电荷泵电路及使用其的马达的制作方法

本发明涉及一种电荷泵电路，且特别是一种高效率的电荷泵电路，以及使用其的马达。

背景技术：

随着科技的进步，马达已成为信息社会不可或缺的电子装置。常见的马达例如直流马达、交流马达、步进马达等，已被普便应用于驱动风扇。

目前的马达中普遍需要一组供电电路，以供应电压给马达中的各个组件。接着马达透过上桥开关与下桥开关改变马达转子或定子的极性，使得马达持续运转。常见的作法大致可分成自举升压电路(Bootstrap Circuit)与电荷泵电路(Charge Pump Circuit)。

自举升压电路中往往需要至少一个自举升压二极管与至少一个自举升压电容，以对应地控制上桥开关与下桥开关。当马达的相数(例如马达为三相马达)越多，则自举升压电路需要设置越多的自举升压二极管与自举升压电容，使得自举升压电路的制造成本与芯片面积提升。此外，自举升压电路的运作原理仰赖上桥开关与下桥开关依序导通。换言之，使用自举升压电路的马达无法做到持续地导通上桥开关或下桥开关。因此，目前的马达多以电荷泵电路为主。

请参阅图1，图1是传统的电荷泵电路的电路图。传统的电荷泵电路包括第一晶体管M1_1、第二晶体管M1_2、第三晶体管M1_3、第四晶体 管M1_4、第一电容C1_1以及第二电容C1_2。第一晶体管M1_1耦接于第二晶体管M1_2，且第一晶体管M1_1接收第一供应电压VCC1。第三晶体管M1_3耦接于第四晶体管M1_4，且第三晶体管M1_3接收第二供应电压VCC2。第一电容C1_1的一端耦接于第一晶体管M1_1与第二晶体管M1_2之间，而第一电容C1_1的另一端耦接于第三晶体管M1_3与第四晶体管M1_4之间。第二电容C1_2耦接于第四晶体管M1_4以及输出端Vo。

在电荷泵电路开始运作时，第一晶体管M1_1与第四晶体管M1_4截止，且第二晶体管M1_2与第三晶体管M1_3导通。此时，电流透过第三晶体管M1_3与第一电容C1_1流向第二晶体管M1_2。第一端点N1_1的电压为0，而第二端点N1_2的电压为VCC2。换言之，第一电容C1_1开始充电，直到第一电容C1_1的两端电压为VCC2。在第一电容C1_1完成充电后，第一晶体管M1_1与第四晶体管M1_4导通，且第二晶体管M1_2与第三晶体管M1_3截止。此时，电流透过第一晶体管M1_1与第一电容C1_1流向第四晶体管M1_4。第一端点N1_1的电压为VCC1，而第二端点N1_2的电压为(VCC1+VCC2)。换言之，第一电容C1_1开始对第二电容C1_2充电，直到第二电容C1_2的两端电压为(VCC1+VCC2)。

然而，传统的电荷泵电路存在着几个缺点。首先，当电荷泵电路工作于高压环境下，第一晶体管M1_1、第二晶体管M1_2、第三晶体管M1_3以及第四晶体管M1_4需要使用可以承受高电压的高压组件。举例来说，VCC1为24V，VCC2为5V。在第一电容C1_1开始充电时，根据电流的流向，第一晶体管M1_1与第四晶体管M1_4的两端电压为24V。另一方面，在第二电容C1_2开始充电时，第二晶体管M1_2与第三晶体管M1_3的两端电压同样为24V。因此，第一晶体管M1_1、第二晶体管M1_2、第三晶体管M1_3以及第四晶体管M1_4需要使用高压组件，才可以承受24V的电压。

