一种可控硅触发供电电路的制作方法

文档序号:14450431
一种可控硅触发供电电路的制作方法

本实用新型属于电子电路技术领域,具体是涉及一种可控硅触发供电电路。



背景技术:

可控硅是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。其具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

现有技术中的逆变发电机控制电路中,三相半控整流都是共阴极结构。如图1所示,这种共阴极的触发电路较为简单,缺点是需要隔离供电电路和输入控制电源,输入控制电源为隔离供电电路提供电源,隔离供电电路输出一个比高压输出端(V+)还有高的电源(VCC)为触发电路供电,此设计需要的电子器件较多,成本较高。



技术实现要素:

本实用新型主要是解决上述现有技术所存在的技术问题,提供一种可控硅触发供电电路。

本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:一种可控硅触发供电电路,包括触发电路、可控硅半控整流电路、供电电路和稳压电路,所述可控硅半控整流电路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3、二极管D1、二极管D2和二极管D3,所述可控硅Q1、可控硅Q2和可控硅Q3的控制极G端均与触发电路相连接,所述可控硅Q1、可控硅Q2和可控硅Q3的阴极K端均与稳压电路相连接,所述可控硅Q1的阳极A端与二极管D1的负极相连接,所述可控硅Q2的阳极A端与二极管D2的负极相连接,所述可控硅Q3的阳极A端与二极管D3的负极相连接,所述二极管D1、二极管D2和二极管D3的正极均接地,且均与稳压电路相连接;所述供电电路包括二极管D4、二极管D5和二极管D6,所述二极管D4的正极与可控硅Q1的阳极A端相连接,所述二极管D5的正极与可控硅Q2的阳极A端相连接,所述二极管D6的正极与可控硅Q3的阳极A端相连接,所述二极管D4、二极管D5和二极管D6的负极并接后,再连接到滤波电容C4,所述滤波电容C4的另一端与可控硅Q1的阴极K端相连接,所述可控硅Q1、可控硅Q2和可控硅Q3的阴极A端均连接有三相发电机。

本实用新型的工作原理为:将二极管D4、二极管D5、二极管D6与可控硅半控整流电路中的二极管D1、二极管D2、二极管D3组成一个三相全桥整流电路,该三相全桥整流电路对三相发电机输出的三相交流电压进行整流,输出电压VCC。可控硅半控整流电路的输出电压为电压V+,当三相交流电压足够高时,电压VCC大于电压V+,电压VCC与电压V+之间存在一个电压差,该电压差为触发电路进行供电。稳压电路用于检测可控硅半控整流电路的输出电压,从而控制触发电路,保证可控硅半控整流电路的输出电压的稳定。触发电路用于驱动可控硅Q1、可控硅Q2和可控硅Q3。

本实用新型具有的有益效果:本实用新型通过对电路的改进,取消了原来的隔离供电电路,仅需主电源即可工作,结构简单,设计合理。

附图说明

图1是现有的可控硅半控整流触发电路的一种结构原理图;

图2是本实用新型的一种结构原理图。

具体实施方式

下面通过实施例,并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。

实施例:一种可控硅触发供电电路,如图2所示,包括触发电路、可控硅半控整流电路、供电电路和稳压电路,所述可控硅半控整流电路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3、二极管D1、二极管D2和二极管D3,所述可控硅Q1、可控硅Q2和可控硅Q3的控制极G端均与触发电路相连接,所述可控硅Q1、可控硅Q2和可控硅Q3的阴极K端均与稳压电路相连接,所述可控硅Q1的阳极A端与二极管D1的负极相连接,所述可控硅Q2的阳极A端与二极管D2的负极相连接,所述可控硅Q3的阳极A端与二极管D3的负极相连接,所述二极管D1、二极管D2和二极管D3的正极均接地,且均与稳压电路相连接;所述供电电路包括二极管D4、二极管D5和二极管D6,所述二极管D4的正极与可控硅Q1的阳极A端相连接,所述二极管D5的正极与可控硅Q2的阳极A端相连接,所述二极管D6的正极与可控硅Q3的阳极A端相连接,所述二极管D4、二极管D5和二极管D6的负极并接后,再连接到滤波电容C4,所述滤波电容C4的另一端与可控硅Q1的阴极K端相连接,所述可控硅Q1、可控硅Q2和可控硅Q3的阴极A端均连接有三相发电机。

本实用新型通过对电路的改进,取消了原来的隔离供电电路,仅需主电源即可工作,结构简单,设计合理。

最后,应当指出,以上实施例仅是本实用新型较有代表性的例子。显然,本实用新型不限于上述实施例,还可以有许多变形。凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均应认为属于本实用新型的保护范围。

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