一种新型结构的移动电源电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种新型结构的移动电源电路。
【背景技术】
[0002]现有移动电源充放电芯片，在采用开关式充放电的架构下，至少需要四个功率管才能实现充电和放电功能。并且在充电和放电过程中，功率通路上有三个功率管，降低了充放电的效率。
【发明内容】
[0003]本发明目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种新型结构的移动电源电路。
[0004]本发明为实现上述目的，采用如下技术方案:一种新型结构的移动电源电路，包括充电用PM0S 1管、放电用PM0S 2管以及充放电共用NM0S管；其中，所述充电用PM0S 1管的漏极与电压输入端VIN连接，所述放电用PM0S 2管的漏极与电压输出端V0UT连接；所述充电用PM0S 1管和放电用PM0S 2管的源极分别与所述充放电共用NM0S管的漏极连接；所述充放电共用NM0S管的漏极还依次通过电感L、采样电阻RS以及输出电容C与外部电源BATT连接。
[0005]本发明的有益效果:与现有技术相比:本发明的移动电源电路可实现同步降压模式的开关式充电功能和同步升压功能；且该电路中减少了一个功率管，降低了成本，提高了工作效率。
【附图说明】
[0006]图1为本发明的电路原理示意图。
[0007]图2为本发明在移动电源模块中的具体应用原理图。
[0008]图3为本发明在升压状态下，充电用PM0S管的栅压和衬底电压控制波形图。
【具体实施方式】
[0009]图1所示，涉及一种新型结构的移动电源电路，包括充电用PM0S 1管、放电用PM0S2管以及充放电共用NM0S管；其中，所述充电用PM0S 1管的漏极与电压输入端VIN连接，所述放电用PM0S 2管的漏极与电压输出端V0UT连接；所述充电用PM0S 1管和放电用PM0S2管的源极分别与所述充放电共用NM0S管的漏极连接；所述充放电共用NM0S管的漏极还依次通过电感L、采样电阻RS以及输出电容C与外部电源BATT连接。
[0010]图2为本发明在移动电源模块中的具体应用原理图；本发明电路为图中的V_CONTROL模块。当系统检测到输入电压时充电状态开启，放电用PM0S2管处于常关断状态，系统工作于标准的开关式充电模式。为防止放电用PM0S 2管漏电，在充电状态下，PM0S2的栅电压VG2和衬底电压VB2选择为VG2 = VB2 = VIN。
[0011]当系统没有检测到输入电压时，系统工作于放电状态，充电用PM0S 1管常关断，系统工作于标准的同步升压模式。因为放电过程电感充电，导致电感端脉冲电压VSW>VOUT，充电用PM0S1管的栅电压VG1和衬底电压VB1必须在VSW和VOUT之间做选择(即图2中的 V_CONTROL 模块)。
[0012]图3为本发明在升压状态下，充电用PM0S 1管的栅压和衬底电压控制波形图。图中可知，在NM0S管导通的TON时间内，VG1 = VB1 = V0UT ;在NM0S管关闭的T0FF时间内，因为VSW>V0UT，为防止电感向VIN端漏电，选择VG1 = VB1 = VSW。
[0013]综上，按照标准充电和升压的工作时序，选择合适的栅压和衬底电平，可对功率管进行有效的控制，以防止不需要的功率管漏电。
[0014]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种新型结构的移动电源电路，其特征在于，包括充电用PMOS 1管、放电用PM0S 2管以及充放电共用NM0S管；其中，所述充电用PMOS 1管的漏极与电压输入端VIN连接，所述放电用PM0S 2管的漏极与电压输出端V0UT连接；所述充电用PMOS 1管和放电用PM0S2管的源极分别与所述充放电共用NM0S管的漏极连接；所述充放电共用NM0S管的漏极还依次通过电感L、采样电阻RS以及输出电容C与外部电源BATT连接。
【专利摘要】本发明公开了一种新型结构的移动电源电路，包括充电用PMOS？1管、放电用PMOS？2管以及充放电共用NMOS管；其中，所述充电用PMOS？1管的漏极与电压输入端VIN连接，所述放电用PMOS？2管的漏极与电压输出端VOUT连接；所述充电用PMOS？1管和放电用PMOS？2管的源极分别与所述充放电共用NMOS管的漏极连接；所述充放电共用NMOS管的漏极还依次通过电感L、采样电阻RS以及输出电容C与外部电源BATT连接。本发明与现有技术相比：本发明的移动电源电路可实现同步降压模式的开关式充电功能和同步升压功能；且该电路中减少了一个功率管，降低了成本，提高了工作效率。
【IPC分类】H02J7/00
【公开号】CN105375575
【申请号】CN201510875836
【发明人】王冬峰, 刘桂芝, 马丙乾, 吴国平
【申请人】无锡矽林威电子有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年12月3日