基于等式约束的辅助电容集中式半桥mmc自均压拓扑的制作方法

文档序号:9711030阅读:619来源:国知局
基于等式约束的辅助电容集中式半桥mmc自均压拓扑的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及柔性输电领域,具体涉及一种基于等式约束的辅助电容集中式半桥 MMC自均压拓扑。
【背景技术】
[0002] 模块化多电平换流器MMC是未来直流输电技术的发展方向,MMC采用子模块(Sub-module,SM)级联的方式构造换流阀,避免了大量器件的直接串联,降低了对器件一致性的 要求,同时便于扩容及冗余配置。随着电平数的升高,输出波形接近正弦,能有效避开低电 平VSC-HVDC的缺陷。
[0003] 半桥MMC由半桥子模块组合而成,半桥子模块由2个IGBT模块,1个子模块电容,1个 晶闸管及1个机械开关构成,成本低,运行损耗小。
[0004] 与两电平、三电平VSC不同,半桥MMC的直流侧电压并非由一个大电容支撑,而是由 一系列相互独立的悬浮子模块电容串联支撑。为了保证交流侧电压输出的波形质量和保证 模块中各功率半导体器件承受相同的应力,也为了更好的支撑直流电压,减小相间环流,必 须保证子模块电容电压在桥臂功率的周期性流动中处在动态稳定的状态。
[0005] 基于电容电压排序的排序均压算法是目前解决半桥MMC中半桥子模块电容电压均 衡问题的主流思路,这一方案良好的均压效果在仿真和实践中都能得到验证,但是也在不 断地暴露着它的一些固有缺陷。首先,排序功能的实现必须依赖电容电压的毫秒级采样,需 要大量的传感器以及光纤通道加以配合;其次,当半桥子模块数目增加时,电容电压排序的 运算量迅速增大,为控制器的硬件设计带来巨大挑战;此外,排序均压算法的实现对子模块 的开断频率有很高的要求,开断频率与均压效果紧密相关,在实践过程中,可能因为均压效 果的限制,不得不提高子模块的触发频率,进而带来换流器损耗的增加。
[0006] 文献"A DC-Link Voltage Self-Balance Method for a Diode-Clamped Modular Multilevel Converter With Minimum Number of Voltage Sensors",提出了一 种依靠钳位二极管和变压器来实现MMC子模块电容电压均衡的思路。但该方案在设计上一 定程度破坏了子模块的模块化特性,子模块电容能量交换通道也局限在相内,没能充分利 用MMC的既有结构,三个变压器的引入在使控制策略复杂化的同时也会带来较大的改造成 本。