另外，第一晶体管M1_1、第二晶体管M1_2、第三晶体管M1_3以及第四晶体管M1_4包括了导通电阻。导通电阻的电阻值越小，第一晶体管M1_1、第二晶体管M1_2、第三晶体管M1_3以及第四晶体管M1_4的两端电压就越小，且实际提供给第一电容C1_1与第二电容C1_22的电流越大。为了将导通电阻的电阻值降低，第一晶体管M1_1、第二晶体管M1_2、第三晶体管M1_3以及第四晶体管M1_4的面积需增加。然而，增加第一晶体管M1_1、第二晶体管M1_2、第三晶体管M1_3以及第四晶体管M1_4的面积不仅会造成电路的整体面积增加，亦会造成第一晶体管M1_1、第二晶体管M1_2、第三晶体管M1_3以及第四晶体管M1_4需要更长时间的预驱动(Pre-drive)，使得第一晶体管M1_1、第二晶体管M1_2、第三晶体管M1_3以及第四晶体管M1_4难以驱动。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种电荷泵电路。所述电荷泵电路包括电压输入模块以及开关晶体管模块。开关晶体管模块耦接于第一电容、第二电容与电压输入模块。开关晶体管模块由多个低压组件所组成。电压输入模块用以提供输入电压。开关晶体管模块用以接收供应电压与输入电压，并对第一电容与第二电容充电。供应电压与输入电压间具有电压差。在第一充电期间，开关晶体管模块对第一电容充电，使第一电容的两端电压为所述电压差。在第二充电期间，开关晶体管模块对第二电容充电，使第二电容的两端电压为供应电压与所述电压差的总和。开关晶体管模块对第二电容进行充电的频率高于第二电容供电至桥式电路的频率，且桥式电路的上桥开关系N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

本发明实施例提供一种马达。所述马达包括电荷泵电路以及至少一桥式电路。电荷泵电路包括电压输入模块以及开关晶体管模块。桥式电路包括上桥开关与下桥开关，且上桥开关系N型金属氧化物半导体场效应晶体管。开关晶体管模块由多个低压组件所组成。桥式电路耦接于电荷泵电路。开关晶体管模块耦接于第一电容、第二电容与电压输入模块。电压输入模 块用以提供输入电压。开关晶体管模块用以接收供应电压与输入电压，并对第一电容与第二电容充电。供应电压与输入电压间具有电压差。在第一充电期间，开关晶体管模块对第一电容充电，使第一电容的两端电压为所述电压差。在第二充电期间，开关晶体管模块对第二电容充电，使第二电容的两端电压为供应电压与所述电压差之总和。开关晶体管模块对第二电容进行充电的频率高于第二电容供电至桥式电路的频率。

综上所述，本发明实施例所提供的电荷泵电路以及使用其的马达，可以提供稳定的电压给桥式电路，使得上桥开关与下桥开关可以被完全导通。此外，电荷泵电路由多个低压组件所组成，故电荷泵电路的面积可以减少，且电荷泵电路在切换过程中产生的切换噪声也被降低，使得马达的运转效率提升。

为使能更进一步了解本发明之特征及技术内容，请参阅以下有关本发明之详细说明与附图，但是此等说明与所附附图仅用来说明本发明，而非对本发明的权利范围作任何的限制。

附图说明

图1是传统的电荷泵电路的电路图。

图2是本发明实施例提供之马达的系统方块图。

图3A是本发明实施例提供之电荷泵电路于第一充电期间的电路示意图。

图3B是本发明实施例提供之电荷泵电路于第二充电期间的电路示意图。

图4是本发明实施例提供之电压输入模块的电路示意图。

图5是本发明实施例提供之第二电容的电压变化图。

图6是本发明实施例提供之桥式电路的电路示意图。

图7A和图7B是本发明其他实施例提供之马达的系统方块图。

具体实施方式

在下文将参看随附附图更充分地描述各种例示性实施例，在随附附图中展示一些例示性实施例。然而，本发明概念可能以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述之例示性实施例。确切而言，提供此等例示性实施例使得本发明将为详尽且完整，且将向本领域的技术人员充分传达本发明概念的范畴。在诸附图中，可为了清楚而夸示层及区之大小及相对大小。类似数字始终指示类似组件。

应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种组件或信号等，但此等组件或信号不应受此等术语限制。此等术语乃用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，如本文中所使用，术语「或」视实际情况可能包括相关联之列出项目中之任一者或者多者之所有组合。

请参阅图2，图2是本发明实施例提供之马达的系统方块图。马达1包括电荷泵电路10、脉冲宽度调制信号产生器11以及至少一桥式电路12。电荷泵电路10与脉冲宽度调制信号产生器11分别耦接于桥式电路12。马达1例如为单相马达、双相马达或是三相马达，本发明并不对此作限制。桥式电路12的数量会根据马达1的相数而有所改变。为方便说明，本实施例系以单相马达为例，故马达1中仅包括一个桥式电路12。

