专利名称：多功能保护器的制作方法
技术领域：
本实用新型提供一种以晶体管脉冲充电式反时限控制电路为主电路的多功能保护器。
现有的保护器如过流保护器，漏电保护器欠压保护器等一般电磁式和热继电器式保护器其灵敏度和速动性有限。近期出现的晶体管式保护器，虽然具有良好的灵敏度和速动性但可靠性差，误动作多，一般要达到较长延时的反时限特性往往遇到一定困难。
本实用新型的目的是提供一种以晶体管脉冲充电式反时限控制电路为主，具有通用多功能，良好的选择性，灵敏度高，可靠性高及速动性较理想的多功能保护器。
本实用新型是这样来完成的它主要由“上限”检测控制的晶体管脉冲充电式反时限保护电路，“下限”检测控制的短时延时保护电路，“上上限”检测控制的瞬时保护电路，启动闭锁电路，可控硅V21和继电器K组成；所述的“上限”检测控制的晶体管脉冲充电式反时限保护电路由电阻R10、电容C4，单结晶体管V13，三极管V17、电容C6，可控硅V21及继电器K组成；所述的“下限”检测控制的短时延时保护电路由二极管V2(二极管V5、V8)、稳压二极管V15、电阻R14分压电路，三极管V17、电容C6，可控硅V21及继电器R组成；所述的“上上限”检测控制的瞬时保护电路(1)过流保护由稳压二极管V10、电阻R11、R12分压电路，通过二极管V11连接可控硅V21及继电器K组成；(2)过压保护，由稳压二极管V22、电阻R24、R25通过二极管V23连接可控硅V21及继电器K组成；(3)漏电保护，由电阻R41、R42分压电路通过二极管V32，连接可控硅V21及继电器K组成；(4)欠压保护，由电阻R31、R32分压电路通过二极管V27，连接可控硅V21及继电器K组成；所述的启动闭锁电路由电容C5，电阻R15、R16组成。
以下结合附图
对本实用新型做进一步的说明。
附图为本实用新型的电路图参照附图，它具有以下保护功能，对于过流过压，欠压及漏电同时设有反时限和瞬时动作保护，对于断相设有短时动作保护，下面分别介绍，使用时按下SB2，接通保护系统电源，K吸合后，KM吸合并接通主路电源。
1、过流保护a、晶体管脉冲充电式反时限保护当三相或任一相过流时，如T1所述连接相，C1上电压升高，通过二极管V3，电阻R10把电容C4电压充高到单结晶体管V13导通电压时，V13开始振荡，同时V17给电容C6脉冲充电，当C6电压充到单结晶体管V19导通电压时、V19导通、V21导通，继电器K失放，KM失放，断开主路电源。
b、瞬时式保护当三相或任一相短路过流时，如T1所连接相C1上电压升高到瞬时整定值时，稳压二极管V10击穿，通过R11、V11使可控硅V21瞬时导通，继电器K失放，KM失放，断开主路电源。
2、断相保护，当三相或任一相断相时，该相无电流，如T1所连接相，C1通过R2、R3放电，R2、R3通过V2把V17拉到截止状态，给C7连续充电，使可控硅V21短时导通，K失放，KM失放，断开主路电源。
3、漏电保护a、晶体管脉冲充电式反时限保护，当有漏电时，在T4中产生零序电流信号，电阻R35上产生交流信号，通过直流检波放大、放大的直流电压通过V30、R43给C4充电，并达到V13的导通电压，单晶管V13开始振荡，同时V17给电容C6脉冲充电，当C6电压充到V19导通电压时，V19导通、V21导通、K失放，断开主路电流。
b、瞬时保护如果漏电超过整定值时，V32使V21瞬时导通，K失放、KM失放，断开主路电源。
4、欠压保护a、晶体管脉冲充电式反时限保护，当欠压超过整定值时，V26集电极电压升高，通过V28、R33给C4充电，V13导通后，反时限脉冲充电，V19导通V21导通、K失放断开主路电流。
b、瞬时保护当电压低到一定值时，V27导通使21瞬时导通，V21导通，K失放，断开主路电源。
5、过压保护a、晶体管脉冲充电式反时限保护，当产生过压时，超过的电压值全部降在R24、R25上，通过V24、R26给C4充电，V13振荡，同时V17给C6脉冲充电、V19导通，V21导通，K失放，KM失放，断开主路电源。
b、瞬时保护，当过压超过一定值时，V23导通使V21瞬时导通，K失放、KM失放断开主路电源。
6、启动闭锁电路，它由电容C5、电阻R15、R16构成，当接通电源时，C5开始充电，使V17迅速处于饱和“上限”的控制暂时闭锁，例如电机启动。C5、R15、R16在正常运行中不起作用。
附表过流、过压,欠压晶体管脉冲充电式反时限特性实施例。
权利要求1.一种多功能保护器，其特征在于它由“上限”检测控制的晶体管脉冲充电式反时限保护电路，“下限”检测控制的短时延时保护电路，“上上限”检测控制的瞬时保护电路，启动闭锁电路，可控硅V21和继电器K组成。
2.根据权利要求1所述的多功能保护器，其特征在于“上限”检测控制的晶体管脉冲充电式反时限保护电路由电阻R10、电容C4、单结晶体管V13、三极管V17、电容C6，可控硅V21及继电器K组成。
3.根据权利要求1所述的多功能保护器，其特征在于“下限”检测控制的短时延时保护电路由二极管V2(二极管V5、V8)、稳压二极管V15，电阻R14分压电路，三极管V17、电容C6，可控硅V21及继电器K组成。
4.根据权利要求1所述的多功能保护器，其特征在于“上上限”检测控制的瞬时保护电路是由(1)过流保护由稳压二极管V10，电阻R11、R12组成分压电路，通过二极管V11，连接可控硅V21及继电器K组成；(2)过压保护、稳压二极管V22，电阻R24、R25通过二极管V23连接可控硅V21及继电器K组成；(3)漏电保护由电阻R41、R42分压电路通过二极管V32，连接可控硅V21及继电器K组成；(4)欠压保护由电阻R31、R32分压电路通过二极管V27，连接可控硅V21及继电器K组成。
5.根据权利要求1所述的多功能保护器，其特征在于启动闭锁电路由电容C5、电阻R15、R16组成。
专利摘要本实用新型提供一种以晶体管脉冲充电式反时限控制电路为主的多功能保护器，它由“上限”检测控制的晶体管脉冲充电式保护电路，“下限”检测控制的短时延时保护电路，“上上限”检测控制的瞬时保护电路，启动闭锁电路，可控硅V21及继电器K组成，本装置具有通用多功能，良好的选择性，灵敏度高，可靠性高及速动性较理想。
文档编号H02H3/10GK2114911SQ92204320
公开日1992年9月2日 申请日期1992年3月12日 优先权日1992年3月12日
发明者张庆华 申请人:张庆华