本实用新型属于电池技术领域，更具体地，涉及一种备用电池电路。
背景技术：
目前大部分产品其芯片的备用电池电路是采用过二极管对电池充电，而二极管具有0.3V左右的管压降，当3.3V充电时其实际充电电压只有3.0V左右，从而使电池长期处于未充满状态，严重影响了备用电池的利用率、使用时间和使用寿命。
现有的电路是通过二极管充电，具有管压降，使得电池的充电电压降低，电池长期处于为充满状态，影响电池使用时间和寿命，从而芯片的工作时间减短，严重影响产品的使用性能。
技术实现要素：
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本实用新型提供了一种备用电池电路，其目的在于采用MOS管减小压降，提高电池的使用率，来增加芯片的工作时间，提高产品的可靠性，由此解决现有技术中电池长期处于充满状态，影响电池使用时间和寿命，从而芯片的工作时间减短，严重影响产品的使用性能的技术问题。
本实用新型提供了一种备用电池电路，包括MOS管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2和备用电池；所述MOS管Q1的栅极用于接收外部MCU单元输出的控制信号，所述MOS管Q1的漏极用于连接3.3V供电电源的输出端，所述MOS管Q1的源极用于连接外部待供电设备的供电输入端；所述第一电阻R1连接在所述MOS管Q1的栅极与源极之间，所述第二电阻R2的一端连接至所述MOS管Q1的源极，所述第二电阻R2的另一端连接至所述备用电池的正极，所述备用电池的负极接地。
其中，所述备用电池电路还包括与所述第二电阻R2并联连接的单向导通元件。
更进一步地，单向导通元件可以为二极管D1，所述二极管D1的阳极连接至所述备用电池的正极，所述二极管D1的阴极连接至所述MOS管Q1的源极。二极管D1的作用是用于防逆流，电池充电是经过R2，放电时经过D1。
更进一步地，所述备用电池电路还包括第一电容C1，其一端连接至所述MOS管Q1的源极，另一端接地。第一电容C1的作用是用于滤波。
更进一步地，所述备用电池电路还包括第二电容C2，与所述第一电容C1并联连接。第二电容C2的作用是用于滤波。
本实用新型应用于芯片的备用电池电路，旨在提高电池的利用率，增加电池的使用周期；通过芯片的I/O控制口来控制MOS管的关断，从而控制备用电池的充电情况。采用MOS管减小压降，提高电池的使用率，增加芯片的工作时间，提高产品的可靠性。
附图说明
图1是本实用新型提供的备用电池电路的电路图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
本实用新型通过MOS管控制，当MOS管导通状态是压降几乎为零，可以使3.3电池处于充满状态，提高了电池的使用率，增加了芯片的工作时间。
如图1，MCU_CTROL由芯片的I/O控制口引出，接MOS管Q1的G极，VCC为3.3V供电电源的输出脚，接MOS管Q1的D极，MOS管S极接VDD输入端，同时通过R2接备用电池正极端，VDD接其他芯片供电输入端。
如图1所示，当VCC正常供电时，MCU_CTROL输出低电平给MOS管Q1的G极，Q1导通，因VCC大于电池电压VBAT，VCC经过MOS管Q1给VDD供电，同时VCC经过电阻R2给电池充电。当VCC电源断开时，电池给VDD进行供电，同时电池经R1给MOS管Q1输出高电平，Q1断开，此时电池不能给VCC输出电压，减少电池损耗，延长工作时间。
VCC为输入电源，VDD给其他芯片供电。当VCC正常输入时，主芯片MCU_CRROL输入低电平，MOS管Q1截止状态，此时VCC经过Q1的体二极管给VDD供电，同时经过R2给电池充电。当VCC断开输入时，MCU停止工作，电池经二极管D1给VDD供电，使VDD端芯片继续工作。
本实用新型通过MOS管控制备用电池电路的充放电，减少压降，提高备用电池的充电电压，增加电池的使用时间和利用率。
目前，产品上所用的备用电路大都是直接通过二极管给电池充电，压降大，从而导致备用电池充电电压降低，电池长期处于未充满状态，严重影响电池的利用率和芯片的工作时间。而本实用新型通过MOS关控制，几乎没有压降，可以是电池处于充满状态，提高了电池的利用率和寿命，增加了芯片的工作时间，提高了产品的可靠性。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。