一种全桥软开关mos驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及电力电子技术领域，具体为一种全桥软开关MOS驱动电路。
【背景技术】
[0002]随着电力电子技术的发展，软开关技术迅速普及，大功率软开关全桥电路被广泛应用，且功率器件的更新，MOS技术由于有较低的导通电阻很受市场欢迎，由于在桥式等有上下管存在的线路中，由于mosfet结电容的存在，经常会由于严重的米勒效应导致空载或者轻载炸机问题，另外，上下管在死区时间内驱动电平不为零，驱动关断的时候还会有一个2V左右的高电平，有较多的关断损耗，而为了减少关断损耗，在空载的时候MOS很难实现软开关，但如果为了解决该问题而在MOS上去并联一定容量的电容，则在空载的时候MOS的开关损耗比普通开通开关全桥损耗大很多，另加上本身MOS的属性还会加大对MOS的驱动的干扰，还可能造成全桥软开关变换器在空载的时候炸机。
【发明内容】
[0003]本发明的一个目的是提供一种运行安全稳定、成本低、结构简单且损耗少、抗干扰能力强的全桥软开关MOS驱动电路。
[0004]本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种全桥软开关MOS驱动电路，包括互补的驱动信号A和驱动信号B，驱动信号A和驱动信号B分别连接至一驱动加强芯片的两个输入端，所述驱动加强芯片的两个与所述两个输入端分别相对应的输出端连接至一变压器原边处的绕组两端，所述变压器的副边处具有两个上下排列的绕组且各个绕组的两端分别连接有上驱动输出电路和下驱动输出电路，所述上驱动输出电路和下驱动输出电路的电路结构相同且均包括第一 MOS管和第二 MOS管，副边处的绕组两端分别与第一MOS管的源极和栅极相连，第一 MOS管的漏极和第二 MOS管的栅极相连，第二 MOS管的源极也同第一 MOS管的栅极相连，下驱动输出电路的第二 MOS管的漏极与上驱动输出电路的第二 MOS管的源极相连。
[0005]上述技术方案中，该电路结构更加稳定、可靠，适用于大功率的开关变换装置，成本低、结构简单且损耗少、抗干扰能力强，散热等其他物理性能均得到较大提升，驱动加强芯片可以采用现有的驱动芯片，对互补的输入信号的驱动能力进行提升，第一 MOS管在导通的情况下即可实现驱动输出电路的高电平驱动，而上驱动输出电路和下驱动输出电路由于连接结构特点和互补的驱动信号，形成完美互锁的驱动关系，当上驱动输出电路输出低电平的时候，下驱动输出电路才会有高电平驱动，当下驱动输出电路输出低电平的时候，上驱动输出电路才会有高电平驱动。
[0006]作为对本发明的优选，第一 MOS管的栅极的支路上串接有一限流电阻。
[0007]作为对本发明的优选，第二 MOS管的栅极和源极之间连接有双向稳压二极管。
[0008]作为对本发明的优选，第二 MOS管的栅极和源极之间连接有保护电阻。
[0009]作为对本发明的优选，第二 MOS管的栅极和源极之间连接有三极管，所述三极管的发射极连接至第二 MOS管的栅极，所述三极管的集电极通过串接一肖特基二极管连接至第二 MOS管的源极，所述三极管的基极通过串接另一肖特基二极管连接至第一 MOS管的漏极。
[0010]作为对本发明的优选，第一 MOS管的漏极和三极管的发射极之间也串接有保护电阻。
[0011]作为对本发明的优选，第一 MOS管为PNP型管，第二 MOS管为NPN型管，三极管为PNP型管。
[0012]作为对本发明的优选，驱动加强芯片的两个输入端均通过串接一保护电阻后接地。
[0013]作为对本发明的优选，驱动加强芯片的两个输出端均通过有依次串接一保护电阻和一二极管后接地。
[0014]作为对本发明的优选，驱动加强芯片的其中一个输出端的支路上连接有两个相互并联设置的电容。
[0015]本发明的有益效果:该电路结构更加稳定、可靠，适用于大功率的开关变换装置，成本低、结构简单且损耗少、抗干扰能力强，散热等其他物理性能均得到较大提升，解决了空载或者轻载容易炸机的问题。
【附图说明】
[0016]图1是本发明实施例的结构示意图。
[0017]图中:1、驱动信号A，2、驱动信号B，3、驱动加强芯片，4、变压器，5、第一 MOS管，6、第二 MOS管，7、限流电阻，71、双向稳压二极管，72、保护电阻，8、三极管，73、二极管，74、电容，88、肖特基二极管。
【具体实施方式】
[0018]以下具体实施例仅仅是对本发明的解释，其并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
[0019]实施例，如图1所示，一种全桥软开关MOS驱动电路，包括互补的驱动信号Al和驱动信号B2，驱动信号Al和驱动信号B2分别连接至一驱动加强芯片3的两个输入端，所述驱动加强芯片3的两个与所述两个输入端分别相对应的输出端连接至一变压器4原边处的绕组两端，所述变压器4的副边处具有两个上下排列的绕组且各个绕组的两端分别连接有上驱动输出电路和下驱动输出电路，所述上驱动输出电路和下驱动输出电路的电路结构相同且均包括第一 MOS管5和第二 MOS管6，副边处的绕组两端分别与第一 MOS管5的源极和栅极相连，第一 MOS管5的漏极和第二 MOS管6的栅极相连，第二 MOS管6的源极也同第一MOS管5的栅极相连，下驱动输出电路的第二 MOS管6的漏极与上驱动输出电路的第二 MOS管6的源极相连。
