埋入磁铁型转子单元的制造方法及其制造装置与流程

本申请主张于2015年9月7日提出的日本专利申请2015-175968号的优先权，并在此引用包括说明书、附图以及说明书摘要的全部内容。

本发明涉及制造埋入磁铁型转子单元的埋入磁铁型转子单元的制造方法、以及埋入磁铁型转子的制造装置，其中，埋入磁铁型转子单元具备具有多个插入孔的铁芯、以及埋入于该铁芯的各插入孔的永久磁铁，并且一个或者多个在上述铁芯的轴向上连结而构成转子。

背景技术：

日本特开2014-143906号公报中记载有埋入磁铁型转子的制造方法，在该方法中，使取向磁化器与铁芯的径向对置，从铁芯的径向施加磁场，同时向形成于铁芯的插入孔填充磁性成形材料(磁铁材料)。

然而，在从磁化装置对铁芯施加磁场的情况下，经由铁芯而向填充于插入孔的磁铁材料进入的磁通密度依存于铁芯的饱和磁通密度。即，例如相比使铁芯的材料为电磁钢板的情况，在使铁芯的材料为坡明德合金(permendur)的情况下，进入磁铁材料的磁通密度变多。但是，在铁芯由坡明德合金构成的情况下，导致成本变高。

技术实现要素：

本发明的目的之一在于提供埋入磁铁型转子单元的制造方法以及埋入磁铁型转子的制造装置，即：在通过向铁芯的插入孔填充磁铁材料来制造永久磁铁的技术中，能够对进入磁铁材料的磁通密度被铁芯本身的饱和磁通密度限制的情况进行抑制。

1.本发明的一个方式是一种埋入磁铁型转子单元的制造方法，该埋入磁铁型转子单元具备具有多个插入孔的铁芯、以及埋入于该铁芯的各插入孔的永久磁铁，一个或者多个上述埋入磁铁型转子单元在上述铁芯的轴向上连结而构成转子，本制造方法的特征在于，包括：配置工序，将与上述铁芯的插入孔对应地形成有引导孔的引导部件配置为在上述铁芯的轴向上与上述铁芯邻接；以及填充工序，用取向磁化器沿上述引导部件的径向施加磁场，而在作为上述永久磁铁的材料的磁铁材料通过上述引导孔时，对通过该引导孔的磁铁材料施加磁场，并且将该磁铁材料填充于上述铁芯的插入孔，对于上述引导部件的构成从与上述取向磁化器对置的径向外侧到达上述引导孔后向上述径向外侧返回的磁路的部分而言，其饱和磁通密度比上述铁芯的饱和磁通密度高。

上述方法中，当在被填充于插入孔之前磁铁材料通过引导孔时，用取向磁化器从引导部件的径向外侧施加的磁场经由引导部件施加于磁铁材料。此处，构成从取向磁化器出来而经由引导部件到达引导孔、并经由引导部件向取向磁化器返回的磁路的部分，其饱和磁通密度比铁芯的饱和磁通密度高。因此，与由取向磁化器从铁芯的径向施加磁场、而对插入孔内的磁铁材料施加磁场的情况比较，能够提高进入磁铁材料的磁通密度。因此，通过向铁芯的插入孔填充磁铁材料来制造永久磁铁的方法中，能够对进入磁铁材料的磁通密度被铁芯本身的饱和磁通密度限制的情况进行抑制。

2.本发明的其它方式在上述方式的埋入磁铁型转子单元的制造方法中，上述引导部件具备饱和磁通密度比上述铁芯的饱和磁通密度高的高磁导率部，还具备磁导率比该高磁导率部的磁导率低的低磁导率部，在上述引导部件的轴向上的规定位置处与该轴向正交的上述引导部件的截面中，上述低磁导率部从上述引导部件的外周朝径向内侧延伸而到达上述引导孔。

