一种底注式中频感应保温炉的逆变电路的制作方法

文档序号:9491460阅读:418来源:国知局
一种底注式中频感应保温炉的逆变电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于逆变电路技术领域,具体涉及一种底注式中频感应保温炉的逆变电路。
【背景技术】
[0002]目前,底注式中频感应保温炉在冶炼、铸造工业领域得到了广泛的运用,时至今日,由于科技的不断发展创新,传统的底注式中频感应保温炉的逆变电路提出新的要求,传统底注式中频保温电炉,电源逆变部分电源电压电压和输出电压为固定,一旦对于逆变电路的电压部分提出不同要求,会因电压原因造成运转中部分出现故障,必然会影响自动化生产,既并给企业造成经剂损失,抢修又增加劳动者的劳动强度。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于提供一种底注式中频感应保温炉的逆变电路,以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种底注式中频感应保温炉的逆变电路,包括直流电源DC、电容C1、电容C2、电容C3、NE5559 (8脚时集成电路)、电阻R1、电阻R2、滑动电阻HR、3DD15D、晶体管D1、晶体管D2、阻容吸收RC1、阻容吸收RC2、GT01 (门控晶闸管)、GT02、变压器T1和变压器T2,所述直流电源DC上设有开关,所述电容C1、电容C2、电容C3和NE555并联接在直流电源DC两端,所述电容C1与电容C2之间设有电阻R1和滑动电阻HR,所述电阻R2的一端接在NE555上,且电阻R2的另一端连接3DD1?的基极,所述阻容吸收RC2的正极和GT01的门级均接在晶体管D1的阴极,所述阻容吸收RC1的正极和GT02的门级均接在晶体管D2的阴极,所述阻容吸收RC1的阴极与GT01的阳极相连接在变压器T1的一端,所述阻容吸收RC2的阴极与GT02的阳极连接在变压器T1的另一端,所述GT01的阴极、GT02的阴极和3DD1?的发射极均连接在直流电源DC的负极,所述晶体管D1的阳极与晶体管D2的阳极均连接在3DD1?的集电极。
[0005]优选的,所述直流电源DC上设有开关。
[0006]优选的,所述变压器T1为自耦变压器。
[0007]本发明的技术效果和优点:该底注式中频感应保温炉的逆变电路,NE555、和滑动电阻HR、电阻R1、电容C1、电容C2、电容C3、和电阻R2组成的为可调的方波电路,方波电路脉冲通过NE555、电阻R2加到3DD1?的基极,经过晶体管D1送到阻容吸收RC1,阻容吸收RC1接GT01 (门控晶闸管),GT0 (门控晶闸管)优点是正极性的触发信号可使其导通,负极性的触发信号又能使其关断,阻容吸收RC1上的电压就会通过电阻R1和GT01给GT02提供负的控制脉冲,从而使GT02更加可靠的关断,同理适用晶体管D2控制的GT01电路,而接入滑动电阻HR和自耦变压器T1,均使输入电压可以有一个可调范围,拓宽了适用范围。
【附图说明】
[0008]图1为本发明的结构示意图。
[0009]图中:1:直流电源DC;2:电容Cl,3:电容C2,4:电容C3 ;5:NE555 (8脚时集成电路);6:电阻R1 ;7:电阻R2 ;8:滑动电阻HR;9:3DD15D ;10:晶体管D1 ;11:晶体管D2 ;12:阻容吸收RC1 ;13:阻容吸收RC2 ;14:GT01 (门控晶闸管);15:GT02 ;16:变压器T1 ;17:变压器T2。
【具体实施方式】
[0010]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0011]请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种底注式中频感应保温炉的逆变电路,包括直流电源DC 1、电容Cl 2、电容C2 3、电容C3 4、NE555 5 (8脚时集成电路)5、电阻R1 6、电阻R2 7、滑动电阻HR 8、3DD15D 9、晶体管D1 10、晶体管D2 11、阻容吸收RC1 12、阻容吸收RC2 13、GT01 (门控晶闸管)14、GT02 15、变压器T116和变压器T217,所述电容C1 2、电容C2 3、电容C3 4和NE555 5并联接在直流电源DC 1两端,所述电容Cl 2与电容C2 3之间设有电阻R1 6和滑动电阻HR 8,所述电阻R2 7的一端接在NE555 5上,且电阻R27的另一端连接3DD1? 9的基极,所述阻容吸收RC213的正极和GT01 14的门级均接在晶体管D1 10的阴极,所述阻容吸收RC1 12的正极和GT02 15的门级均接在晶体管D211的阴极,所述阻容吸收RC1 12的阴极与GT01 14的阳极相连接在变压器T1 16的一端,所述阻容吸收RC2 13的阴极与GT02 15的阳极连接在变压器T1 16的另一端,所述变压器T116为可自耦变压器,所述GT01 14的阴极、GT02 15的阴极和3DD1? 10的发射极均连接在直流电源DC 1的负极,所述晶体管D1 10的阳极与晶体管D2 11的阳极均连接在3DD1?9的集电极。
