SOI晶圆质量检测方法及系统与流程

文档序号:25535436发布日期:2021-06-18 20:29来源:国知局

技术特征:

1.一种soi晶圆质量检测方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供soi晶圆,所述soi晶圆包括依次叠置的衬底层、埋氧层和半导体层;所述半导体层包括依次叠置的第一掺杂层和第二掺杂层;

在所述半导体层表面放置具有间隔距离的第一压力探针和第二压力探针;

将所述第一压力探针接地,对所述第二压力探针施加恒定的第一电压,对所述衬底层施加变化的第二电压,收集所述第二压力探针处不同第二电压所对应的第一电流数据;

根据不同的所述第二电压及其所对应的所述第一电流数据提取测试表面迁移率,并将所述测试表面迁移率与理论表面迁移率进行比对,以评估所述soi晶圆的质量。

2.根据权利要求1所述的soi晶圆质量检测方法,其特征在于,所述第一电压的恒定范围包括0.1v至1v,所述第二电压的变化范围包括-50v至50v。

3.根据权利要求1所述的soi晶圆质量检测方法,其特征在于,所述第一压力探针和所述第二压力探针的间隔距离包括0.1μm至1.5μm。

4.根据权利要求1所述的soi晶圆质量检测方法,其特征在于,所述衬底层的厚度范围包括0.5μm至1.5μm,所述埋氧层的厚度范围包括100nm至200nm,所述第一掺杂层的厚度范围包括50nm至150nm,所述第二掺杂层的厚度范围包括50nm至150nm。

5.根据权利要求4所述的soi晶圆质量检测方法,其特征在于,所述第一压力探针和所述第二压力探针在放置于所述半导体层表面后,插入所述半导体层的深度范围包括10nm至200nm。

6.根据权利要求1所述的soi晶圆质量检测方法,其特征在于,所述第一掺杂层为n型掺杂层,所述第二掺杂层为p型掺杂层。

7.一种soi晶圆质量检测系统,其特征在于,包括:

电流电压测试模块,其用于对所述soi晶圆进行电流电压测试;所述soi晶圆包括依次叠置的衬底层、埋氧层和半导体层;所述半导体层包括依次叠置的第一掺杂层和第二掺杂层;在所述半导体层表面放置有具有间隔距离的第一压力探针和第二压力探针;所述第一压力探针接地,所述电流电压测试模块对所述第二压力探针施加恒定的第一电压,对所述衬底层施加变化的第二电压;

数据收集及判断模块,其收集所述第二压力探针处不同第二电压所对应的第一电流数据,根据不同的所述第二电压及其所对应的所述第一电流数据提取测试表面迁移率,并将所述测试表面迁移率与理论表面迁移率进行比对,以评估所述soi晶圆的质量。

8.根据权利要求7所述的soi晶圆质量检测系统,其特征在于,所述第一电压的恒定范围包括0.1v至1v,所述第二电压的变化范围包括-50v至50v。

9.根据权利要求7所述的soi晶圆质量检测系统,其特征在于,所述第一压力探针和所述第二压力探针的间隔距离包括0.1μm至1.5μm。

10.根据权利要求7所述的soi晶圆质量检测系统,其特征在于,所述衬底层的厚度范围包括0.5μm至1.5μm,所述埋氧层的厚度范围包括100nm至200nm,所述第一掺杂层的厚度范围包括50nm至150nm,所述第二掺杂层的厚度范围包括50nm至150nm。

11.根据权利要求10所述的soi晶圆质量检测系统,其特征在于,所述第一压力探针和所述第二压力探针在放置于所述半导体层表面后,插入所述半导体层的深度范围包括10nm至200nm。

12.根据权利要求7所述的soi晶圆质量检测系统,其特征在于,所述第一掺杂层为n型掺杂层,所述第二掺杂层为p型掺杂层。


技术总结
本发明提供了一种SOI晶圆质量检测方法及系统,检测方法包括如下步骤:提供SOI晶圆,SOI晶圆包括衬底层、埋氧层和半导体层;放置第一压力探针和第二压力探针;将第一压力探针接地,对第二压力探针施加恒定的第一电压,对衬底层施加变化的第二电压;根据不同第二电压及所对应的第一电流数据提取测试表面迁移率,并与理论表面迁移率进行比对,以评估SOI晶圆的质量。本发明针对SOI晶圆质量的快速评估需求,通过对测试结构进行电流电压测试,提取表面迁移率,与理论值进行比对,揭示了能够表征SOI晶圆质量的电学特性,实现了对SOI晶圆质量的无损评估,对于太阳能电池SOI晶圆的工艺开发具有重要意义。

技术研发人员:刘森;戴彬;关宇轩;符韬;梁国豪
受保护的技术使用者:微龛(广州)半导体有限公司
技术研发日:2021.02.04
技术公布日:2021.06.18
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