一种基于浪涌电流限制的高负载线束下线机系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种线束下线机驱动系统，具体是指一种基于浪涌电流限制的高负载线束下线机系统。
【背景技术】
[0002]目前电子产品种类、功能不断增加，线束的使用随之增多。在线束生产过程中工作量非常大，现在人们广泛使用线束下线机进行线束生产从而大大提高了工作效率。
[0003]然而，目前线束下线机驱动系统的电压电流不稳定导致负载能力不够，当其电压电流过大时很容易烧坏驱动系统。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服目前线束下线机驱动系统的电压电流不稳定导致负载能力不够的缺陷，提供一种基于浪涌电流限制的高负载线束下线机系统。
[0005]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种基于浪涌电流限制的高负载线束下线机系统，由前端采样电路，和前端采样电路输出端相连接的线性驱动电路，与线性驱动电路相连接的触发电路，和触发电路输出端相连的稳压电路，与稳压电路相连接的自举电路，与自举电路相连接的输出电路，以及设置在稳压电路与自举控制电路之间的浪涌电流限制电路组成。所述的浪涌电流限制电路是由PDP型林顿管Ql，PDP型林顿管Q2，三极管VT7，电感L，P极顺次经稳压二极管D8、极性电容C14、电阻R27、可变电阻R28后与三极管VT7的集电极相连接、N极顺次经二极管D9、可调电阻R26后与三极管VT7的发射极相连接的稳压二极管D7，正极经可变电阻R28与三极管VT7的集电极的连接点后与稳压电路相连接、负极经电阻R20后与三极管VT7的基极相连接的极性电容C15，一端与极性电容C15的负极相连接、另一端与稳压二极管D7的N极相连接的电阻R19，正极经电阻R23后与电阻R26与三极管VT7的集电极的连接点相连接、负极接地的极性电容C11，N极与三极管VT7的集电极相连接、P极顺次经电阻R24、极性电容C12后与PDP型林顿管Q2的发射极相连接的稳压二极管D10，负极与PDP型林顿管Q2的基极相连接、正极经热敏电阻R25后与PDP型林顿管Q3的集电极相连接的极性电容C13，以及P极顺次经电阻R22、电阻R21后与二极管D9与可调电阻R26的连接点相连接、N极经电阻R24与极性电容C12的连接点后与自举控制电路相连接的二极管Dll组成；所述电感L串接在二极管Dll的P极和N极两端；所述二极管Dll与电阻R22的连接点与极性电容C14与二极管D5的连接点相连接；所述PDP型林顿管Q3的基极与二极管D9的P极相连接、其发射极接地；所述PDP型林顿管Q2的集电极与三极管VT7的集电极相连接。
[0006]所述的线性驱动电路由驱动芯片Ul，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，正极与前端采样电路相连接、负极经电阻R12后与驱动芯片Ul的INl管脚相连接的极性电容C8，一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端经电阻R14后与三极管VT3的基极相连接的电阻R13，正极与三极管VT6的基极相连接、负极与驱动芯片Ul的INl管脚相连接的极性电容C10，正极与驱动芯片Ul的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C9，一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R16，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R15，N极与三极管VT6的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D5，正相端与三极管VT6的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K，一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R17后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R18，以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R17和电阻R18的连接点相连接的二极管D6组成；所述驱动芯片Ul的VCC管脚与三极管VT6的基极相连接、GND管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极接地，二极管D6的N极与触发电路相连接。
[0007]所述的前端采样电路包括二极管D1，二极管D2，极性电容Cl，电阻Rl ;二极管D2的N极经极性电容Cl后与二极管Dl的P极相连、P极则经电阻Rl后与二极管Dl的N极相连；所述二极管D2的P极还同时与触发电路以及电容CS的正极相连接。
[0008]所述的触发电路由三极管VT1，极性电容C2，电感LI组成；三极管VTl的基极与二极管D6的N极相连，其集电极则与稳压电路相连接，发射极经极性电容C2后同时与二极管D2的P极和输出电路相连接；电感LI的一端与三极管VTl的集电极相连，另一端则与二极管D2的P极相连。
[0009]所述的稳压电路由稳压芯片U，一端与三极管VTl的集电极相连、另一端与稳压芯片U的VDD管脚相连的电阻R2，以及一端与稳压芯片U的GND管脚相连、另一端接地的电阻R 3组成；所述稳压芯片U的OUT管脚则与自举电路相连接，其VDD管脚还与电容C15的正极相连接。