比引导孔靠径向外侧的区域能够构成从取向磁化器出来的磁通不通过引导孔就向取向磁化器返回的磁路即短路路径。此处，在上述规定位置的截面中，上述低磁导率部从引导部件的外周延伸至引导孔。因此，至少在规定位置的截面中，上述短路路径必定包括低磁导率部。因此，能够减少上述短路路径的磁通量。

3.本发明的其它方式在上述方式的埋入磁铁型转子单元的制造方法中，上述引导部件除饱和磁通密度比上述铁芯的饱和磁通密度高的高磁导率部之外，还具备磁导率比该高磁导率部的磁导率低的低磁导率部，上述引导部件具有：第一截面，该第一截面为在上述引导部件的轴向上的第一位置处与该轴向正交的上述引导部件的截面，在该第一截面中，从上述引导部件的径向外侧进入到内侧的磁通直至到达上述引导孔为止无法回避上述低磁导率部；以及第二截面，该第二截面为在上述引导部件的轴向上的第二位置处与该轴向正交的上述引导部件的截面，在该第二截面中，从上述引导部件的径向外侧进入到内侧的磁通直至到达上述引导孔为止能够回避上述低磁导率部。

上述方法中，对于从取向磁化器出来的磁通经由引导部件而到达引导孔内的磁铁材料之后经由引导部件向取向磁化器返回的磁路的磁阻而言，在上述第二截面中形成的磁路的磁阻比在上述第一截面中形成的磁路的磁阻小。因此，引导孔中磁通所通过的部分的大部分成为上述第二截面部分。因此，成为与在磁铁材料通过引导孔时断续地施加磁场的情况相同或者相似的状态。因此，能够使磁铁材料的磁粉容易移动，而能够提高取向率。

并且，在上述2所记载的制造方法中的在引导部件的轴向上的规定位置处与该轴向正交的上述引导部件的截面包括上述第一截面的情况下，相比不设置第一截面的情况，能够提高在第二截面内通过磁铁材料的磁通密度。

4.本发明的其它方式在上述方式的制造方法中，上述引导孔以随着接近上述铁芯而与上述引导部件的轴向正交的截面的面积缓缓扩大，而与该轴向正交的截面的形状变得与上述插入孔的截面形状相同的方式变化。

上述方法中，由于以引导孔的截面积缓缓扩大而其截面形状变得与插入孔的截面形状相同的方式变化，所以随着从引导孔的上游侧向下游侧行进，磁铁材料在插入孔内缓缓地取向为所要求的取向方向。而且，在轴向的任意位置处的引导孔的截面形状以插入孔的形状统一的情况下，容易产生以使磁铁材料朝引导孔流动的路径的形状缓缓地变为与引导孔的截面形状相同的方式变化的要求。换言之，容易产生以使磁铁材料朝引导孔流动的路径的形状变为与插入孔的截面形状相同的方式变化的要求。而且，在该路径中施加磁场相比不施加磁场，能够提高磁化率以及取向率。但是，当在该路径中施加磁场的情况下，优选将该路径本身作为引导孔，并将划分该路径的部件作为引导部件。因此，上述结构中，通过对在与轴向正交的截面形状缓缓变大而变为与插入孔的截面形状相同为止的路径中通过的磁铁材料施加磁场，能够有效率地提高取向率、磁化率。

5.本发明的其它方式在上述方式的埋入磁铁型转子单元的制造方法中，上述取向磁化器具备与上述铁芯在径向上对置的铁芯对置部，上述铁芯对置部沿径向对上述铁芯施加磁场。

上述方法中，也由铁芯对置部对填充于铁芯的插入孔的磁铁材料施加磁场。因此，与不具备铁芯对置部的情况比较，能够提高永久磁铁的取向率和磁化率。

6.本发明的其它方式在上述方式的埋入磁铁型转子单元的制造方法中，上述磁铁材料以注射成型的方式填充于上述插入孔。上述结构中，磁铁材料以具有流动性的状态经由引导孔填充于插入孔。而且，在具有流动性的状态下，磁粉容易位移，从而容易在引导孔内对齐易磁化方向。

