一种电容补偿副柜二次原理接线电路结构的制作方法

文档序号:9329625阅读:738来源:国知局
一种电容补偿副柜二次原理接线电路结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及电容补偿副柜领域,特别涉及一种通过二次原理接线技术,来改进当工作回路从手动补偿转换成自动补偿时,控制线路上的区别及视觉上提示的电容补偿副柜二次原理接线电路结构领域。
【背景技术】
[0002]电容补偿柜是一种用于补偿发电机无功电流、减轻发电机工作负荷的装置,适用于工频输配电系统中,用以提高功率因数,调整电网电压,降低线路损耗,充分发挥设备效率,改善供电质量。由于现在使用的大部分用电设备除电阻性负载外,均属感性用电负载(如日光灯、变压器、马达等用电设备),而这些感应负载在使用时,使供电电源电压相位发生改变(即电流滞后于电压),因此电压波动大,无功功率增大,浪费大量电能。当功率因数过低时,以致供电电源输出电流过大而出现超负载现象。电容补偿柜内的电容控制系统可解决以上弊端,它可根据用电负荷的变化,而自动设置电容组数的投入,来进行电流补偿,从而减低大量无功电流,使线路电能损耗降到最低程度,提供一个高素质的电力源。
[0003]虽然现在使用的电容补偿副柜,通过连接在线路中的转换开关的关合点直接控制线路中接触器线圈,来控制主回路中电容的投切,提高系统的功率因数值,这种线路并不完善,控制线路各不相同,无自动投切状态信号灯显示功能。

【发明内容】

[0004]针对上述问题,本申请的主要目的在于提供一种通过二次原理接线技术,来改进,完善的电容补偿副柜二次原理接线电路结构。
[0005]本申请是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:
[0006]—种电容补偿副柜二次原理接线电路结构,所述接线电路结构包括中间继电器线圈、信号灯,其特征在于:所述中间继电器线圈一端和控制回路的相线相连接,另一端和控制回路的N线相连接,所述信号灯并联于中间继电器线圈两端,并且中间继电器线圈及信号灯均通过转换开关的关合点来控制,同时中间继电器的触点又控制各路电容的投切。
[0007]本申请的积极进步效果在于:本申请提供的电容补偿副柜二次原理接线电路结构有以下优点:所述接线电路结构包括电容补偿副柜手动补偿与自动补偿的功能。中间继电器线圈一端和控制回路的相线相连接,另一端和控制回路的N线相连接,信号灯并联于中间继电器线圈两端,并且中间继电器线圈及信号灯均通过转换开关的关合点来控制,同时中间继电器的触点又控制各路电容的投切。本申请通过二次原理接线增加中间继电器和信号灯的技术改进实现电容柜上手动补偿与自动补偿功能在控制线路上的区别及视觉上的提不。
【附图说明】
[0008]图1为本申请的一次主回路系统示意图。
[0009]图2为本申请的二次控制原理示意图。
【具体实施方式】
[0010]为了使本申请实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本申请。图1为本申请的一次主回路系统图,图2为本申请的二次控制原理示意图。合上QS刀熔开关接通主回路,控制回路得电,当SA转换开关选择手动档时,接触器线圈得电吸合,并联于接触器线圈的红色信号灯合闸指示,则柜中电容器可手动投切补偿;当SA转换开关选择自动档时中间继电器IKA线圈得电吸合,并联于中间继电器IKA线圈的黄色信号灯IHY合闸指示,图中中间继电器IKA的常开辅助触点闭合,待主柜中I?8KM接触器辅助触点闭合后,副柜中I?8KM接触器线圈得电吸合,则柜中电容器可自动投切补偿,提高系统的功率因数值。I?8L为主回路电抗器的过温度接点,当电容补偿过程中电抗器温度过高时I?8L过温度接点断开,柜中电容器停止投切补偿,保护了线路及柜体,防止故障事故发生;当SA转换开关选择停止档时,电容器停止投切补偿。
【主权项】
1.一种电容补偿副柜二次原理接线电路结构,所述接线电路结构包括中间继电器线圈、信号灯,其特征在于:所述中间继电器线圈一端和控制回路的相线相连接,另一端和控制回路的N线相连接,所述信号灯并联于中间继电器线圈两端,并且中间继电器线圈及信号灯均通过转换开关的关合点来控制,同时中间继电器的触点又控制各路电容的投切。
【专利摘要】本申请涉及一种电容补偿副柜二次原理接线电路结构,所述接线电路结构包括电容补偿副柜手动补偿与自动补偿的功能。中间继电器线圈一端和控制回路的相线相连接,另一端和控制回路的N线相连接,信号灯并联于中间继电器线圈两端,并且中间继电器线圈及信号灯均通过转换开关的关合点来控制,同时中间继电器的触点又控制各路电容的投切。本申请通过二次原理接线增加中间继电器和信号灯的技术改进实现电容柜上手动补偿与自动补偿功能在控制线路上的区别及视觉上的提示。
【IPC分类】H02J3/18
【公开号】CN105048478
【申请号】CN201510479066
【发明人】杜建国
【申请人】杜建国
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年7月31日
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