，多个发射极区域121和多个背面场区域172可以被交替地设置在半导体基板110的背面处。
[0155]各个背面场区域172可以是比半导体基板110更重度地掺杂有与半导体基板110相同的导电类型的杂质的区域(例如，η++型区域)。
[0156]多个第一电极C141分别可以在物理上连接并且电连接至多个发射极区域121，并且可以沿着发射极区域121形成在半导体基板110的背面上。
[0157]如图13所示，第一电极C141可以包括多个第一指状电极C141F和第一电极焊盘C141P。
[0158]多个第一指状电极C141F可以沿着半导体基板110的背面上的多个发射极区域121彼此分开。因此，当沿着第一方向X布置多个发射极区域121时，可以沿着第一方向X布置第一指状电极C141F。此外，当沿着第二方向y布置多个发射极区域121时，可以沿着第二方向I布置第一指状电极C141F。
[0159]第一电极焊盘C141P按照与多个第一指状电极C141F交叉的第二方向y形成在半导体基板I1的背面的端部处。因此，第一电极焊盘C141P的一侧可以共同连接至多个第一指状电极C141F，并且另一侧可以连接至互连器1C。
[0160]此外，多个第二电极C142可以通过多个背面场区域172在物理上连接并且电连接至半导体基板110，并且可以沿着多个背面场区域172形成在半导体基板110的背面上。
[0161]第一电极C141和第二电极C142在物理上彼此分开，并且在半导体基板110的背面上彼此电绝缘。
[0162]第二电极C142可以包括多个第二指状电极C142F和第二电极焊盘C142P。
[0163]多个第二指状电极C142F可以沿着半导体基板110的背面上的多个背面场区域172彼此分开。因此，当沿着第一方向X布置多个背面场区域172时，第二指状电极C142F可以沿着第一方向X布置并且与第一电极C141分开。此外，当沿着第二方向y布置多个背面场区域172时，第二指状电极C142F可以沿着第二方向y布置并且与第一电极C141分开。
[0164]第二电极焊盘C142P按照与多个第二指状电极C142F交叉的第二方向y形成在半导体基板I1的背面的端部处。因此，第二电极焊盘C142P的一侧可以共同连接至多个第二指状电极C142F，并且另一侧可以连接至互连器1C。
[0165]在根据本发明的实施方式的具有上述结构的太阳能电池中，由第一电极C141收集到的空穴和由第二电极C142收集到的电子可以通过外部电路装置而被用作外部装置的电力。
[0166]各自具有上述结构的多个太阳能电池CE可以通过连接至包括在如图13所示的太阳能电池中的第一电极焊盘C141P或第二电极焊盘C142P的互连器IC在第一方向X上串联连接。
[0167]作为示例，图12和图13示出了发射极区域121和背面场区域172这二者形成在半导体基板110的背面处。相反，发射极区域121可以形成在半导体基板110的正面处，并且可以通过形成在半导体基板110中的孔而连接至形成在半导体基板110的背面上的第一电极C141。
[0168]发射极区域121和背面场区域172可以通过经由热方法使杂质扩散而形成。另选地，发射极区域121和背面场区域172可以通过沉积方法而形成。即，可以通过各种方法形成发射极区域121和背面场区域172。
[0169]迄今为止，作为示例，本发明的实施方式描述了不具有单独的导电线的太阳能电池。相反，在根据本发明的实施方式的太阳能电池模块中，太阳能电池还可以在半导体基板110的背面上包括导电线。在下文中，描述了导电线进一步形成在半导体基板110的背面上的太阳能电池模块。
[0170]图14A和图14B例示了根据本发明的第五实施方式的太阳能电池模块。
[0171]更具体地，图14A示出了沿着图1的线Xl-Xl截取的截面图的另一示例，并且图14B示出了沿着图1的线Yl-Yl截取的截面图的另一示例。
[0172]在本发明的第五实施方式中省略了对与本发明的第一实施方式至第四实施方式所例示的结构和组件相同或等效的结构和组件的描述，并且主要描述了它们之间的差异。
[0173]此外，对本发明的第一实施方式至第四实施方式的描述可以被重复地应用于本发明的第五实施方式。
[0174]如图14A和图14B所示，适用于根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的太阳能电池还可以包括分别连接至形成在半导体基板110的背面上的第一电极C141和第二电极C142的第一导电线P141和第二导电线P142。第一导电线P141和第二导电线P142可以形成在绝缘构件200的正面上。
[0175]在根据本发明的实施方式的各个太阳能电池中，单独的太阳能电池元件可以通过将绝缘构件200的正面(在其上第一导电线P141和第二导电线P142被形成为彼此分开)连接至半导体基板110的背面(在其上多个第一电极C141和多个第二电极C142被形成为彼此分开)而形成。
[0176]如图14A所示，绝缘构件200在第一方向X上的端部以及第一导电线P141和第二导电线P142在第一方向X上的端部可以比半导体基板110在第一方向X上的端部突出更多。此外，如图14B所示，绝缘构件200在第二方向y上的端部可以比半导体基板110在第二方向I上的端部突出更多。
[0177]下面参照图15详细地描述以上描述的太阳能电池的结构。