7.本发明的其它方式是具备上述方式的埋入磁铁型转子单元的制造方法中的上述取向磁化器以及上述引导部件的埋入磁铁型转子的制造装置。

附图说明

通过以下参照附图对本发明的优选实施方式进行的详细描述，本发明的上述以及其它特征、优点会变得更加清楚，其中，相同的附图标记表示相同的要素，其中：

图1是一个实施方式的转子单元的立体图。

图2是示出该实施方式的转子单元以及制造装置的立体图。

图3是示出该实施方式的引导部件的引导孔的图。

图4是图3的4-4剖视图。

图5是图3的5-5剖视图。

图6是图3的6-6剖视图。

图7是图3的7-7剖视图。

图8是图3的8-8剖视图。

图9是图3的9-9剖视图。

图10A是示出该实施方式的配置工序的立体图。

图10B是示出该实施方式的填充工序的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图对埋入磁铁型转子单元的制造方法的一个实施方式进行说明。图1所示的转子10构成埋入磁铁型同步机(IPMSM)。该IPMSM内置于电动助力转向装置(EPS)。转子10形成为圆筒状。本实施方式的转子10通过在旋转轴方向(轴向Da)上连结3个埋入磁铁型转子单元(转子单元20)而构成。

转子单元20具备铁芯22和永久磁铁26。铁芯22通过层叠多个作为硅钢板的电磁钢板而形成。铁芯22具备10个在其轴向Da上贯通的插入孔24。它们的与轴向Da正交的截面形状是大致呈U字状的形状。插入孔24在铁芯22的周向Dc上均等地配置。

在插入孔24埋入有永久磁铁26。永久磁铁26通过以磁粉和树脂的混合物为磁铁材料对其进行磁化而生成。

接下来，对转子单元20的制造方法进行说明。在本实施方式中，将铁芯22利用作为金属模具，而在将磁铁材料填充于插入孔24之前，对磁铁材料施加磁场，由此来提高永久磁铁26的磁化率以及取向率。此处，取向率是指，易磁化方向与平行于永久磁铁26所要求的磁力矩的方向对齐的程度。在取向率低的情况下，因磁化最终从N极出来而进入S极的磁通的磁通密度降低。另一方面，磁化率是指，永久磁铁26内的局部的区域(磁区)的磁力矩(磁化方向)与一个方向对齐的程度。即，即使取向率高，若磁化方向与一对易磁化方向中任一方对齐的程度低，则从永久磁铁26的N极出来而进入S极的磁通的磁通密度也降低。在本实施方式中，不仅提高磁化率还提高取向率，由此来增大IPMSM的速度电动势系数，从而增大流动规定大小的电流时的IPMSM的产生力矩。

图2示出本实施方式的转子单元20的制造装置。此外，图2中，示出未在铁芯22的插入孔24填充磁铁材料的状态。此外，以下，在对制造装置进行记述时，有时使用铁芯22的轴向Da、周向Dc，这是基于对磁铁材料进行磁化时的铁芯22与制造装置(取向磁化器30以及引导部件40)的位置关系的记述。而且，在对磁铁材料进行磁化时，铁芯22的轴向Da、周向Dc与取向磁化器30的轴向、周向以及引导部件40的轴向、周向一致。因此，以下，例如在记载引导部件40的轴向时，有时也使用轴向Da。

本实施方式的制造装置具备取向磁化器30以及引导部件40。取向磁化器30具备沿周向Dc交替地配置的10个永久磁铁32以及10个磁化轭部34，它们通过未图示的非磁性部件而成一体地被组装成圆环状。取向磁化器30与铁芯22的外周面以隔开规定的缝隙地对铁芯22进行包围的方式对置配置。