[0012]工作原理:接通电源,NE555 9、和滑动电阻HR 8、电阻R1 6、电容C1 2、电容C2 3、电容C3 4、和电阻R2 7组成的为可调的方波电路,方波电路脉冲通过NE555 9、电阻R2 7加到3DD1? 9的基极,经过晶体管D1 10送到阻容吸收RC1 12,阻容吸收RC1 12接GT0114 (门控晶闸管),GT0 (门控晶闸管)优点是正极性的触发信号可使其导通,负极性的触发信号又能使其关断,故阻容吸收RC1 13上的电压就会通过电阻R1 6和GT01 14给GT02 15提供负的控制脉冲,从而使GT02 15更加可靠的关断,同理适用晶体管D211路控制的GT0114,从而使变压器T1 16和变压器T1 17工作。
[0013]最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种底注式中频感应保温炉的逆变电路,包括直流电源DC (1)、电容Cl (2)、电容C2 (3)、电容C3 (4)、NE555 (8脚时集成电路)(5)、电阻R1 (6)、电阻R2 (7)、滑动电阻HR(8)、3DD15D (9)、晶体管 D1 (10)、晶体管 D2 (11)、阻容吸收 RC1 (12)、阻容吸收 RC2 (13)、GT01 (门控晶闸管)(14)、GT02 (15)、变压器T1 (16)和变压器T2 (17),其特征在于:所述电容C1 (2)、电容C2 (3)、电容C3 (4)和NE555 (5)并联接在直流电源DC (1)两端,所述电容C1 (2)与电容C2 (3)之间设有电阻R1 (6)和滑动电阻HR (8),所述电阻R2 (7)的一端接在NE555 (5)上,且电阻R2 (7)的另一端连接3DD1? (9)的基极,所述阻容吸收RC2 (13)的正极和GT01 (14)的门级均接在晶体管D1 (10)的阴极,所述阻容吸收RC1(12)的正极和GT02 (15)的门级均接在晶体管D2 (11)的阴极,所述阻容吸收RC1 (12)的阴极与GT01 (14)的阳极相连接在变压器T1 (16)的一端,所述阻容吸收RC2 (13)的阴极与GT02 (15)的阳极连接在变压器T1 (16)的另一端,所述GT01 (14)的阴极、GT02 (15)的阴极和3DD1? (10)的发射极均连接在直流电源DC (1)的负极,所述晶体管D1 (10)的阳极与晶体管D2 (11)的阳极均连接在3DD1? (9)的集电极。2.根据权利要求1所述的一种底注式中频感应保温炉的逆变电路,其特征在于:所述直流电源DC (1)上设有开关。3.根据权利要求1所述的一种底注式中频感应保温炉的逆变电路,其特征在于:所述变压器T1 (16)为可自耦变压器。
【专利摘要】本发明公开了一种底注式中频感应保温炉的逆变电路,包括直流电源DC、电容C1、电容C2、电容C3、NE5559(8脚时集成电路)、电阻R1、电阻R2、滑动电阻HR、3DD15D、晶体管D1、晶体管D2、阻容吸收RC1、阻容吸收RC2、GTO1(门控晶闸管)、GTO2、变压器T1和变压器T2,所述电容C1、电容C2、电容C3和NE555并联接在直流电源DC两端,所述NE555、和滑动电阻HR、电阻R1、电容C1、电容C2、电容C3、和电阻R2组成的为可调的方波电路,且方波电路脉冲通过NE555、电阻R2加到3DD15D的基极,经过晶体管D1、D2送到阻容吸收RC1和RC2,所述阻容吸收RC1、RC2接GTO1和GTO2,进而接入变压器T1。本底注式中频感应保温炉的逆变电路,DC电压和输出电压可调范围大,极大拓宽了适用范围。
【IPC分类】H02M7/48, H02M7/515
【公开号】CN105245122
【申请号】CN201510593239
【发明人】汪绍松
【申请人】宁国市宏达电炉有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年9月18日
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