【发明内容】

[0007] 针对上述问题,本发明的目的在于提出一种经济的,模块化的,不依赖均压算法, 同时能相应降低子模块触发频率和电容容值的半桥MMC自均压拓扑。
[0008] 本发明具体的构成方式如下。
[0009] 基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑,包括由A、B、C三相构成的半 桥MMC模型,A、B、C三相分别由2N个半桥子模块,2个桥臂电抗器串联而成;包括由6N个机械 开关,6N+5个钳位二极管,2个辅助电容,2个辅助IGBT模块组成的自均压辅助回路。
[0010] 上述基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑,A相上桥臂的第1个子 模块,其子模块电容负极向下与A相上桥臂的第2个子模块IGBT模块中点相连接,其子模块 IGBT模块中点向上与直流母线正极相连接;A相上桥臂的第i个子模块,其中i的取值为2~ N-I,其子模块电容负极向下与A相上桥臂的第i+Ι个子模块IGBT模块中点相连接,其子模块 IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第i-Ι个子模块电容负极相连接;A相上桥臂的第N个子模 块,其子模块电容负极向下经两个桥臂电抗器与A相下桥臂的第1个子模块IGBT模块中点相 连接,其子模块IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第N-I个子模块电容负极相连接;A相下桥 臂的第i个子模块,其中i的取值为2~N-I,其子模块电容负极向下与A相下桥臂的第i + Ι个 子模块IGBT模块中点相连接,其IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第i-Ι个子模块电容负极 相连接;A相下桥臂的第N个子模块,其子模块电容负极向下与直流母线负极相连接,其子模 块IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第N-1个子模块电容负极相连接;B相上桥臂的第1个子 模块,其子模块电容正极向上与直流母线正极相连接,其子模块IGBT模块中点向下与B相上 桥臂的第2个子模块电容正极相连接;B相上桥臂的第i个子模块,其中i的取值为2~N-I, 其子模块电容正极向上与B相上桥臂的第i-Ι个子模块IGBT模块中点相连接,其子模块IGBT 模块中点向下与B相上桥臂的第i + Ι个子模块电容正极相连接;B相上桥臂的第N个子模块, 其子模块电容正极向上与B相上桥臂的第N-I个子模块IGBT模块中点相连接,其子模块IGBT 模块中点向下经两个桥臂电抗器与B相下桥臂的第1个子模块电容正极相连接;B相下桥臂 的第i个子模块,其中i的取值为2~N-I,其子模块电容正极向上与B相下桥臂的第i-Ι个子 模块IGBT模块中点相连接,其子模块IGBT模块中点向下与B相下桥臂的第i+Ι个子模块电容 正极相连接;B相下桥臂的第N个子模块,其子模块电容正极向上与B相下桥臂第N-I个子模 块IGBT模块中点相连接,其子模块IGBT模块中点向下与直流母线负极相连接;C相上下桥臂 子模块的连接方式与A相或B相一致。
[0011] 上述基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑,自均压辅助回路中,第 一个辅助电容正极连接辅助IGBT模块负极连接钳位二极管并入直流母线正极;第二个辅助 电容负极连接辅助IGBT模块正极连接钳位二极管并入直流母线负极。钳位二极管,通过机 械开关连接A相上桥臂中第1个子模块电容与第一个辅助电容正极;通过机械开关连接A相 上桥臂中第i个子模块电容与第i+1个子模块电容正极,其中i的取值为1~N-1;通过机械开 关连接A相上桥臂中第N个子模块电容与A相下桥臂第1个子模块电容正极;通过机械开关连 接A相下桥臂中第i个子模块电容与A相下桥臂第i+Ι个子模块电容正极,其中i的取值为1~ N-I;通过机械开关连接A相下桥臂中第N个子模块电容与第二个辅助电容正极。钳位二极 管,通过机械开关连接B相上桥臂中第1个子模块电容与第一个辅助电容负极;通过机械开 关连接B相上桥臂中第i个子模块电容与第i+1个子模块电容负极,其中i的取值为1~N-1; 通过机械开关连接B相上桥臂中第N个子模块电容与B相下桥臂第1个子模块电容负极;通过 机械开关连接B相下桥臂中第i个子模块电容与B相下桥臂第i + Ι个子模块电容负极,其中i 的取值为1~N-I;通过机械开关连接B相下桥臂中第N个子模块电容与第二个辅助电容负 极。C相钳位二极管的连接关系与其子模块的连接关系相对应。
【附图说明】
[0012] 图1是半桥子模块的结构示意图; 图2是基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑。
【具体实施方式】
[0013] 为进一步阐述本发明的性能与工作原理,以下结合附图对对发明的构成方式与工 作原理进行具体说明。但基于该原理的半桥MMC自均压拓扑不限于图2。
[0014] 参考图2,基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑,包括由A、B、C三相 构成的半桥MMC模型,A、B、C三相每个桥臂分别由N个半桥子模块及1个桥臂电抗器串联而 成;包括由6N个机械开关,6N+5个钳位二极管,2个辅助电容,2个辅助IGBT模块组成的自均 压辅助回路。
[0015] 半桥MMC模型中,A相上桥臂的第1个子模块,其子模块电容C-au-j负极向下与A相上 桥臂的第2个子模块IGBT模块中点相连接,其子模块IGBT模块中点向上与直流母线正极相 连接;A相上桥臂的第i个子模块,其中i的取值为2~N-1,其子模块电容C- au-_i负极向下与A 相上桥臂的第i+Ι个子模块IGBT模块中点相连接,其子模块IGBT模块中点向上与A相上桥臂 的第i -1个子模块电容C_au-_i-i负极相连接;A相上桥臂的第N个子模块,其子模块电容C-au-_N 负极向下经两个桥臂电抗器Lo与A相下桥臂的第1个子模块IGBT模块中点相连接,其子模块 IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第N-I个子模块电容Cm1负极相连接;A相下桥臂的第i 个子模块,其中i的取值为2~N-I,其子模块电容C-ai-_i负极向下与A相下桥臂的第i+Ι个子 模块IGBT模块中点相连接,其IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第i-Ι个子模块电容Cii-^ 1 负极相连接;A相下桥臂的第N个子模块,其子模块电容C-al_N负极向下与直流母线负极相连 接,其子模块IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第N-I个子模块电容C-H 1负极相连接;B相 上桥臂的第1个子模块,其子模块电容C-bu-」正极向上与直流
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