[0010]所述自举控制电路由三极管VT2，场效应管Q，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端则与输出电路相连接的电阻R8，正极与三极管VT2的发射极相连接、负极则与输出电路相连接的极性电容C6，正极与场效应管Q的源极相连接、负极与极性电容C6的负极相连接的极性电容C5，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端经电阻R4后接地的电阻R6，正极与二极管Dll的N极相连接、负极经电阻R7后接地的极性电容C4，正极与稳压芯片U的OUT管脚相连接、负极则与场效应管Q的栅极相连接的极性电容C3，以及一端与极性电容C3的负极相连接、另一端则与极性电容C4的正极相连接的的电阻R5组成；所述场效应管Q的漏极与三极管VTl的基极相连接，源极与极性电容C4的负极相连接。
[0011]所述的输出电路包括二极管D3，二极管D4，极性电容C7，电阻R9，电阻R10，电阻Rll ;极性电容C7的正极与二极管D3的N极相连接、其负极经电阻RlO和电阻R9后与极性电容C6的负极相连接，电阻Rll与电阻RlO相并联，二极管D3的N极与电阻R8相连接、其P极与二极管D4的P极相连接，二极管D4的N极与极性电容C5的负极相连接、P极则与二极管D2的P极相连接。
[0012]所述的驱动芯片U优选为LM387集成芯片；所述的稳压芯片U为A705集成芯片。
[0013]本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0014](I)、本发明采用浪涌电流限制电路，可以限制高负载线束下线机系统的电路电流，使其电流保持在最低有效值；改善了高负载线束下线机系统电路的电流不稳定的缺陷，防止电流过大其被高电流损坏。
[0015](2)、本发明设置了线性驱动电路，其能够有效的提升线束下线机驱动系统的负载能力，避免驱动系统因负载过大而烧坏。
[0016](3)本发明结构简单，制作成本低，适合广泛推广。
【附图说明】
[0017]图1为本发明的整体电路图。
[0018]图2为本发明线性驱动电路的电路图。
[0019]图3为本发明浪涌电流限制电路的结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0021]实施例
[0022]如图1所示，本发明由前端采样电路，和前端采样电路输出端相连接的线性驱动电路，与线性驱动电路相连接的触发电路，和触发电路输出端相连的稳压电路，与稳压电路相连接的自举电路，与自举电路相连接的输出电路，以及设置在稳压电路与自举控制电路之间的浪涌电流限制电路组成。
[0023]所述浪涌电流限制电路的结构如图3所示，由PDP型林顿管Q2，PDP型林顿管Q3，三极管VT7，电感L，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电阻R24，热敏电阻R25，电阻R36，电阻R27，电阻R28，极性电容Cl I，极性电容C12，极性电容C13，极性电容C14，极性电容C15，稳压二极管D7，稳压二极管D8，二极管D9，稳压二极管D10，以及二极管Dll组成。
[0024]实施时，稳压二极管D7的电感L，P极顺次经稳压二极管D8、极性电容C14、电阻R27、可变电阻R28后与三极管VT7的集电极相连接、N极顺次经二极管D9、可调电阻R26后与三极管VT7的发射极相连接。极性电容C15的正极经可变电阻R28与三极管VT7的集电极的连接点后与稳压电路相连接、负极经电阻R20后与三极管VT7的基极相连接。电阻R19的一端与极性电容C15的负极相连接、另一端与稳压二极管D7的N极相连接。
[0025]其中，极性电容Cl I的正极经电阻R23后与电阻R26与三极管VT7的集电极的连接点相连接、负极接地。稳压二极管DlO的N极与三极管VT7的集电极相连接、P极顺次经电阻R24、极性电容C12后与PDP型林顿管Q2的发射极相连接。极性电容C13的负极与I3DP型林顿管Q2的基极相连接、正极经热敏电阻R25后与PDP型林顿管Q3的集电极相连接。二极管Dll的P极顺次经电阻R22、电阻R21后与二极管D9与可调电阻R26的连接点相连接、N极经电阻R24与极性电容C12的连接点后与自举控制电路相连接。
[0026]所述电感L串接在二极管Dll的P极和N极两端；所述二极管Dll与电阻R22的连接点与极性电容C14与二极管D5的连接点相连接；所述PDP型林顿管Q3的基极与二极管D9的P极相连接、其发射极接地；所述PDP型林顿管Q2的集电极与三极管VT7的集电极相连接。
[0027]为了更好的实施本发明，该电路中的可变电阻R28优先采用金属氧化物可变电阻，其可变值范围5 Ω?25Ω。热敏电阻R25则采用，用于限制启动浪通电流，当高负载线束下线机系统电流过大时，负温度系数热敏电阻断开，温度正常后导通，其避免系统损坏。
[0028]如图2所示，所述的线性驱动电路由驱动芯片U1，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，极性电容C8，极性电容C9，极性电容ClO，二极管D5，二极管D6，以及非门K组成。
[0029]连接时，极性电容CS的正极与前端采样电路相连接、负极经电阻R12后与驱动芯片Ul的INl管脚相连接。电阻R13的一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端经电阻R14后与三极管VT3的基极相连接。极性电容ClO的正极与三极管VT6的基极相连接、负极与驱动芯片Ul的INl管脚相连接。极性电容C9的正极与驱动芯片Ul的IN2管脚相连接、负极接地。
[0030]其中，电阻R16的一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接。电阻R15的一端与三极管