一种基于浪涌电流限制的低噪音高频变换器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子领域，具体是指一种基于浪涌电流限制的低噪音高频变换器。
【背景技术】
[0002]随着电路电子技术的不断发展，变换器已经应用于各行各业中。同时，随着工业发展不断加快，生产设备也在不断更新，以满足人们的生产需求。然而，现有的变换器在高频环境下工作时电流的不稳定造成噪音过大，无法满足一些低噪音要求的场合。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服现有的变换器在高频环境下工作时电流的不稳定造成噪音过大，提供一种低噪音高频率变换器。
[0004]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种基于浪涌电流限制的低噪音高频变换器，由变压器Tl，变压器T2，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，在处理电路的输出端相连接的第二转换电路，在变压器Tl原边和混频电路之间还设有浪涌电流限制电路，以及与浪涌电流限制电路相连接的线性驱动电路组成。所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接；所述的浪涌电流限制电路是由PDP型林顿管Ql，PDP型林顿管Q2，三极管VT8，电感L，P极顺次经稳压二极管D4、极性电容C13、电阻R22、可变电阻R23后与三极管VT8的集电极相连接、N极顺次经二极管D5、可调电阻R21后与三极管VT8的发射极相连接的稳压二极管D3，正极与三极管VT8的集电极相连接、负极经电阻R15后与三极管VT8的基极相连接的极性电容C14，一端与极性电容C14的负极相连接、另一端与稳压二极管D3的N极相连接的电阻R14，正极经电阻R18后与电阻R21与三极管VT8的集电极的连接点相连接、负极接地的极性电容C10，N极与三极管VT8的集电极相连接、P极顺次经电阻R19、极性电容Cll后与PDP型林顿管Ql的发射极相连接的稳压二极管D6，负极与PDP型林顿管Ql的基极相连接、正极经热敏电阻R20后与PDP型林顿管Q2的集电极相连接的极性电容C12，以及P极顺次经电阻R17、电阻R16后与二极管D5与可调电阻R21的连接点相连接、N极经电阻R19与极性电容Cll的连接点后与变压器Tl原边同名端和非同名端相连接的二极管D7组成；所述电感L串接在二极管D7的P极和N极两端；所述二极管D7与电阻R17的连接点与极性电容C13与二极管D4的连接点相连接；所述I3DP型林顿管Q2的基极与二极管D6的P极相连接、其发射极接地；所述PDP型林顿管Ql的集电极分别与三极管VT8的集电极和混频电路相连接；极性电容C13与电阻R22的连接点与线性驱动电路相连接。
[0005]所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极作为电路输入端、负极经电阻R7后与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C7，一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端经电阻R9后与三极管VT6的基极相连接的电阻R8，正极与三极管VT4的基极相连接、负极与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C9，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C8，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R11，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT6的基极相连接的电阻R10，N极与三极管VT4的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D1，正相端与三极管VT4的集电极相连接、反相端与三极管VT7集电极相连接的非门K，一端与三极管VT7发射极相连接、另一端经电阻R12后与三极管VT6的发射极相连接的电阻R13，以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R12和电阻R13的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VT4的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极还与三极管VT7的基极相连接、其发射极与三极管家VT6的基极相连接，三极管VT6的集电极接地，二极管D2的N极与极性电容C13与电阻R22的连接点相连接。
[0006]所述的混频电路由双栅极场效应管Q，晶体振荡器X，电阻R1，电阻R3，以及电感LI组成；电阻Rl的一端与双栅极场效应管Q的a栅极相连接、另一端与PDP型林顿管Ql的集电极相连接，晶体振荡器X的一端与场效应管Q的a栅极相连接、另一端与场效应管Q的漏极相连接，电感LI的一端与场效应管Q的漏极相连接、另一端经电阻R3后回到场效应管Q的漏极；电阻R3和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管Q的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
[0007]所述的第一转换电路由三极管VT2，一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管Q的源极相连接的电阻R2，与电阻R2相并联的电容Cl，负极与电阻R3和电感LI的连接点相连接、正极与三极管VT2的集电极相连接的电容Cl组成；所述三极管VT2的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
