本实用新型涉及电源电路领域，尤其是涉及一种低功耗开关电源电路结构。
背景技术：
电源电路是指提供给用电设备供应的电源部分的电路设计，使用的电路形式和特点。既有交流电源也有直流电源。
但是现有的电源电路结构存在下述缺点：(1)负载电源全部由开关电源提供，待机功耗较大。(2)使用继电器控制交流电，成本高、噪声大。(3)电路的稳定性和安全性差。
技术实现要素：
本实用新型为了克服现有技术的不足，提供一种低功耗开关电源电路结构，降低待机功耗，减少使用成本，不引入额外干扰。
为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：一种低功耗开关电源电路结构，其特征在于还包括依次连接的EMI滤波器、AC 控制电路、整流滤波电路、钳位电路、PWM控制部分，所述PWM控制部分与钳位电路之间连接一反馈电路；所述反馈电路包括依次串联的电阻R12、电阻R16、稳压二极管U4、电阻R13及电阻R11，所述电阻R13处并联一发光二极管、发光二极管连接光敏三级管，该光敏三级管连接PWM控制部分；电阻R12和电阻R16之间连接一电阻R14的一端，电阻R14的另一端连接一电容C9，电容C9的另一端连接光敏三级管；所述电阻R12和电阻R11均连接钳位电路。使用时，所述EMI滤波器连接外部电源，钳位电路连接供电设备；待机时，反馈电路可对输给供电设备的电流进行采样，并根据其是否能使发光二极管发管来判断电流的大小，当发光二极管发光时，光敏电阻可感知，判断电流过大，进而通过PWM控制部分来减小钳位电路的电流，达到降低待机功耗，减少使用成本的目的，而且本实用新型结构简单，容易实现，所需部件少，检测灵敏度高，制造成本低，还能有效防止引入额外的干扰。
进一步地，所述PWM控制部分包括处理芯片，该处理芯片具有VFB 引脚、COMP引脚、ISENSE引脚、OUTPUT引脚、RT/CT引脚及VREF引脚；所述COMP引脚和VFB引脚均连接反馈电路的光敏三极管，OUTPUT 引脚连接电阻R15、电阻R15连接稳压二极管D5的负极之后连接N 沟道增强型绝缘栅场效应管Q2的控制极栅极，N沟道增强型绝缘栅场效应管Q2的漏极连接钳位电路，N沟道增强型绝缘栅场效应管Q2 的源极串联电阻R19、电容C13之后连接ISENSE引脚，电阻R19、电容C13之间并联一电阻R18；所述VREF引脚串联电容C11和电容C12，电容C12连接RT/CT引脚，所述VREF引脚和RT/CT引脚之间并联一电阻R17，所述电容C12、电阻R19、稳压二极管D5的正极均接地。所述PWM控制部分结构简单，容易实现，使用效果好。
进一步地，还包括连接EMI滤波器的辅助电源。进而在使用时，可通过辅助电源进行补充供电，使用更加方便，实用。
进一步地，所述EMI滤波器包括第一电感、避雷器F1、第二电感、电容CX1、电容CY1、电容CY2、压敏电阻NTC1、电阻R7及电阻R8，所述第一电感一端连接辅助电源的L端和AC控制电路，第一电感另一端连接避雷器F1后再接JP芯片；所述第二电感一端连接辅助电源的N端和整流滤波电路，第二电感另一端连接压敏电阻NTC1后再接 JP芯片；所述压敏电阻NTC1和避雷器F1一端并联电容CY1与电容 CY2，所述压敏电阻NTC1和避雷器F1另一端并联电阻R7与电阻R8、电容CX1。使用时，JP芯片可接外部电源，第一电感和第二电感则可接辅助电源，辅助电源的供电稳定、安全性较高，无需经过EMI滤波器的滤波保护；EMI滤波器的避雷器可起到了避雷保护的作用，而压敏电阻可防止电压瞬间变化带来的伤害；本电源电路结构用于交流供电，加设了所述CY1、电容CY2、电阻R7、电阻R8、电容CX1后，能阻碍直流信号或者低频信号，保证供电的安全性。
综上所述，本实用新型能降低待机功耗，减少使用成本，不引入额外干扰，结构简单，容易实现，制造成本低，使用效果好。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的EMI滤波器结构示意图；