电荷泵电路10包含适当的逻辑、电路和/或编码，用以提供稳定的电压至桥式电路12。由于电荷泵电路10持续提供稳定的电压至桥式电路12， 桥式电路12中的上桥开关与下桥开关(图2未绘示)可以被完全导通(Fully Turn On)，使得马达1的运转效率提升。

脉冲宽度调制信号产生器11包含适当的逻辑、电路和/或编码，用以提供脉冲宽度调制信号PWM至桥式电路12。脉冲宽度调制信号PWM的工作周期(Duty Cycle)可依实际情况与需求而有所变化。

桥式电路12包含适当的逻辑、电路和/或编码，用以根据脉冲宽度调制信号PWM选择性地导通上桥开关与下桥开关，以改变马达1之马达转子(图2未绘示)的极性，使得马达1得以运转。

为了进一步说明电荷泵电路10的结构与运作，请参阅图3A、3B，图3A是本发明实施例提供之电荷泵电路于第一充电期间的电路示意图。图3B是本发明实施例提供之电荷泵电路于第二充电期间的电路示意图。电荷泵电路10包括开关晶体管模块100以及电压输入模块101。开关晶体管模块100耦接于电压输入模块101。

开关晶体管模块100包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4。第一晶体管M1耦接于第二晶体管M2。第三晶体管M3耦接于第四晶体管M4。值得一提的是，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4均为低压组件。

以本实施例来说，第一晶体管M1与第四晶体管M4是P型金属氧化物半导体场效应晶体管，而第二晶体管M2与第三晶体管M3是N型金属氧化物半导体场效应晶体管。然而，本发明并不以此为限。所属技术领域的技术人员在参阅下述之开关晶体管模块100的运作流程后，应能依实际需求自行设计开关晶体管模块100之结构。

第一晶体管M1的源极接收供应电压VCC(例如为24V)，且第一晶体管M1的漏极耦接于第一端点N1。第二晶体管M2的源极耦接于电压输 入模块101，且第二晶体管M2的漏极耦接于第一端点N1。第三晶体管M3的源极接收供应电压VCC，且第三晶体管M3的漏极耦接于第二端点N2。第四晶体管M4的源极耦接于输出端Vo，且第四晶体管M4的漏极耦接于第二端点N2。第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4的栅极则分别耦接于一控制器(图3A、3B未绘示)，以接收控制器输出的控制信号。

此外，电荷泵电路10还包括第一电容C1与第二电容C2。第一电容C1的第一端耦接于第一端点N1，且第一电容C1的第二端耦接于第二端点N2。第二电容C2的第一端耦接于第四晶体管M4的源极，且第二电容C2的第二端接地。

需注意的是，于本实施例中，第一电容C1与第二电容C2设置于开关晶体管模块100的外部。然而，本发明并不限定于此。于其他实施例中，第一电容C1与第二电容C2亦可设置于开关晶体管模块100中而一体成型为一芯片。

开关晶体管模块100用以接收供应电压VCC，以提供稳定的电压至第一电容C1与第二电容C2。

电压输入模块101包含适当的逻辑、电路和/或编码，用以提供输入电压至开关晶体管模块100。输入电压与供应电压VCC间存在一电压差ΔV(例如为5V)。以本实施例来说，输入电压的电压值可表示为VCC-ΔV。

请参阅图4，图4是本发明实施例提供之电压输入模块的电路示意图。电压输入模块101包括负反馈放大器OPA。负反馈放大器OPA的非反向端接收电压值为VCC-ΔV的电压。负反馈放大器OPA的反向端耦接于负反馈放大器OPA的输出端。此外，负反馈放大器OPA的输出端还耦接于前述之第二晶体管的源极。如此一来，电压输入模块101便可提供电压值为VCC-ΔV的电压给开关晶体管模块100。

需注意的是，于本实施例中，负反馈放大器OPA的非反向端接收电压值为VCC-ΔV的电压，然而，本发明并不以此为限。于其他实施例中，负反馈放大器OPA的非反向端所接收的电压的电压值可依实际需求而改变，使得电压输入模块101提供的电压适合低压组件运作。