永久磁铁32配置为相对于铁芯22的插入孔24位于铁芯22的径向外侧。各永久磁铁32形成为周向Dc的宽度越朝向取向磁化器30的径向外侧越大。各永久磁铁32的周向Dc的两侧部成为不同的磁极。并且，各永久磁铁32配置为在周向Dc上相邻的永久磁铁彼此以相同的磁极对置。而且，以被各永久磁铁32的以相同的磁极彼此对置的部分夹持的方式配置有磁化轭部34。

取向磁化器30的轴向Da的长度比转子单元20在轴向Da上的长度长。而且，取向磁化器30是连续地形成铁芯对置部30A和引导对置部30B而成的部件，其中，铁芯对置部30A在制造工序中内周面与铁芯22对置，引导对置部30B与引导部件40对置。

在引导部件40形成有用于导入磁铁材料的引导孔42。图3示出立体地观察该引导孔42的情况下的形状。如图3所示，引导孔42形成为在轴向Da上越接近铁芯22，与轴向Da正交的截面的截面积越大的形状。尤其，引导孔42以随着在轴向Da上接近铁芯22与轴向Da正交的截面形状变得与铁芯22的插入孔24的截面形状相同的方式变化。

引导部件40具备：饱和磁通密度比铁芯22的饱和磁通密度高的高磁导率部44；以及磁导率比高磁导率部44的磁导率低的低磁导率部46。在本实施方式中，高磁导率部44由坡明德合金形成，而低磁导率部46由不锈钢形成。

图4、图6以及图8分别示出图3的4-4截面、6―6截面以及8-8截面。图4、图6以及图8所示的截面是引导部件40的与引导部件40的轴向Da正交的截面。此外，图4、图6以及图8中，以单点划线示出引导部件40的与铁芯22对置的底面处的引导孔42。以单点划线示出的部分(引导孔42)在图4、图6以及图8各自的截面中是未形成引导孔42的部分。

如图4、图6以及图8所示，低磁导率部46对引导孔42的周围进行覆盖。详细而言，图4所示的低磁导率部46对将引导孔42在引导部件40的与铁芯22对置的底面处的截面向轴向Da上方平行移动的区域中的、除在图4中用实线表示的引导孔42以外的部分进行覆盖。同样，图6所示的低磁导率部46对将引导孔42在引导部件40的与铁芯22对置的底面处的截面向轴向Da上方平行移动的区域中的、除在图6中用实线表示的引导孔42以外的部分进行覆盖，图8所示的低磁导率部46对将引导孔42在引导部件40的与铁芯22对置的底面处的截面向轴向Da上方平行移动的区域中的、除在图8中用实线表示的引导孔42以外的部分进行覆盖。另外，低磁导率部46从引导部件40的外周朝径向内侧延伸而到达引导孔42。另一方面，高磁导率部44在引导部件40中配置于与取向磁化器30的磁化轭部34对置的部分和中心部。图4、图6以及图8所示的截面中，从取向磁化器30的永久磁铁32出来并通过引导孔42而向永久磁铁32返回的磁路Lmf，必定通过低磁导率部46。并且，图4、图6以及图8所示的截面中，从取向磁化器30的永久磁铁32出来不通过引导孔42就向永久磁铁32返回的短路路径Lc，也必定通过低磁导率部46。

图5以及图7分别示出图3的5-5截面以及7-7截面。图5以及图7是引导部件40的与引导部件40的轴向Da正交的截面。此外，图5以及图7中，以单点划线示出引导部件40中的与铁芯22对置的底面处的引导孔42。

