电流互感器二次过电压保护器的制造方法

文档序号:8545543阅读:278来源:国知局
电流互感器二次过电压保护器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电力系统过电压吸收技术领域,尤其涉及一种电流互感器二次过电压保护器。
【背景技术】
[0002]电流互感器在电力系统中被广泛的运动于一次测量和控制,电流互感器在运行过程中如果发生二次绕组开路或者一次侧绕组流过异常电流,如雷击、谐振电流、电热式充电电流等,都会在二次侧产生数千伏甚至上万伏的高压,这不仅给二次系统绝缘造成危害,还会危及工作人员的生命。

【发明内容】

[0003]本发明的目的是提供一种电流互感器二次过电压保护器,它动作速度快,过载能力强,静态泄露电流小,可满足各种电流互感器的保护需求。
[0004]为了解决【背景技术】中所存在的问题,本发明是采用以下技术方案:它包括逻辑控制电路、过电压检测电路、可控硅保护装置,所述的逻辑控制电路一端接可控硅保护装置一端和电流互感器一端,另一端接电路负载一端,可控硅保护装置另一端接过电压检测电路一端和电流互感器一端另一端,过电压检测电路另一端接电路负载另一端。
[0005]本发明的电流互感器二次过电压保护器主要用于各种CT 二次侧的异常过电压保护,保护器固接于CT 二次绕组两端,正常运行时泄漏电流极小,呈高阻状态,当CT 二次回路开路或一次绕组出现异常过流时,二次绕组产生的电压远远高于正常运行电压,此时保护器迅速动作而短路,面板上显示故障的部位,并有无源接点信号输出,故障排除后,按手动复位按钮,电路恢复原状态后重新投入正常运行工作。
[0006]本发明的系统过电压抑制装置,它动作速度快,过载能力强,静态泄漏电流小,可满足各种电流互感器的保护需求。
【附图说明】
[0007]图1是本发明的电气原理图。
【具体实施方式】
[0008]参见图1,一种电流互感器二次过电压保护器,它包括逻辑控制电路、过电压检测电路、可控硅保护装置,所述的逻辑控制电路一端接可控硅保护装置一端和电流互感器一端,另一端接电路负载一端,可控硅保护装置另一端接过电压检测电路一端和电流互感器一端另一端,过电压检测电路另一端接电路负载另一端。
[0009]本发明的电流互感器二次过电压保护器主要用于各种CT 二次侧的异常过电压保护,保护器固接于CT 二次绕组两端,正常运行时泄漏电流极小,呈高阻状态,当CT 二次回路开路或一次绕组出现异常过流时,二次绕组产生的电压远远高于正常运行电压,此时保护器迅速动作而短路,面板上显示故障的部位,并有无源接点信号输出,故障排除后,按手动复位按钮,电路恢复原状态后重新投入正常运行工作。
[0010]本发明的系统过电压抑制装置,它动作速度快,过载能力强,静态泄漏电流小,可满足各种电流互感器的保护需求。
【主权项】
1.电流互感器二次过电压保护器,其特征在于,它包括逻辑控制电路、过电压检测电路、可控硅保护装置,所述的逻辑控制电路一端接可控硅保护装置一端和电流互感器一端,另一端接电路负载一端,可控硅保护装置另一端接过电压检测电路一端和电流互感器一端另一端,过电压检测电路另一端接电路负载另一端。
【专利摘要】电流互感器二次过电压保护器,它涉及电力系统过电压吸收技术领域。它包括逻辑控制电路、过电压检测电路、可控硅保护装置,所述的逻辑控制电路一端接可控硅保护装置一端和电流互感器一端,另一端接电路负载一端,可控硅保护装置另一端接过电压检测电路一端和电流互感器一端另一端,过电压检测电路另一端接电路负载另一端。本发明的系统过电压抑制装置,它动作速度快,过载能力强,静态泄漏电流小,可满足各种电流互感器的保护需求。
【IPC分类】H02H9-04
【公开号】CN104868459
【申请号】CN201510289015
【发明人】不公告发明人
【申请人】安徽禄讯电子科技有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年6月1日
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