此外，于其他实施例中，负反馈放大器OPA的输出端还耦接于第五晶体管(图4未绘示)，以形成源极跟随器。第五晶体管例如为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。第五晶体管的源极耦接于前述之第二晶体管M2的源极，且第五晶体管的漏极接地。如此一来，电荷泵电路10内流动的电流将不会影响负反馈放大器OPA。

电压输入模块101用以适当地提供输入电压至开关晶体管模块100。需注意的是，前述之电压输入模块101的结构仅为举例说明，并非用以限制本发明。于其他实施例中，电压输入模块101亦可以是不同结构与组成，只要电压输入模块101可以提供输入电压至开关晶体管模块100即可。

复参阅图3A，在第一充电期间，第一晶体管M1与第四晶体管M4截止，且第二晶体管M2与第三晶体管M3导通。此时，第一端点N1的电压为VCC-ΔV，而第二端点N2的电压为VCC。第一电流i1透过第三晶体管M3与第一电容C1流向第二晶体管M2(如图3A所示)。接着，第一电容C1开始充电，直到第一电容的两端电压达到ΔV。

在第一充电期间，第一晶体管M1的两端电压为VCC-(VCC-ΔV)，即第一晶体管M1所承受的电压为ΔV。另一方面，假设第二电容C2已储存了足够的电荷，代表第二电容C2的两端电压为VCC+ΔV。此时，第四晶体管M4的两端电压为(VCC+ΔV)-VCC，即第四晶体管M4所承受的电压同样为ΔV。

复参阅图3B，在第二充电期间，第一晶体管M1与第四晶体管M4导通，且第二晶体管M2与第三晶体管M3截止。此时，第一端点N1的 电压为VCC，而第二端点N2的电压为VCC+ΔV。第二电流i2透过第一晶体管M1与第一电容C1流向第四晶体管M4(如图3B所示)。接着，第二电容C2开始充电，直到第二电容的两端电压达到VCC+ΔV。

在第二充电期间，第二晶体管M2的两端电压为VCC-(VCC-ΔV)，即第二晶体管M2所承受的电压为ΔV。另一方面，由于第二端点N2的电压为VCC+ΔV。此时，第三晶体管M3的两端电压为(VCC+ΔV)-VCC，即第三晶体管M3所承受的电压同样为ΔV。

根据以上内容可知，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4只要能承受ΔV的电压即可。换句话说，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4可以使用低压组件，而不需要使用高压组件。由于低压组件的面积比高压组件来的小，电荷泵电路10的面积可以被减少。

此外，由于第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4为低压组件，意味着第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4的寄生电容变小，进而使得第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4不需要太长时间的预驱动(Pre-drive)。换句话说，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4的导通延迟(Delay)降低。如此一来，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4的切换频率可以被提高。

电荷泵电路10对第一电容C1与第二电容C2充电的频率相关于第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4的切换频率。第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4的切换频率提高，意味着电荷泵电路10对第一电容C1与第二电容C2充电的频率亦提高。如此一来，第二电容C2的两端电压可以保持在VCC+ΔV。

请参阅图5，图5是本发明实施例提供之第二电容的电压变化图。图5之纵轴代表电压(V)，而横轴代表时间(微秒)。图5中提供了两条曲线。曲线S501系本发明实施例提供之电荷泵电路10之第二电容C2的电压变化曲线，而曲线S502则是传统的电荷泵电路中之第二电容的电压变化曲线。值得一提的是，传统的电荷泵电路与本发明实施例之电荷泵电路10的最大差别在于，传统的电荷泵电路中的晶体管系使用高压组件，而本发明实施例之电荷泵电路10中的晶体管系使用低压组件。

当第二电容C2透过输出端Vo对桥式电路12供电，第二电容C2的两端电压开始下降。由于本发明实施例之电荷泵电路10对第二电容C2充电的频率很高，代表第二电容C2的两端电压可以在很短的时间内就回到VCC+ΔV。由曲线S501与曲线S205可知，本发明实施例之第二电容C2的两端电压回到VCC+ΔV所需的时间比传统的电荷泵电路来的短。

举例来说，本发明实施例之第二电容C2每50微秒会提供电压给桥式电路12。电荷泵电路10可能每30微秒就对第二电容C2充电。如此一来，第二电容C2每次都会提供足够的电压给桥式电路12，使得桥式电路12之上桥开关与下桥开关可以被完全导通，进而提升马达1的运转效率。