图5所示的低磁导率部46对引导部件40的与铁芯22对置的底面处的引导孔42的轴向Da上方的、除图5所示的截面的引导孔42以外的部分进行覆盖。并且，图7所示的低磁导率部46对引导部件40的与铁芯22对置的底面处的引导孔42的轴向Da上方的、除图7所示的截面的引导孔42以外的部分进行覆盖。另外，低磁导率部46从引导部件40的外周朝径向内侧延伸而到达引导孔42。另一方面，高磁导率部44通过与图5以及图7所示的引导孔42的配合从3个方向对低磁导率部46进行包围。由此，作为从取向磁化器30的永久磁铁32出来并通过引导孔42而向永久磁铁32返回的磁路Lmf，存在不通过低磁导率部46的路径。另外，从取向磁化器30的永久磁铁32出来不通过引导孔42就向永久磁铁32返回的短路路径Lc必定包括低磁导率部46。此处，由于低磁导率部46的磁阻比磁铁材料26a的磁阻大，所以短路路径Lc的磁阻比通过磁铁材料26a的磁路Lmf的磁阻大。因此，从永久磁铁32出来的大部分磁通，相比短路路径Lc更容易通过磁路Lmf。

图9示出图3的9-9截面。图9是引导部件40的与引导部件40的轴向Da正交的截面。如图9所示，低磁导率部46从引导部件40的外周沿径向延伸而到达引导孔42。由此，从取向磁化器30的永久磁铁32出来不通过引导孔42就向永久磁铁32返回的短路路径Lc必定包括低磁导率部46。而且，由于低磁导率部46仅配置于径向上的从引导孔42的最外侧的部分至引导部件40的外周为止的区域，所以作为从取向磁化器30的永久磁铁32出来并通过引导孔42而向永久磁铁32返回的磁路Lmf，存在不通过低磁导率部46的路径。

此处，对本实施方式的作用进行说明。图10A示出使引导部件40从轴向Da与铁芯22对置配置的配置工序。此处，引导孔42中的图9所示的截面部分与形成于铁芯22的插入孔24对置地配置。并且，在铁芯22，对置地配置有取向磁化器30的铁芯对置部30A，并在引导部件40，对置地配置有取向磁化器30的引导对置部30B。

图10B示出经由引导部件40的引导孔42向铁芯22的插入孔24填充磁铁材料26a的填充工序。此处，在磁铁材料26a通过引导孔42时，取向磁化器30的引导对置部30B的磁通从径向进入引导部件40，并在引导孔42内的磁铁材料26a通过。由此，磁铁材料26a的易磁化方向向相同方向被对齐，并且磁铁材料26a的磁力矩与易磁化方向中的一个方向被对齐，从而磁铁材料26a被磁化。

尤其，在本实施方式中，即使是磁铁材料26a正在引导孔42通过时，在图4、图6以及图8所示的截面部分中，磁通也基本不进入磁铁材料26a。这是因为引导孔42的周围被低磁导率部46覆盖引起的。

而且，磁铁材料26a的磁导率比高磁导率部44的磁导率低。因此，通过了相对于图4、图6以及图8所示的截面靠轴向Da的上下的高磁导率部44的磁通，基本不通过图4、图6以及图8所示的截面部分中的引导孔42内的磁铁材料26a。这是因为，通过了相对于图4、图6以及图8所示的截面靠轴向Da的上下的高磁导率部44的磁通，相比不进入图4、图6以及图8所示的截面的情况，在进入的情况下总体的磁路的磁阻更大。

与此相对，在图5、图7以及图9所示的截面部分中，磁通集中地进入磁铁材料26a。这是因为，第一，在图5、图7以及图9所示的截面部分中，能够形成通过引导孔42且不通过低磁导率部46的磁路Lmf。第二是因为，进入了图4、图6以及图8所示的截面部分的高磁导率部44的磁通向图5、图7以及图9所示的截面部分的高磁导率部44以及引导孔42内的磁铁材料26a流入。这是由于高磁导率部44的磁导率比低磁导率部46的磁导率高。

根据以上说明的本实施方式，得到以下所记载的效果。

(1)将构成如图5、图7以及图9所示地从径向外侧进入引导部件40而到达引导孔42之后朝径向外侧返回的磁路Lmf的高磁导率部44的饱和磁通密度，设为比铁芯22的饱和磁通密度高。由此，与由取向磁化器30从铁芯22的径向施加磁场而对插入孔24内的磁铁材料26a施加磁场的情况比较，能够提高进入磁铁材料26a的磁通密度。因此，能够对进入磁铁材料26a的磁通密度被铁芯22本身的饱和磁通密度限制的情况进行抑制。