[0008]所述处理电路由三极管VTl，三极管VT3，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R4，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端同时与三极管VT2的发射极以及第二转换电路相连接的电阻R5组成；所述三极管VT3的基极与三极管VTl的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管VTl的基极与电阻R3和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与场效应管Q的漏极以及第二转换电路相连接。
[0009]所述的第二转换电路包括电容C6，电容C5，电容C4，电容C3，电阻R6 ;电容C6的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管VTl的集电极相连接，电容C5的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C4的正极与三极管VT3的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，电容C3的正极与三极管VT2的发射极相连接、其负极则经电阻R6后与电容C4的负极相连接；电容C3的负极还与外部电压相连接，所述变压器Tl副边同名端接地，变压器T2副边的同名端接地、非同名端作为信号输出端。
[0010]所述的驱动芯片U为LM387集成芯片。
[0011]本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0012](I)、本发明能够大大提高频变换器的工作频率，使其能够满足现在新型设备的工作需求。
[0013](2)、本发明采用浪涌电流限制电路，可以限制高频变换器电流，使其电流保持在最低有效值，从而降低高频变换器长时间工作时噪音。
[0014](3)、本发明采用双栅极场效应管的设计，使变换器工作更加稳定。
[0015](4)、本发明采用线性驱动电路，可以使变换器在高频工况下工作时产生很小的噪音，足一些低噪音要求的场合。
【附图说明】
[0016]图1为本发明的整体电路图。
[0017]图2为本发明线性驱动电路的整体电路图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0019]实施例
[0020]如图1所示，本发明的低噪音高频变换器，由变压器Tl，变压器T2，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，在处理电路相输出端相连接的第二转换电路；设置在变压器Tl原边和混频电路之间的浪涌电流限制电路，以及与浪涌电流限制电路相连接的线性驱动电路组成。所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接。
[0021]所述的浪涌电流限制电路是由PDP型林顿管Ql，PDP型林顿管Q2，三极管VT8，电感L，电阻R14，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，热敏电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，极性电容C10，极性电容C11，极性电容C12，极性电容C13，极性电容C14，稳压二极管D3，稳压二极管D4，二极管D5，稳压二极管D6，以及二极管D7组成。
[0022]实施时，稳压二极管D3的P极顺次经稳压二极管D4、极性电容C13、电阻R22、可变电阻R23后与三极管VT8的集电极相连接、N极顺次经二极管D5、可调电阻R21后与三极管VT8的发射极相连接。极性电容C14的正极与三极管VT8的集电极相连接、负极经电阻R15后与三极管VT8的基极相连接。电阻R14的一端与极性电容C14的负极相连接、另一端与稳压二极管D3的N极相连接。极性电容ClO的正极经电阻R18后与电阻R21与三极管VT8的集电极的连接点相连接、负极接地。
[0023]其中，稳压二极管D6的N极与三极管VT8的集电极相连接、P极顺次经电阻R19、极性电容Cll后与PDP型林顿管Ql的发射极相连接。极性电容C12的负极与PDP型林顿管Ql的基极相连接、正极经热敏电阻R20后与PDP型林顿管Q2的集电极相连接。以及二极管D7的P极顺次经电阻R17、电阻R16后与二极管D5与可调电阻R21的连接点相连接、N极经电阻R19与极性电容Cll的连接点后与变压器Tl原边同名端和非同名端相连接。
[0024]所述电感L串接在二极管D7的P极和N极两端；所述二极管D7与电阻R17的连接点与极性电容C13与二极管D4的连接点相连接；所述PDP型林顿管Q2的基极与二极管D6的P极相连接、其发射极接地；所述PDP型林顿管Ql的集电极分别与三极管VT8的集电极和混频电路相连接；极性电容C13与电阻R22的连接点与线性驱动电路相连接；
[0025]为了更好的实施本发明，该电路中的可变电阻R23优先采用金属氧化物可变电阻，其可变值范围5 Ω?25Ω ;热敏电阻R20则采用负温度系数热敏电阻，用于限制启动浪通电流。
[0026]如图2所示，所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，电阻R7，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，电阻R13，极性电容C7，极性电容C18，极性电容C9，二极管Dl，二极管D2，以及非门K组成。
[0027]连接时，极性电容C7的正极作为电路输入端、负极经电阻R7后与驱动芯片U的INl管脚相连接。电阻R8的一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端经电阻R9后与三极管VT6的基极相连接。极性电容C9的正极与三极管VT4的基极相连接、负极与驱动芯片U的INl管脚相连接。极性电容C8的正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地。电阻Rll的一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接。电阻RlO