图3为本实用新型的AC控制电路结构示意图；
图4为本实用新型的整流滤波电路结构示意图；
图5为本实用新型的钳位电路结构示意图；
图6为本实用新型的PWM控制部分结构示意图；
图7为本实用新型的反馈电路部分结构示意图；
图8为本实用新型的辅助电源结构示意图。
其中，EMI滤波器1、AC控制电路2、整流滤波电路3、钳位电路4、PWM控制部分5、反馈电路6、辅助电源7。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好的理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
如图1-8所示，一种低功耗开关电源电路结构，包括依次连接的 EMI滤波器1、AC控制电路2、整流滤波电路3、钳位电路4、PWM控制部分5。所述PWM控制部分5与钳位电路4之间连接一反馈电路6；该反馈电路可实现电流的反馈，进而同PWM实现电流的控制，起到待机节能的作用。
如图1和图7所示，所述反馈电路6包括依次串联的电阻R12、电阻R16、稳压二极管U4、电阻R13及电阻R11，所述电阻R13处并联一发光二极管、发光二极管连接光敏三级管，该光敏三级管连接 PWM控制部分5。再者，电阻R12和电阻R16之间连接一电阻R14的一端，电阻R14的另一端连接一电容C9，电容C9的另一端连接光敏三级管；所述电阻R12和电阻R11均连接钳位电路4。反馈电路6可接收钳位电路4的电流，当反馈电路的电流超过一定值时，发光二极管会发光，光敏电阻感知光后，将该信息传送至PWM控制部分5，PWM 控制部分5控制钳位电路4的电流减小。
如图1和图6所示，所述PWM控制部分5包括处理芯片，该处理芯片具有VFB引脚、COMP引脚、ISENSE引脚、OUTPUT引脚、RT/CT 引脚及VREF引脚；该处理芯片优选为UC3842，其中，COMP引脚为输出电压光耦反馈引脚，ISENSE引脚为电流采样输入引脚，RT/CT引脚为输出频率调整引脚，OUTPUT引脚为PWM输出引脚。所述COMP引脚和VFB引脚均连接反馈电路6的光敏三极管，OUTPUT引脚连接电阻 R15、电阻R15连接稳压二极管D5的负极之后连接N沟道增强型绝缘栅场效应管Q2的控制极栅极，N沟道增强型绝缘栅场效应管Q2的漏极连接钳位电路4，N沟道增强型绝缘栅场效应管Q2的源极串联电阻 R19、电容C13之后连接ISENSE引脚，电阻R19、电容C13之间并联一电阻R18；所述VREF引脚串联电容C11和电容C12，电容C12连接 RT/CT引脚，所述VREF引脚和RT/CT引脚之间并联一电阻R17，所述电容C12、电阻R19、稳压二极管D5的正极均接地。所述处理芯片也接地，同时处理芯片还连接整流滤波电路3.
再者，如图1和图8所示，本实用新型还加设了辅助电源7，该辅助电源7连接EMI滤波器1。同时辅助电源7和外部电源公用EMI 滤波器1。
如图2所示，所述EMI滤波器1包括第一电感、避雷器F1、第二电感、电容CX1、电容CY1、电容CY2、压敏电阻NTC1、电阻R7及电阻R8。所述第一电感一端连接辅助电源7的L端和AC控制电路2，第一电感另一端连接避雷器F1后再接JP芯片，该JP芯片可连接外部电源。所述第二电感一端连接辅助电源7的N端和整流滤波电路3，第二电感另一端连接压敏电阻NTC1后再接JP芯片。所述压敏电阻 NTC1和避雷器F1一端并联电容CY1与电容CY2，所述压敏电阻NTC1 和避雷器F1另一端并联电阻R7与电阻R8、电容CX1。而且电容CY1 与电容CY2、电阻R7与电阻R8的位置可互换。
上述的AC控制电路2、整流滤波电路3、钳位电路4而辅助电源 7均选用现有的结构，此处不再赘述。
显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。