(2)使引导部件40的低磁导率部46从引导部件40的外周沿径向延伸而到达引导孔42。由此，短路路径Lc必定包括低磁导率部46，从而能够减少短路路径Lc的磁通量。

(3)由具有第一截面和第二截面的层叠构造构成引导部件40，其中，第一截面是如图4、图6以及图8所示地从引导部件40的径向外侧进入内侧的磁通直至到达引导孔42为止无法回避低磁导率部46的截面，第二截面是如图5、图7以及图9所示地能够避免低磁导率部46的截面。由此，磁通基本不进入图4、图6以及图8所示的截面中的引导孔42内的磁铁材料26a，从而成为与在通过引导孔42时磁铁材料26a被断续地施加磁场的情况相同或者相似的状态。因此，能够使磁铁材料26a的磁粉容易移动，而能够提高取向率。另外，由于短路路径Lc是必定包括低磁导率部46的结构，所以流入图4、图6以及图8所示的截面的磁通基本都向图5、图7以及图9所示的截面流入。因此，相比未设为上述层叠构造的情况，能够增大进入图5、图7以及图9所示的截面中的引导孔42内的磁铁材料26a的磁通。

(4)使引导孔42以如下方式变化，随着在轴向Da上接近铁芯22，与该轴向Da正交的截面的面积缓缓扩大，从而使与该轴向Da正交的截面的形状变得与插入孔24的截面形状相同。由此，随着从引导孔42的上游侧向下游侧行进，磁铁材料26a缓缓地在插入孔24内被取向为所要求的取向方向。而且，在轴向Da的任意位置处的引导孔42的截面形状以插入孔24的形状统一的情况下，容易产生以使磁铁材料26a朝引导孔42流动的路径的形状缓缓变为与引导孔42的截面形状相同的方式变化的要求。换言之，容易产生以使磁铁材料26a朝引导孔42流动的路径的截面形状变为与插入孔24的截面形状相同的方式变化的要求。

而且，在该路径中施加磁场相比不施加磁场更能够提高磁化率以及取向率。但是，当在该路径中施加磁场的情况下，优选将该路径本身作为引导孔42，并将划分该路径的部件作为引导部件40。因此，在本实施方式中，通过对在沿着轴向Da截面缓缓变化而变得与插入孔24的截面形状相同为止的路径中通过的磁铁材料26a施加磁场，能够有效率地提高取向率、磁化率。

(5)在取向磁化器30，具备与铁芯22在径向上对置的铁芯对置部30A，由铁芯对置部30A从径向对铁芯22施加了磁场。由此，相比不具备铁芯对置部30A的情况，能够提高永久磁铁26的取向率和磁化率。

(6)以注射成型的方式将磁铁材料26a填充于插入孔24。该情况下，磁铁材料26a以具有流动性的状态经由引导孔42填充于插入孔24。而且，由于在具有流动性的状态下，磁粉容易位移，因此容易在引导孔42内对齐易磁化方向。

此外，也可以将上述实施方式的各事项的至少一个如下变更。

对于高磁导率部(44)，在上述实施方式中，高磁导率部44由坡明德合金构成，但并不限定于此。例如，也可以是坡莫合金、FCD(球墨铸铁)、软铁等，只要使饱和磁通密度比铁芯22的饱和磁通密度高即可。

对于低磁导率部(46)，在上述实施方式中，低磁导率部46由不锈钢构成，但并不限定于此。例如，也可以是铝，或者例如也可以是铜。

对于引导孔(42)，在与轴向Da正交的截面中，随着接近铁芯22而引导孔42的截面积缓缓扩大，从而引导孔42的截面形状变得与插入孔24的截面形状相同，这并不限定于图3所示的情况。例如，也可以在引导部件40的轴向Da上位于铁芯22侧的具有规定的长度的区间，将引导孔42设为与轴向Da正交的截面形状与插入孔24的形状相同、且尺寸与插入孔24的尺寸相同。

