一种适用于PERC电池片的双面镀膜石墨框的制作方法

本实用新型涉及太阳能光伏技术领域，尤其涉及一种适用于PERC电池片的双面镀膜石墨框。

背景技术：

目前，PERC电池片(钝化发射区背面电池，Passivated emitter rear contact solar cells)镀膜需要使用两台相互独立的镀膜机台，原因在于，现有的镀膜机台无法实现双面镀膜，具体地，是由于镀膜机台的承载装置，该承载装置包括多个阵列排布的石墨框，而石墨框的结构如图1所示，石墨框包括石墨边框1，所述石墨边框1的内侧设置有用于承载硅片2的台阶3，常用的石墨边框1的厚度为6mm，而开设的台阶3的宽度为3mm，台阶3的厚度为5.2mm，石墨边框1的宽度为5.5mm，也即相邻的两个石墨框中，石墨边框1的背对背的边框的台阶3的端面之间的距离为11mm，采用这种石墨框构成的承载装置承载厚度为0.2mm的硅片2时，硅片2搭放在台阶3上，台阶3的台阶面到边框的顶面的距离为0.8mm，这时，边框的顶面会高出硅片2的顶面，因而硅片2的边缘处会受到石墨边框1的顶部的高度影响，因而不能很好地实现硅片2的正面的镀膜，同时，由于台阶3的宽度过大，导致硅片2与台阶3搭接的宽大过大，从而硅片2的背面的边缘处会有将近2mm的宽度被遮挡，而这远远超过了硅片的预留边缘宽度1mm的余量，因而影响硅片2的背面的镀膜。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提出一种适用于PERC电池片的双面镀膜石墨框，能够使用一台镀膜机台进行上下两面镀膜，从而节省一台镀膜机台，极大地降低生产成本。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种适用于PERC电池片的双面镀膜石墨框，包括内部中空的石墨边框，所述石墨边框的每个边框的顶面均设置有台阶和斜面，所述台阶和所述斜面由内至外设置，所述台阶的竖直面的顶端连接所述斜面的底端，多个所述斜面形成上大下小的倒锥形开口结构，所述台阶的竖直面的高度略大于硅片的厚度，所述台阶的宽度略大于硅片的预留边缘宽度。

优选的，所述斜面相对于水平面的倾斜角度为12.77°～21.85°。

进一步优选的，所述斜面相对于水平面的倾斜角度为16.5°。

优选的，所述石墨边框的宽度为10～15mm。

进一步优选的，所述石墨边框的宽度为10mm。

优选的，所述台阶的厚度为1.5～1.8mm。

进一步优选的，所述台阶的厚度为1.5mm。

优选的，所述台阶的宽度为1.2～1.8mm。

进一步优选的，所述台阶的宽度为1.5mm。

优选的，所述台阶的竖直面的高度为0.5～0.8mm。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型的适用于PERC电池片的双面镀膜石墨框，包括内部中空的石墨边框，所述石墨边框的每个边框的顶面均设置有台阶和斜面，所述台阶和所述斜面由内至外设置，所述台阶的竖直面的顶端连接所述斜面的底端，多个所述斜面形成上大下小的倒锥形开口结构，所述台阶的竖直面的高度略大于硅片的厚度，所述台阶的宽度略大于硅片的预留边缘宽度；其将台阶的竖直面的高度设置为略大于硅片的厚度，也就是说，当硅片置于台阶的台阶面上时，硅片的顶面略低于台阶的竖直面的顶端，也即略低于斜面的底端，从而降低硅片的顶面与石墨边框的顶端的落差，进而在正面镀膜时，可以有效防止因突然抖动造成的硅片掉落，也可以较好地缓解石墨边框本身的高度对硅片的正面边缘的影响；同时，根据实际生产经验可知，预留边缘宽度一般为1mm左右，因而将台阶的宽度设置为略大于硅片的预留边缘宽度，当硅片放置于台阶的台阶面上时，台阶面与硅片的边缘的搭接宽度则不会过大，因而尽可能的缩小了台阶面对于硅片的背面的遮挡，从而有利于背面镀膜，因此，通过斜面与台阶的配合，使得其能够使用一台镀膜机台进行上下两面镀膜，从而节省一台镀膜机台，极大地降低生产成本。

