1.应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，包括集成电路芯片，所述集成电路芯片中具有受保护芯片电路，所述集成电路芯片的外部设置有外置过压保护MOS开关管，所述外置过压保护MOS开关管位于外部输入电压端与受保护芯片电路供电电压端之间。
2.根据权利要求1所述的应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，所述外置过压保护MOS开关管为第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极连接外部输入电压端，所述第三NMOS管的源极连接受保护芯片电路供电电压端，所述第三NMOS管的栅极通过第一电容接地。
3.根据权利要求1所述的应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，所述受保护芯片电路供电电压端通过第二电容接地，所述第二电容即芯片内部电源滤波电容。
4.根据权利要求2所述的应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，所述第三NMOS管的栅极通过第一电阻连接所述第三NMOS管的漏极。
5.根据权利要求4所述的应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，所述集成电路芯片中包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一倒相放大器。
6.根据权利要求5所述的应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极均连接所述第三NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极连接所述受保护芯片电路供电电压端，所述第一NMOS管的栅极通过第一倒相放大器连接所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的栅极接收所述受保护芯片电路输出的过压控制信号，所述第二NMOS管的源极连接受保护芯片电路中升压电路。
7.根据权利要求4所述的应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，第一电阻和第一电容构成的RC电路决定所述第三NMOS管栅电压的启动速度，即受保护芯片电路供电电压的上电速度。
8.根据权利要求4所述的应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，第一电阻和第一电容构成的RC电路时间常数能够根据实际需要设定。
9.根据权利要求6所述的应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，所述受保护芯片电路中升压电路产生一个“受保护芯片电路供电电压+5伏”的电压作为所述第三NMOS管的栅极驱动源。
10.根据权利要求1所述的应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，所述外置过压保护MOS开关管通过可更换连接结构设置于所述集成电路芯片的封装结构外部，所述封装结构的内部包括所述受保护芯片电路和附加电路，所述附加电路从所述受保护芯片电路中获得过压控制信号OVP和作为所述外置过压保护MOS开关管栅极驱动源的电压。