改进型并联可调高压输出电路的制作方法

本实用新型属于并联调压器领域，具体涉及一种改进型并联可调高压输出电路。

背景技术：

传统的并联型可调高压输出电路，如果为了达到一定的输出电压或电流，主回路上的串联电阻必须取值较小去实现，但是太小的取值会使电阻的损耗功率加大，温度升高，同时会使前级的高压输出转换器的功耗加大，效率下降，温度升高等问题，进而降低了整机的使用寿命。另一方面，如果为了保证产品的温度或寿命，则需要选择更高规格的(如更大功率)或加大前级高压输出电路的输出功率，这样又会使整机的成本进一步被提升。要达到一定的输出电压及电流，传统电路需要使用较小的基极驱动电阻及串联电阻，否则范围不够，但这会导致整机功耗加大，温度上升，寿命下降。

技术实现要素：

为了克服现有技术的缺点与不足，本实用新型的目的在于提供一种改进型并联可调高压输出电路。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：

改进型并联可调高压输出电路，包括PWM输入电路，运算放大器电路，偏置电压，基准高压，串联电阻、高压输出和高压调压电路，所述PWM输入电路接入所述运算放大器电路的反相输入端，所述运算放大器电路的输出端接入所述高压调压电路，所述偏置电压共同接入所述高压调压电路，所述高压调压电路的与所述基准高压共同接入所述高压输出的正极，所述高压输出的负极端串联有串联电阻，所述高压输出的正极与所述运算放大器的反相端之间连接有高压反馈电路，所述高压调压电路含有基极驱动电阻，串联电阻中的R203位于基极驱动电阻与输出电压之间。

进一步，所述高压调压电路包括驱动电阻，驱动电阻包括电阻R213、电阻R214、电阻R212、电阻R211，还包括串联电阻R203，还包括三极管Q208、三极管Q207、三极管Q206和三极管Q205，所述电阻R213、电阻R214、电阻R212、电阻R211和电阻R203依次串联，所述偏置电压接入所述三极管Q208的发射极，三极管Q208的基极与所述运算放大器的输出端共同接入所述电阻R213，三极管Q208的集电极接入三极管Q207的发射极，三极管Q207的基极接入电阻R213和电阻R214之间，三级管Q207的集电极接入三极管Q206的发射极，三极管Q206的基极接入电阻R214和电阻R212之间，电阻Q206的集电极接入三极管Q205的发射极，三极管Q205的基极接入电阻R212和电阻R211之间，三极管Q205的集电极与所述电阻R203的外端共同接入所述高压输出的正极，电阻R211和电阻R203之间通过电容C204接地。

进一步，所述高压反馈电路上串联有电阻R200。

有益效果:本实用新型相对于现有技术，偏置电压可相对降低，减少偏置电压源的输出功率；串联电阻与驱动电阻的阻值可较大而减低电阻损耗，降低其温度，加长电源寿命；可实现比传统并联电压电路更为宽的输出电压范围，使其使用范围更为宽广。

附图说明

图1是本实用新型的电路方框图。

图2是传统并联型可调高压输出电路的原理图。

图3是本实用新型的电路原理图。

1-基准高压 2-串联电阻 3-高压输出 4-高压反馈电路

5-PWM输入电路 6-运算放大器电路 7-高压调压电路 8-偏置电压

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

如图1和图3所示，一种改进型并联可调高压输出3电路，包括PWM输入电路5，运算放大器电路6，偏置电压8，基准高压1，串联电阻2、高压输出3和高压调压电路7，所述PWM输入电路5接入所述运算放大器电路6的反相输入端，所述运算放大器电路6的输出端接入所述高压调压电路7，所述偏置电压8共同接入所述高压调压电路7，所述高压调压电路7的与所述基准高压1共同接入所述高压输出3的正极，所述高压输出3的负极端串联有串联电阻2，所述高压输出3的正极与所述运算放大器电路6的反相端之间连接有高压反馈电路4。

进一步，所述高压调压电路7包括驱动电阻，驱动电阻包括电阻R213、电阻R214、电阻R212、电阻R211，还包括串联电阻R203，还包括三极管Q208、三极管Q207、三极管Q206和三极管Q205，所述电阻R213、电阻R214、电阻R212、电阻R211和电阻R203依次串联，所述偏置电压8接入所述三极管Q208的发射极，三极管Q208的基极与所述运算放大器电路6的输出端共同接入所述电阻R213，三极管Q208的集电极接入三极管Q207的发射极，三极管Q207的基极接入电阻R213和电阻R214之间，三级管Q207的集电极接入三极管Q206的发射极，三极管Q206的基极接入电阻R214和电阻R212之间，电阻Q206的集电极接入三极管Q205的发射极，三极管Q205的基极接入电阻R212和电阻R211之间，三极管R205的集电极与所述电阻R203的外端共同接入所述高压输出3的正极，电阻R211和电阻R203之间通过电容C204接地。

进一步，所述高压反馈电路4上串联有电阻R200。

如图2中的传统并联电路所示，R203串联于-2200V电压与R211之间，(例如：0V到-1100Vdc)，相对Vcc1而言：

在K-Drpwm为低占空比，要求输出电压为0V的时候，基极驱动电阻R211,R212,R213,R214取值需要较低才能完全导通Q205,Q206,Q207,Q208，否则输出电压达不到0V。

在K-Drpwm为高占空比，要求输出电压为-1100V，但由于基极驱动电阻较小，则要求R203也要较小，才能满足输出-1100V的要求，因为输出电压是取决于基极驱动电阻R211,R212,R213,R214串联值与负载电阻Rload的并联值和R203之间的分压。

通过以上两点分析，要达到一定的输出电压及电流，传统电路需要使用较小的基极驱动电阻及串联电阻R203，否则范围不够，但这会导致整机功耗加大，温度上升，寿命下降。

如图3中本改进型并联电路所示，并联调压电路上的R203移到串联于R211与输出电压Vout之间。位置移动后，在输入PWM为高占空比时，对于输出电压而言，驱动电阻R211,R212,R213,R214不再参与分压(传统并联调压电路的输出电压Vout是驱动电阻与负载电阻Rload并联后的阻值再与R203进行分压所得)，R203直接和Rload进行分压，从而得到输出电压Vout，所以R203可以取较大的阻值，甚至是与Rload相当的阻值，功耗自然也变小。而在低占空比时，对于Vcc1电压而言，因驱动电阻R211,R212,R213,R214是直接与Vmax相连，三极管的基极与发射极之间压差变大，Vcc1偏置电压8相对低点都可以使三极管Q205,Q206,Q207,Q208充分导通，同时驱动电阻也可适当加大而不影响三极管充分导通，这样驱动电阻的功耗也不会大。所以与传统电路相比，改进的电路在实现同样的高压输出3电压范围及负载电流时，R203更大，基极电阻R211,R212,R213,R214更大。因此，功率更低，效率会更高，整机寿命加长。

以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本实用新型的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。