附图说明

图1是现有技术中的石墨框的俯视结构示意图。

图2是图1中的石墨框的侧视结构示意图。

图3是本实用新型的石墨框的俯视结构示意图。

图4是图3中的石墨框的侧视结构示意图。

图中：1-石墨边框；2-硅片；3-台阶；4-斜面。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

如图3、4所示，一种适用于PERC电池片的双面镀膜石墨框，包括内部中空的石墨边框1，所述石墨边框1的每个边框的顶面均设置有台阶3和斜面4，所述台阶3和所述斜面4由内至外设置，所述台阶3的竖直面的顶端连接所述斜面4的底端，多个所述斜面4形成上大下小的倒锥形开口结构，所述台阶3的竖直面的高度略大于硅片2的厚度，所述台阶3的宽度略大于硅片2的预留边缘宽度。

优选的，所述斜面4相对于水平面的倾斜角度为12.77°～21.85°。所述斜面4相对于水平面的倾斜角度为13°、13.5°、14°、14.4°、15°、15.8°、16°、16.3°、17°、17.9°、18°、18.1°、19°、19.7°、20.3°、21°、21.85°。进一步优选的，所述斜面4相对于水平面的倾斜角度为16.5°。

优选的，所述石墨边框1的宽度为10～15mm。所述石墨边框1的宽度为10mm、10.2mm、10.4mm、10.6mm、10.8mm、11mm、11.2mm、11.4mm、11.6mm、11.8mm、12mm、12.2mm、12.4mm、12.6mm、12.8mm、13mm、13.2mm、13.4mm、13.6mm、13.8mm、14mm、14.2mm、14.6mm、14.8mm、15mm。进一步优选的，所述石墨边框1的宽度为10mm。

优选的，所述台阶3的厚度为1.5～1.8mm。所述台阶3的厚度为1.5mm、1.55mm、1.6mm、1.65mm、1.7mm、1.75mm、1.8mm。进一步优选的，所述台阶3的厚度为1.5mm。

优选的，所述台阶3的宽度为1.2～1.8mm。所述台阶3的宽度为1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm。进一步优选的，所述台阶3的宽度为1.5mm。

优选的，所述台阶3的竖直面的高度为0.5～0.8mm。所述台阶3的竖直面的高度为0.5mm、0.55mm、0.6mm、0.65mm、0.70mm、0.75mm、0.8mm。进一步优选的，所述台阶3的竖直面的高度为0.5mm。

在本实施例中，台阶3的宽度可以为略小于或者等于台阶3的厚度，这样可以保证向内凸出设置的台阶的机械强度，不至于弯曲，导致影响镀膜。

本实用新型的石墨框，将石墨边框的宽度加宽，在此基础上，设置斜面4，斜面4的高度为平缓下降，从而可以形成长缓坡状的结构，再配合台阶3，使得台阶3的台阶面与斜面的底端的高度，也就是台阶3的竖直面的高度略大于硅片的厚度0.2mm，这样可以有效降低硅片的顶面与石墨边框的顶端的落差，进而在正面镀膜时，可以有效防止因突然抖动造成的硅片掉落，确保上下面镀膜正常，且上下镀膜均无绕射情况，也可以较好地缓解石墨边框本身的高度对硅片的正面边缘的影响；同时，根据实际生产经验可知，预留边缘宽度一般为1mm左右，因而将台阶的宽度设置为略大于硅片的预留边缘宽度，也即一定程度上减小了台阶的宽度，当硅片放置于台阶的台阶面上时，台阶面与硅片的边缘的搭接宽度则不会过大，因而尽可能的缩小了台阶面对于硅片的背面的遮挡，最大限度的减少硅片背面未镀膜区域的量，从而有利于背面镀膜，因此，通过斜面与台阶的配合，使得其能够使用一台镀膜机台进行上下两面镀膜，从而节省一台镀膜机台，极大地降低生产成本。

此外，本实用新型的双面镀膜石墨框，在多个组合之后可以形成承载装置，这种承载装置可以用于在一台镀膜机进行上下两面镀膜，极大地降低生产成本。

以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。