括铜片一?四(即铜片一 11、铜片二 12、铜片三13和铜片四14)，铜片一?四相互之间的中部留有均匀的间隙4 (相邻铜片之间的间隙通过跳线和芯片连接)，铜片一?四的外部设有塑封体2 ;铜片一?四的中部的下部呈向上的折弯体3，所述折弯体3的高度大于框架I的厚度、且小于所述塑封体的顶面和框架顶面之间的距离。
[0013]所述折弯体3垂直于所述框架I的顶面，提高了可靠性。
[0014]本实用新型能够改变普通框架在塑封后由于两侧塑封料的收缩与膨胀量的不同而导致的材料弯曲变形的现象，并且能够保护芯片不受底部铜材弯曲而产生的机械应力的影响。
[0015]本实用新型建立在不改变铜框架材质和封装工艺的前提下，通过设计专有的折弯结构来增加框架的强度，从而使塑封料在收缩的过程中将弯曲力施加到折弯部分，降低框架的变形程度，实现材料的平整度和芯片更为稳定的应用特性。
[0016]本实用新型中折弯体的高度C大于框架的厚度A，以保证折弯铜件承受的强度，但此高度必须低于塑封本体的上半部分的厚度B，以保证铜件不露到本体外面。这种结构与传统的平面设计相比，抗弯曲程度明显增加；最关键的是位于中间位置的芯片在此前承受最大的变形量，而改善后的结构由于芯片受折弯体的保护，所承受的变形应力明显降低，增强了器件的可靠性。
【权利要求】
1.折弯框架，所述框架包括铜片一?四，铜片一?四相互之间的中部留有均匀的间隙，铜片一?四的外部设有塑封体；其特征在于，铜片一?四的中部的下部呈向上的折弯体，所述折弯体的高度大于框架的厚度、且小于所述塑封体的顶面和框架顶面之间的距离。
2.根据权利要求1所述的折弯框架，其特征在于，所述折弯体垂直于所述框架的顶面。
【文档编号】H02S30/10GK204103851SQ201420598885
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年10月16日 优先权日:2014年10月16日
【发明者】陈晓华, 景昌忠, 王毅 申请人:扬州扬杰电子科技股份有限公司