[0178]当通过如上所述将绝缘构件200连接至半导体基板110的背面来形成单独的太阳能电池元件时，互连器IC可以连接至第一导电线P141或第二导电线P142。
[0179]例如，如图14A所示，互连器IC可以将第一太阳能电池CEl的第一导电线P141的正面连接至第二太阳能电池CE2的第二导电线P142的正面。
[0180]作为示例，本发明的第五实施方式描述了第一导电线P141和第二导电线P142形成在绝缘构件200的正面上。然而，可以省略绝缘构件200。
[0181]例如，如图14A所示，第一反射器RFl可以与互连器IC 一起形成一体。另选地，如图2B所示，与图14A不同，第一反射器RFl可以与互连器IC的正面分开。
[0182]当第一反射器RFl与互连器IC的正面一起形成一体时，第一反射器RFl的厚度和互连器IC的厚度的和可以与第一导电线P141和第二导电线P142中的每一个的厚度基本上相同或不同。
[0183]例如，第一导电线P141和第二导电线P142中的每一个的厚度可以是20 μπι至700 μ m，并且第一反射器RFl的厚度和互连器IC的厚度的和可以是35 μ m至1mm。
[0184]在上述厚度范围内第一反射器RFl的厚度和互连器IC的厚度的和可以与第一导电线P141和第二导电线P142中的每一个的厚度基本上相同或不同。
[0185]此外，通过将第一导电线P141的厚度或第二导电线P142的厚度与第一反射器RFl的厚度和互连器IC的厚度的和相加而获得的值可以大于半导体基板110的厚度。
[0186]例如，当半导体基板110的厚度是200 μπι时，通过将第一导电线P141的厚度或第二导电线Ρ142的厚度与第一反射器RFl的厚度和互连器IC的厚度的和相加而获得的值可以大于200 μ m。
[0187]如此形成的形成在第一反射器RFl的正面处的不平表面的第一突起Pl可以通过半导体基板110的表面，并且还可以朝向太阳能电池模块的前面突出。
[0188]因此，可以防止从第一反射器RFl反射的光被半导体基板110的侧面阻挡，并且入射在半导体基板110的正面上的光的量可以进一步增加。
[0189]此外，互连器IC的材料可以与第一导电线P141和第二导电线P142的材料相同或不同。
[0190]例如，互连器IC可以包括通过利用基于锡(Sn)的金属(例如，SnB1、SnIn或SnPb)来涂覆由铜(Cu)、铝(Al)和银(Ag)中的一种形成的芯而形成的涂覆层。
[0191]此外，第一导电线P141和第二导电线P142中的每一个可以包括通过利用基于锡(Sn)的金属(例如，SnB1、SnIn或SnPb)来涂覆由铜(Cu)和销(Al)中的一种形成的芯而形成的涂覆层。
[0192]在本文公开的实施方式中，互连器IC的芯可以与第一导电线P141和第二导电线P142的芯基本上相同或不同，并且互连器IC的涂覆层可以与第一导电线P141和第二导电线P142的涂覆层基本上相同或不同。
[0193]在这种情况下，如图14A所示，第一反射器RFl被设置在第一太阳能电池CEl和第二太阳能电池CE2的半导体基板110之间。第一反射器RFl可以与比半导体基板110的端部或第一导电线P141和第二导电线P142的端部突出更多的绝缘构件200的端部交叠。
[0194]如图14B所示，第二反射器RF2被设置在第二太阳能电池CE2与第三太阳能电池CE3的半导体基板110之间。第二反射器RF2可以在第二方向y上与暴露于半导体基板110的外部的绝缘构件200的端部交叠。
[0195]作为示例，图14B示出了第二反射器RF2与绝缘构件200分开。相反，第二反射器RF2可能不与绝缘构件200分开。
[0196]此外，本发明的第一实施方式至第四实施方式、第一修改例至第三修改例及其组合可以应用于根据本发明的第五实施方式的太阳能电池模块的第一反射器RFl和第二反射器RF2。
[0197]下面描述了适用于图14A和图14B所示的太阳能电池模块的太阳能电池的示例。
[0198]图15至图19C示出了适用于根据本发明的第五实施方式的太阳能电池模块的太阳能电池的示例。
[0199]更具体地，图15是根据本发明的实施方式的太阳能电池的部分立体图，图16是沿着图15的线16-16截取的截面图，并且图17示出了在图15和图16所示的太阳能电池中彼此单独地连接的半导体基板110和绝缘构件200中的每一个的电极图案的示例。
[0200]在图17中，(a)示出了布置在半导体基板110的背面上的第一电极C141和第二电极C142的图案的示例；(b)是沿着图17中的(a)中的线17(b)_17(b)截取的截面图；(c)示出了布置在绝缘构件200的正面上的第一导电线P141和第二导电线P142的图案的示例；并且⑷是沿着图17中的(c)中的线17(d)-17(d)截取的截面图。
[0201]此外，图18示出了图17所示的半导体基板110和绝缘构件200彼此连接的状态。图19A是沿着图18的线19a-19a截取的截面图；图19B是沿着图18的线19b_19b截取的截面图；并且图19C是沿着图18的线19c-19c截取的截面图。
[0202]如图15和图16所示，除参照图12和图13所述的半导体基板110、防反射层130、发射极区域121、背面场区域172、多个第一电极C141和多个第二电极C142之外，根据本发明的实施方式的太阳能电池的示例还可以包