[0020]第一 MOS管5的栅极的支路上串接有一限流电阻7。第二 MOS管6的栅极和源极之间连接有双向稳压二极管71。第二 MOS管6的栅极和源极之间连接有保护电阻72。第二 MOS管6的栅极和源极之间连接有三极管8，所述三极管8的发射极连接至第二 MOS管6的栅极，所述三极管8的集电极通过串接一肖特基二极管88连接至第二 MOS管6的源极，所述三极管8的基极通过串接另一肖特基二极管88连接至第一 MOS管5的漏极。第一 MOS管5的漏极和三极管8的发射极之间也串接有保护电阻72。第一 MOS管5为PNP型管，第二MOS管6为NPN型管，三极管8为PNP型管。驱动加强芯片3的两个输入端均通过串接一保护电阻72后接地。驱动加强芯片3的两个输出端均通过有依次串接一保护电阻72和一二极管73后接地。驱动加强芯片3的其中一个输出端的支路上连接有两个相互并联设置的电容74。
【主权项】
1.一种全桥软开关MOS驱动电路，其特征在于:包括互补的驱动信号A (I)和驱动信号B (2)，驱动信号A (I)和驱动信号B (2)分别连接至一驱动加强芯片(3)的两个输入端，所述驱动加强芯片(3)的两个与所述两个输入端分别相对应的输出端连接至一变压器(4)原边处的绕组两端，所述变压器(4)的副边处具有两个上下排列的绕组且各个绕组的两端分别连接有上驱动输出电路和下驱动输出电路，所述上驱动输出电路和下驱动输出电路的电路结构相同且均包括第一 MOS管(5)和第二 MOS管(6)，副边处的绕组两端分别与第一MOS管(5)的源极和栅极相连，第一 MOS管(5)的漏极和第二 MOS管(6)的栅极相连，第二MOS管(6)的源极也同第一 MOS管(5)的栅极相连，下驱动输出电路的第二 MOS管(6)的漏极与上驱动输出电路的第二 MOS管(6)的源极相连。2.根据权利要求1所述的一种全桥软开关MOS驱动电路，其特征在于:第一MOS管(5)的栅极的支路上串接有一限流电阻(7 )。3.根据权利要求1所述的一种全桥软开关MOS驱动电路，其特征在于:第二MOS管(6)的栅极和源极之间连接有双向稳压二极管(71)。4.根据权利要求4所述的一种全桥软开关MOS驱动电路，其特征在于:第二MOS管(6)的栅极和源极之间连接有保护电阻(72 )。5.根据权利要求1所述的一种全桥软开关MOS驱动电路，其特征在于:第二MOS管(6)的栅极和源极之间连接有三极管(8)，所述三极管(8)的发射极连接至第二 MOS管(6)的栅极，所述三极管(8 )的集电极通过串接一肖特基二极管(88 )连接至第二 MOS管(6 )的源极，所述三极管(8)的基极通过串接另一肖特基二极管(88)连接至第一 MOS管(5)的漏极。6.根据权利要求5所述的一种全桥软开关MOS驱动电路，其特征在于:第一MOS管(5)的漏极和三极管(8)的发射极之间也串接有保护电阻(72)。7.根据权利要求6所述的一种全桥软开关MOS驱动电路，其特征在于:第一MOS管(5)为PNP型管，第二 MOS管(6)为NPN型管，三极管(8)为PNP型管。8.根据权利要求1所述的一种全桥软开关MOS驱动电路，其特征在于:驱动加强芯片(3)的两个输入端均通过串接一保护电阻(72)后接地。9.根据权利要求1所述的一种全桥软开关MOS驱动电路，其特征在于:驱动加强芯片(3)的两个输出端均通过有依次串接一保护电阻(72)和一二极管(73)后接地。10.根据权利要求1所述的一种全桥软开关MOS驱动电路，其特征在于:驱动加强芯片(3)的其中一个输出端的支路上连接有两个相互并联设置的电容(74)。
【专利摘要】<b>本发明涉及电力电子技术领域，具体为一种全桥软开关</b><b>MOS</b><b>驱动电路，包括互补的驱动信号</b><b>A</b><b>和驱动信号</b><b>B</b><b>并分别连接至一驱动加强芯片的两个输入端，驱动加强芯片的两个输出端连接至一变压器原边处的绕组两端，变压器的副边处具有两个上下排列的绕组且各个绕组的两端分别连接有上驱动输出电路和下驱动输出电路且均包括第一</b><b>MOS</b><b>管和第二</b><b>MOS</b><b>管，副边处的绕组两端分别与第一</b><b>MOS</b><b>管的源极和栅极相连，第一</b><b>MOS</b><b>管的漏极和第二</b><b>MOS</b><b>管的栅极相连，第二</b><b>MOS</b><b>管的源极也同第一</b><b>MOS</b><b>管的栅极相连，下驱动输出电路的第二</b><b>MOS</b><b>管的漏极与上驱动输出电路的第二</b><b>MOS</b><b>管的源极相连，</b><b>运行安全稳定、成本低、结构简单且损耗少、抗干扰能力强。</b>
【IPC分类】H02M1/088, H02M1/08
【公开号】CN105024530
【申请号】CN201510479658
【发明人】姚晓武, 张昌运
【申请人】姚晓武
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2015年8月7日