另一方面，由于第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4系使用低压组件，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4系使用低压组件在切换过程中所产生的切换噪声也可以被减少，使得马达1得以稳定地运转。

为使本发明实施例更加明确，请参阅图6，图6是本发明实施例提供之桥式电路的电路示意图。桥式电路12包括上桥开关UG、下桥开关LG以及开关模块120。上桥开关UG与下桥开关LG分别耦接于开关模块120。开关模块120耦接于电荷泵电路10以及脉冲宽度调制信号产生器(如图2之脉冲宽度调制信号产生器11)。

上桥开关UG与下桥开关LG的导通情况直接影响马达1之马达转子或定子的极性。换言之，上桥开关UG与下桥开关LG的导通情况相关于马达1的运转状态。

于本发明实施例之使用电荷泵电路的马达中，上桥开关为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，而下桥开关亦为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

上桥开关UG的漏极接收供应电压VCC。上桥开关UG的栅极耦接于开关模块120。上桥开关UG的源极耦接于下桥开关LG的漏极。下桥开关LG的栅极接收脉冲宽度调制信号PWM。下桥开关LG的源极接地。

开关模块120用以接收脉冲宽度调制信号产生器11输出的脉冲宽度调制信号PWM，并选择性地导通上桥开关UG与下桥开关LG。开关模块120包括电位平移单元1200、反相器(Inverter)1201、电流镜1202、第六晶体管M6、第七晶体管M7以及电流源IS。电位平移单元1200耦接于脉冲宽度调制信号产生器11。反相器1201耦接于电位平移单元1200的输出端与第六晶体管M6的栅极。电流源IS耦接于电荷泵电路10的输出端。第六晶体管M6耦接于电流源IS以及电流镜1202。第七晶体管M7耦接于电荷泵电路10的输出端、电流镜1202以及上桥开关UG的栅极，且第七晶体管M7的栅极耦接于电位平移单元1200的输出端。电流镜1202耦接于上桥开关UG以及下桥开关LG。

于本实施例中，第六晶体管M6与第七晶体管M7皆为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。然而，本发明并不以此为限。于其他实施例中，第六晶体管M6与第七晶体管M7亦可以皆为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。或者，第六晶体管M6与第七晶体管M7可以系P型金属氧化物半导体场效应晶体管与N型金属氧化物半导体场效应晶体管之组合。

电位平移单元1200包含适当的逻辑、电路和/或编码，用以接收电荷泵电路10提供的电压(如VCC+ΔV)，并平移脉冲宽度调制信号PWM的逻辑电平。举例来说，脉冲宽度调制信号PWM的逻辑高电平为5V，且逻辑低电平为0V。经过平移后，电位平移单元1200输出脉冲宽度调制信号PWM’，其中脉冲宽度调制信号PWM’的逻辑高电位为VCC+5V，且逻辑低电位为VCC。

电流镜1202包括两个N型金属氧化物半导体场效应晶体管，且电流镜1202的电流复制比例为1：N。需注意的是，上述电流镜1202的结构与组成仅为示意。使用者可依需求自行设计电流镜1202，本发明不加以限定。

欲导通上桥开关UG时，电位平移单元1200输出逻辑低电位的脉冲宽度调制信号PWM’，使得第七晶体管M7导通。接着，电荷泵电路10之第二电容(图5未绘示)开始提供电压给第七晶体管M7，并导通上桥开关UG。

此外，反相器1201将逻辑低电位的脉冲宽度调制信号PWM’转换成逻辑高电位的脉冲宽度调制信号PWM’，并将逻辑高电位的脉冲宽度调制信号PWM’输入第六晶体管M6，使得第六晶体管M6截止。

另一方面，下桥电路LG接收逻辑低电位的脉冲宽度调制信号PWM而截止。

欲导通下桥开关LG时，下桥开关LG接收逻辑高电位的脉冲宽度调制信号PWM而开始导通。

此时，电位平移单元1200输出逻辑高电位的脉冲宽度调制信号PWM’，使得第七晶体管M7截止。另一方面，反相器1201将逻辑高电位的脉冲宽度调制信号PWM’转换成逻辑低电位的脉冲宽度调制信号 PWM’，使得第六晶体管M6开始导通。接着，电荷泵电路10之第二电容开始提供电压给第六晶体管M6。开关模块120透过电流源IS控制流经第六晶体管M6的电流量，再透过电流镜1202将电流输入下桥开关LG。透过开关模块120控制上桥开关UG与下桥开关LG的导通状况，即可驱动马达1运转。