另外，例如也可以在引导部件40的轴向Da的整个区域内，将引导孔42设为与引导部件40的轴向Da正交的截面形状与插入孔24的形状相同、且尺寸与插入孔24的尺寸相同。

对于铁芯对置部30A，作为铁芯对置部30A，并不限定于在铁芯22的轴向Da的整个面与其对置。例如，也可以仅由在轴向Da上与铁芯22的一半对置的部分构成。

对于引导部件40，图9中，也可以不具备低磁导率部46。

图4～图8的截面等中也并非必须具备低磁导率部46。即使不具备低磁导率部46，也能够起到上述(1)的效果。并且，在所有短路路径Lc必定通过低磁导率部46的此基础上，也可以仅设置所需最小限度的低磁导率部46。

并且，也可以将引导部件40中作为与铁芯22对置的部分的图2的底边部分整体设为低磁导率部。由此，能够对产生铁芯对置部30A的磁通不进入铁芯22而朝引导部件40侧进入的情况进行抑制。

对于取向磁化器30，也可以设为分离铁芯对置部30A和引导对置部30B的部件。该情况下，也可以在铁芯对置部30A与引导对置部30B之间夹持薄的非磁性体，并使该非磁性体与引导部件40与铁芯22的边界部分对置。由此，也能够对产生铁芯对置部30A的磁通不进入铁芯22而朝引导部件40侧进入的情况进行抑制。

此外，取向磁化器30也并非必须具备铁芯对置部30A。

并不限定于具备永久磁铁而构成。例如，也可以具备在齿部卷绕有线圈的部件(电磁铁)而构成。

对于铁芯，并不限定于硅钢板等电磁钢板的层叠体。例如，也可以由铸铁形成，并且也可以由软铁形成。

对于永久磁铁，并不限定于注射成型。例如，也可以是压缩成型。此处，在压缩成型的情况下，将利用树脂对磁粉进行涂敷而成的材料作为磁铁材料。并且，该情况下，如在引导孔一栏中记载那样，将与引导部件40的轴向Da正交的引导孔42的截面形状，在引导部件40的轴向Da的整个区域设为与插入孔24的形状相同且尺寸相同，通过利用冲压用导向件将填充于引导孔42的磁铁材料压入插入孔24侧，来执行填充工序。而且，该情况下，取向磁化器30也可以不具备铁芯对置部30A，而由刚性比永久磁铁32的刚性高的部件对铁芯22的外周进行覆盖。由此，即使因压缩成型而对插入孔24施加大的压力，也能够抑制铁芯22朝径向外侧膨胀。

对于转子而言，在图1中，内置于各个转子单元20的永久磁铁26配置于周向Dc的相同的相位，但并不限定于此。例如图1中，相对于图中最上部的转子单元20的永久磁铁26，使图中中央的转子单元20的永久磁铁26在周向Dc上稍微向图中左侧偏离，并相对于该中央的转子单元20的永久磁铁26，使图中最下部的转子单元20的永久磁铁26稍微向图中左侧偏离也可以。

作为构成转子10的转子单元20的个数，并不限定于3个，例如也可以是2个，也可以是4个以上。另外，也可以由一个转子单元20来构成转子10。

永久磁铁26的与轴向Da正交的截面的形状并不限定于U字形状，也可以是将U字形状分割为两半的形状，并且也可以是V字形状、辐条形状等。并且，在转子10的周向上配置的永久磁铁26的个数并不限定于10个。

除此之外，作为IPMSM，并不限定于内置于EPS。例如，也可以内置于可变齿轮比转向系统。当然，也不限定于内置于用于使方向盘转向的促动器。