降压型电源转换电路及系统的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及电源转换技术领域，特别涉及一种降压型电源转换电路及系统。
【背景技术】
[0002]植入式医疗电子产品和实时时钟(Real Time Clock，RTC)等均需在无外部电源的情况下长期工作；而在现有技术中，一般采用纽扣电池对上述植入式医疗电子产品和实时时钟进行供电，且由于现有技术中的纽扣电池所输出的电压为3V，而上述植入式医疗电子产品和实时时钟等的逻辑部分的工作电压均低于3V，因此，在现有技术中，亟需一种降压型电源转换电路，以降低纽扣电池所输出的电压，进而实现对上述植入式医疗电子产品和实时时钟等的逻辑部分进行供电。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种降压型电源转换电路及系统，以降低纽扣电池所输出的电压，进而实现对植入式医疗电子产品和实时时钟等的逻辑部分进行供电。
[0004]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0005]一种降压型电源转换电路，包括:可调电阻R1、三个二极管、N型金属氧化物半导体NMOS管、负载电阻RL和电容C ;
[0006]其中，所述可调电阻Rl的一端与所述NMOS管的漏极相连，另一端分别与所述NMOS管的栅极和三个串联的二极管的一端相连；所述三个串联的二极管的另一端接地；
[0007]所述NMOS管的源极分别与所述负载电阻RL的一端和电容C的一端相连，所述负载电阻RL的另一端和所述电容C的另一端均接地；
[0008]所述可调电阻Rl的一端与所述NMOS管的漏极所构成的公共端，作为降压型电源转换电路的输入端；
[0009]所述NMOS管的源极、所述负载电阻RL的一端和所述电容C的一端所构成的公共端作为所述降压型电源转换电路的输出端；其中，可根据所述降压型电源转换电路的输出端所输出的电压值对所述可调电阻Rl的阻值大小进行调整。
[0010]优选的，所述可调电阻Rl包括处于非饱和区的P型金属氧化物半导体PMOS管；
[0011]其中，所述PMOS管的源极作为所述可调电阻Rl的一端，与所述NMOS管的漏极相连，所述PMOS管的漏极作为所述可调电阻Rl的另一端，与所述三个串联的二极管的一端相连，栅极与所述降压型电源转换电路的输出端相连。
[0012]优选的，所述电路还包括:控制器；
[0013]其中，所述控制器的一端与所述降压型电源转换电路的输出端相连，另一端与所述可调电阻Rl的另一端相连；所述控制器可根据所述降压型电源转换电路所输出的电压值对所述可调电阻Rl的大小进行调整。
[0014]一种降压型电源转换系统，包括所述的降压型电源转换电路、纽扣电池和需供电产品的逻辑部分；
[0015]其中，所述降压型电源转换电路的输入端与所述纽扣电池的电压输出端相连，输出端与所述需供电产品的逻辑部分的电源输入端相连。
[0016]优选的，所述需供电产品包括植入式医疗电子产品和实时时钟。
[0017]在实际应用中，可将降压型电源转换电路的输入端与纽扣电池的电压输出端相连，将降压型电源转换电路的输出端与需供电产品的逻辑部分的电源输入端相连；由于三个串联的二极管和可调电阻Rl共同分得纽扣电池所输出的3V电压，那么三个串联的二极管处的电压值势必小于3V ;同时，由于NMOS管要实现漏极与源极的导通，其栅极的电压值势必要求大于源极的电压值，而栅极的电压值即等于三个串联的二极管处的电压值，因此，其源极的电压值势必小于3V，且由于NMOS管的源极即为降压型电源转换电路的输出端，综上，本发明的降压型电源转换电路的输出端所输出的电压值势必小于3V ;同时，由于本发明可根据输出端所输出的电压值对可调电阻Rl进行调整，这样亦可保证其输出的电压值保持稳定。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本发明实施例所提供的降压型电源转换电路的一示意图；
[0020]图2为本发明实施例所提供的降压型电源转换电路的另一示意图；
[0021]图3为本发明实施例所提供的降压型电源转换电路的又一示意图；
[0022]图4为本发明实施例所提供的降压型电源转换系统的示意图。
【具体实施方式】
[0023]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024]本发明公开了降压型电源转换电路的一种结构，如图1所示，至少包括:可调电阻R1、三个二极管(分别为二极管D1、二极管D2和二极管D3)、N型金属氧化物半导体(N-Mental-Oxide-Semiconductor, NMOS)管、负载电阻 RL 和电容 C ；
[0025]其中，可调电阻Rl的一端与NMOS管的漏极相连，另一端分别与NMOS管的栅极和二极管D1、二极管D2和二极管D3所串联的一端相连；而二极管D1、二极管D2和二极管D3串联的另一端接地；
[0026]NMOS管的源极分别与负载RL的一端和电容C的一端相连,而负载RL的另一端和电容C的另一端均接地；
[0027]而可调电阻Rl的一端与NMOS管的漏极所构成的公共端，作为降压型电源转换电路的输入端；
[0028]NMOS管的源极、负载电阻RL的一端和电容C的一端所构成的公共端作为降压型电源转换电路的输出端；其中，可根据降压型电源转换电路的输出端所输出的电压值对可调电阻Rl的阻值大小进行调整；
[0029]本发明的原理如下，仍可参见图1，可调电阻Rl串联二极管D1/D2/D3，连接在输入电压和地之间，可构成第一支路；而电阻Rl与二极管Dl的连接点可作为基准电压信号，与NMOS管的栅极连；可见，本发明的电路，结构简单，且第一支路的电流可由电阻Rl设定，由此可构成超低功耗基准电压产生电路；
[0030]且上述基准电压信号可驱动NMOS管的栅极，而NMOS管的漏极连接输入电压，源极连接输出电压；同时，负载电阻RL连接在输出电压与地之间，可构成第二支路；具体的，可通过调整负载电阻RL的电阻值来设定第二支路的电流；而电容C的主要作用是降低输出电压的瞬态纹波；由上可见，上述NMOS管、负载电阻RL和电容C可构成源跟器驱动电路，由此可提供较大的瞬态负载；
[0031]同时，需要说明的是，由于在上述源跟随器驱动电路负载重的时候(即负载电阻RL的电阻值较小时)，其NMOS管会流过较大的电流，且此时NMO