一种限制冲击电流的电路的制作方法

本实用新型涉及电力技术领域，尤其涉及一种限制冲击电流的电路。

背景技术：

在开关电源开机时，因为要给电容充电，不可避免地产生冲击电流。过高的冲击电流会造成一系列的问题，例如保险丝熔断、输入电压波形瞬间下跌，甚至供电设备瞬间过载等问题。为避免这些问题发生，必须采取行之有效的限制冲击电流的措施。

常用的抑制冲击电流的方法是串联负温度系数热敏限流电阻器(ntc)，利用其在冷态时电阻较大，可以限制过大电流，电路启动后，电流使ntc发热，本体温度上升，阻抗降低的特性。虽然这种方法简单，但是存在热态时阻值不够低，损耗较大，不能应用在较大功率场景的问题，而且在反复开关机时，由于ntc温度较高，存在无法起到限流作用的问题。因此，针对上述问题，有必要提出进一步地解决方案。

技术实现要素：

本实用新型旨在提供一种限制冲击电流的电路，以克服现有技术中存在的不足。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种限制冲击电流的电路，包括电阻r1、r2、r3、r4，电容c1、c2、c3，二极管d1、d2以及mos管q1，所述电阻r1、r2串联后并联在电源输入正负端之间，所述电阻r3、r4串联后一端与电源输入正端连接，另一端与所述mos管q1的栅极连接，所述mos管q1的源极和漏极与电源输入负端连接，所述电容c2、c3分别并联在电源输出正负端之间，所述二极管d1的阳极与所述电阻r3连接，阴极与所述电阻r1连接，所述电容c1的一端与所述二极管d1的阴极连接，另一端与电源输入负端连接，所述二极管d2的阳极与电源输入负端连接，负极与所述电阻r3连接。

本实用新型的一个较佳实施例中，所述二极管d2为12v稳压管。

本实用新型的一个较佳实施例中，所述mos管q1为n-mos管。

本实用新型的一个较佳实施例中，所述二极管d1为肖特基二极管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型利用mos管线性开启区，配合少量元器件即可限制冲击电流，电路简单，成本低，所占面积小，适用于目前日益繁复的电路板排布，同时，有效解决了负温度系数热敏限流电阻器(ntc)受温度因素影响较大的问题，而且mos管内阻rds(on)小，即漏极和源极导通时电阻小，从而解决了ntc导致的损耗过大，使用场景受限的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的电路图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，

本技术：
的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

如图1所示，一种限制冲击电流的电路，包括电阻r1、r2、r3、r4，电容c1、c2、c3，二极管d1、d2以及mos管q1，电阻r1、r2串联后并联在电源输入正负端之间，电阻r3、r4串联后一端与电源输入正端连接，另一端与mos管q1的栅极连接，mos管q1的源极和漏极与电源输入负端连接，电容c2、c3分别并联在电源输出正负端之间，二极管d1的阳极与电阻r3连接，阴极与电阻r1连接，电容c1的一端与二极管d1的阴极连接，另一端与电源输入负端连接，二极管d2的阳极与电源输入负端连接，负极与电阻r3连接。其中，二极管d2为12v稳压管。mos管q1为n-mos管。二极管d1为肖特基二极管。

上电之后，电阻r1、r3流经的电流会先给电容c1充电，电容c1电压缓慢上升，直至升到由r1︱︳r3和r2阻值决定的分压值。mos管q1的栅极电压也跟随分压值慢慢上升，其时间常数可以用r1︱︳r3*c1估算，当电压大于mos管q1的最低门限电压，mos管q1跟随驱动电压线性导通，直到驱动电压上升到饱和导通电压，mos管q1完全导通。由于mos管q1的漏源极是逐渐导通，开始有较大的导通阻抗，从而有效限制了开机瞬间因电容c2、c3充电而产生的冲击电流。当电路进入稳定工作状态后，mos管q1漏源极始终处于饱和导通状态，损耗很低。二极管d2主要为了保护mos管q1栅极电压过压击穿，一般选取12v的稳压管。二极管d1和电阻r1、r2、r3及电容c1放缓mos管q1的开启速度，同时也可以保证mos管q1在刚上电时保持关断状态，通过调节电阻或电容参数来获得不同的mos管栅极电压的上升速度，从而获得不同的时间常数，时间越长，冲击电流抑制效果越好。mos管q1需要选取vds值大于输入最高瞬态电压的物料。

综上所述，本实用新型利用mos管线性开启区，配合少量元器件即可限制冲击电流，电路简单，成本低，所占面积小，适用于目前日益繁复的电路板排布，同时，有效解决了负温度系数热敏限流电阻器(ntc)受温度因素影响较大的问题，而且mos管内阻rds(on)小，即漏极和源极导通时电阻小，从而解决了ntc导致的损耗过大，使用场景受限的问题。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

技术特征：

1.一种限制冲击电流的电路，其特征在于，包括电阻r1、r2、r3、r4，电容c1、c2、c3，二极管d1、d2以及mos管q1，所述电阻r1、r2串联后并联在电源输入正负端之间，所述电阻r3、r4串联后一端与电源输入正端连接，另一端与所述mos管q1的栅极连接，所述mos管q1的源极和漏极与电源输入负端连接，所述电容c2、c3分别并联在电源输出正负端之间，所述二极管d1的阳极与所述电阻r3连接，阴极与所述电阻r1连接，所述电容c1的一端与所述二极管d1的阴极连接，另一端与电源输入负端连接，所述二极管d2的阳极与电源输入负端连接，负极与所述电阻r3连接。

2.根据权利要求1所述的限制冲击电流的电路，其特征在于，所述二极管d2为12v稳压管。

3.根据权利要求1所述的限制冲击电流的电路，其特征在于，所述mos管q1为n-mos管。

4.根据权利要求1所述的限制冲击电流的电路，其特征在于，所述二极管d1为肖特基二极管。

技术总结
本实用新型公开了一种限制冲击电流的电路，包括电阻R1、R2、R3、R4，电容C1、C2、C3，二极管D1、D2以及MOS管Q1，电阻R1、R2串联后并联在电源输入正负端之间，电阻R3、R4串联后一端与电源输入正端连接，另一端与MOS管Q1的栅极连接，MOS管Q1的源极和漏极与电源输入负端连接，电容C2、C3分别并联在电源输出正负端之间，二极管D1的阳极与电阻R3连接，阴极与电阻R1连接，电容C1的一端与二极管D1的阴极连接，另一端与电源输入负端连接，二极管D2的阳极与电源输入负端连接，负极与电阻R3连接。本实用新型利用MOS管线性开启区，配合少量元器件即可限制冲击电流，电路简单，成本低，所占面积小，适用于目前日益繁复的电路板排布。

技术研发人员：张培艳
受保护的技术使用者：上海剑桥科技股份有限公司
技术研发日：2020.12.11
技术公布日：2021.08.03