由前述内容可知，电荷泵电路10每次都会提供足够的电压给桥式电路12。电荷泵电路10之第二电容C2所提供的电压会直接影响上桥开关UG与下桥开关LG的导通电压。因此，上桥开关UG与下桥开关LG可以被完全导通，使得马达1有效地运用能量。

相反地，第二电容C2所提供的电压不足将导致上桥开关UG与下桥开关LG的导通电压下降，使得上桥开关UG与下桥开关LG不能完全导通。上桥开关UG与下桥开关LG不能完全导通将造成马达1的运转效率下降。也就是说，本发明实施例所提供之电荷泵电路10可以让马达1具有高运转效率。

需注意的是，本实施例之桥式电路12的结构仅为举例说明，并非用以限制本发明。所属技术领域的技术人员可依实际情况与需求自行调整桥式电路12之结构。实际情况与需求自行调整，本发明并不予以限制。

接着，请参阅图7A和图7B，图7A和图7B是本发明其他实施例提供之马达的系统方块图。与图2提供之马达1不同的是，图7A提供之马达7系双相马达，而图7B提供之马达8系三相马达。

马达7包括电荷泵电路70、脉冲宽度调制信号产生器71、第一桥式电路72以及第二桥式电路73。第一桥式电路72以及第二桥式电路73分别耦接于电荷泵电路70以及脉冲宽度调制信号产生器71。第一桥式电路72以及第二桥式电路73的结构与致动类似于前述之桥式电路12，于此不再多加冗述。

马达8包括电荷泵电路80、脉冲宽度调制信号产生器81、第一桥式电路82、第二桥式电路83以及第三桥式电路84。第一桥式电路82、第二桥式电路83以及第三桥式电路84分别耦接于电荷泵电路80以及脉冲宽度调制信号产生器81。第一桥式电路82、第二桥式电路83以及第三桥式电路84的结构与致动同样类似于前述之桥式电路12，于此不再多加冗述。

马达7、8的运作过程类似于前述之马达1，电荷泵电路70、80提供稳定且足够的电压给各个桥式电路，该些桥式电路再根据脉冲宽度调制信号PWM导通各自的上桥开关与下桥开关，使得马达7、8之马达转子(图7A、7B未绘示)的极性改变。

附带一提，本实施例系以双相马达以及三相马达为例，但并不以此为限。所属技术领域的技术人员在参阅本案说明书后，应能依实际情况与需求调整马达1之相数，并获得前述之功效。

综上所述，本发明实施例所提供之电荷泵电路以及使用其的马达，可以提供稳定的电压给桥式电路，使得上桥开关与下桥开关可以被完全导通。此外，电荷泵电路系由多个低压组件所组成，故电荷泵电路的面积可以减少，且电荷泵电路在切换过程中产生的切换噪声也被降低，使得马达的运转效率提升。

以上所述，仅为本发明优选的具体实施例，惟本发明之特征并不局限于此，本领域的技术人员在本发明之领域内，可轻易思及之变化或修饰，皆可涵盖在以下本案之专利范围。

【符号说明】

1、7、8：马达

10、70、80：电荷泵电路

11、71、81：脉冲宽度调制信号产生器

12：桥式电路

72、82：第一桥式电路

73、83：第二桥式电路

84：第三桥式电路

100：开关晶体管模块

101：电压输入模块

120：开关模块

1200：电位平移单元

1201：反相器

1202：电流镜

ΔV：电压差

Vo：输出端

M1_1、M1：第一晶体管

M1_2、M2：第二晶体管

M1_3、M3：第三晶体管

M1_4、M4：第四晶体管

M6：第六晶体管

M7：第七晶体管

C1_1、C1：第一电容

C1_2、C2：第二电容

N1_1、N1：第一端点

N1_2、N2：第二端点

VCC1：第一供应电压

VCC2：第二供应电压

VCC：供应电压

PWM、PWM’：脉冲宽度调制信号

i1：第一电流

i2：第二电流

OPA：负反馈放大器

UG：上桥开关

LG：下桥开关

IS：电流源

S501、S502：曲线