1.一种改善零序漏电密度预防零序电压的均压变匝补偿电容，其结构包括储液槽(1)、托片(2)、加固板(3)、电容器(4)、盖板(5)、接线端(6)、排气阀(7)、防零序电压器(8)，其特征在于：
所述电容器(4)上设位于结构顶部槽面处的盖板(5)，所述盖板(5)上设对应多个接线端(6)凹槽，所述接线端(6)间隔位置一侧设有排气阀(7)，所述电容器(4)下部位置配设有锁紧安装的加固板(3)，所述电容器(4)上设内嵌式防零序电压器(8)。
2.根据权利要求1所述的一种改善零序漏电密度预防零序电压的均压变匝补偿电容，其特征在于：所述防零序电压器(8)包括绕线组匝(30)、绕组(41)、导接架(52)、密接层(63)、零序电流铁芯(74)、抗压架(85)、通电座(96)，所述绕线组匝(30)由绕组(41)包覆相组合构成，所述导接架(52)安装在对应电容器(4)与绕线组匝(30)凹槽上，所述密接层(63)由零序电流铁芯(74)表面增大的芯包形成，所述零序电流铁芯(74)上设有平衡式抗压架(85)，所述抗压架(85)通路相导接通电座(96)，所述通电座(96)对应绕线组匝(30)凹槽构成。
3.根据权利要求1所述的一种改善零序漏电密度预防零序电压的均压变匝补偿电容，其特征在于：所述排气阀(7)配设在盖板(5)表面凹槽局部位置上。
4.根据权利要求1所述的一种改善零序漏电密度预防零序电压的均压变匝补偿电容，其特征在于：所述加固板(3)上设有位于两边组合相连的托片(2)。
5.根据权利要求1所述的一种改善零序漏电密度预防零序电压的均压变匝补偿电容，其特征在于：所述储液槽(1)由电容器(4)内腔凹槽构成。