可编程阻断型浪涌保护器件的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种可编程阻断型浪涌保护器件，包括第一、第二、第三晶体管、第一、第二及外部电阻构成串联结构的导通路径，其中，第一晶体管的漏极与模块输入端相连，源极与外部电阻的第一接入端相连，栅极与第二晶体管的源极相连；第二晶体管的漏极与模块输出端相连，源极与第三晶体管的漏极相连，栅极与第一晶体管的源极相连；第三晶体管的源极与外部电阻的第二接入端相连，栅极与第一、第二电阻分别相连；第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。优点是：形成类似于可重置保险丝的可变电阻电路，可无限次重复阻断复位，可实现器件触发电流的可编程应用，提升阻断型浪涌保护器件应用的灵活性。
【专利说明】
可编程阻断型浪涌保护器件
技术领域
[0001]本发明涉及半导体器件领域，具体涉及半导体浪涌保护器件的领域，为一种可编程阻断型浪涌保护器件。【背景技术】
[0002]电源浪涌或瞬态过压定义为电子线路中出现显著超出设计值的电压，它主要有雷击、电力线搭接、电力线感应、或者地弹。当浪涌足够高，瞬态过压可以对计算机、电话等电子设备造成严重的损害。它同样也会造成设备寿命减少。
[0003]瞬态电压浪涌抑制器限制了电力浪涌耦合到设备的能量，从而保护电子设备不被损害。这类的产品包括，浪涌保护晶闸管、氧化物压敏电阻和雪崩二极管。这两种类型的器件都是并联在被保护电路，瞬态电流会从它们提供的并联通路流出。这类并联保护存在较多问题。它们包括:
[0004](1)与具体的浪涌类型有关，需要选择繁多的型号匹配；
[0005](2)会限制系统带宽(容性负载限制它们只能用于低带宽的应用)；
[0006](3)需要多个元件构成的复杂设计，导致高的失效率；
[0007](4)经常需要较大的空间；
[0008](5)针对保护设计方案而言，单位成本高。
[0009]目前得益于不间断电源供应器(UPS)的引入，家用电脑、卫星接收和其他家庭应用设备的已经拥有更为安全的保护。但是，计算机和其他数据系统通过数据线与外部世界相连，这些数据线工作在非常低的电压信号而且非常敏感。不幸的是，由于并联保护存在的较多问题，目前的浪涌保护技术仍然不能给予这类系统足够的安全保证。结果是，众多公司在生产率降低和损害设备的修复上付出了昂贵的代价。
[0010]阻断型浪涌保护器件(Blocking Surge Protector)，以下简称BSP,是一项颠覆性技术，它提供了一种全新的浪涌保护方法。与传统的旁路瞬态保护器将能量从负载转移的工作原理不同，BSP与负载串联，从而使它能够特定地保护单个负载。当它达到他的触发阈值后，它会改变状态，然后使浪涌重定向经气体放电管等初级防护通路流过，从而“阻断”进入被保护设备的瞬态浪涌。
[0011]阻断型浪涌保护器件(BSP)的全新的浪涌保护原理解决了传统浪涌保护器件的存在问题:
[0012](1)能够适用多种的浪涌类型，不存在繁杂的选型；
[0013](2)串联应用，不影响系统带宽，可应用于高速数据系统的保护；
[0014](3)应用设计简单，降低保护设计的失效率；
[0015](4)同时实现过流过压防护，替代多个器件的功能，相应减小了空间占用；
[0016](5)针对保护设计方案而言，单位成本降低。
[0017]基本的阻断型浪涌保护器件仍然是具有固定的触发阈值，适合确定的应用环境。 如果能够实现器件触发阈值的外部可编程，将使一款型号的器件能够满足多种应用要求，大大提高了器件应用的灵活性。
【发明内容】
[0018]本发明所要解决的技术问题在于为被保护系统提供一种可编程阻断型浪涌保护器件(BSP)，该器件通过采用阻断型浪涌保护器件阈值条件的外部可编程技术，实现器件工作条件的范围大大增加。
[0019]本发明解决上述技术问题所采取的技术方案是:一种可编程阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，所述的浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管、第三耗尽型场效应晶体管、第一电阻、第二电阻及外部电阻构成串联结构的导通路径，其中，
[0020]第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，源极与外部电阻的第一接入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连；
[0021]第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，源极与第三耗尽型场效应晶体管的漏极相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管的源极相连；
[0022]第三耗尽型场效应晶体管的源极与外部电阻的第二接入端相连，栅极与第一电阻和第二电阻分别相连；
[0023]第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。 [〇〇24]所述三个耗尽型场效应晶体管在正常工作情况下均导通，整个电路模块表现为小电阻的“短路”状态，类似于熔丝正常工作下的特性；当输入端进入正向浪涌(即输出端进入负向浪涌)，所述第一耗尽型场效应晶体管及第三耗尽型场效应晶体管的漏源电阻增大，相互反馈形成夹断，最终输入端到输出端形成高阻状态，整个电路模块表现为高阻的“阻断” 状态，类似于熔丝的熔断状态，从而“阻断”正向浪涌经过电路模块进入被保护系统。[〇〇25]同理，当输入端进入负向浪涌(即输出端进入正向浪涌)时，所述第二耗尽型场效应晶体管及第三耗尽型场效应晶体管相互反馈形成夹断，“阻断”负向浪涌经过保护模块进入被保护系统。
[0026]该电路模块从小电阻的“短路”状态到高阻的“阻断”状态的快速转变与流经该模块的电流有关，当电流增加到设定的阈值就会触发模块的状态转变，故引起电路从导通态到阻断态转变的阈值电流可定义为器件触发电流。
[0027]当模块接入外部电阻时，外部电阻会影响所述第一耗尽型场效应晶体管及第三耗尽型场效应管的相互反馈，从而能够调整器件的触发电流It。当外部电阻为零时，器件具有最大的触发电流，随着外部电阻的增加，器件的触发电流不断减小，因此通过确定外部电阻的阻值从而实现器件的触发电流的可编程。[〇〇28]在上述方案的基础上，作为本发明的一个改进，所述的浪涌保护器件还包括第三电阻，第三电阻并联于第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极之间，即连接第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极。
[0029]第三电阻能够在第一耗尽型场效应晶体管或第二耗尽型场效应晶体管关断后，为它们的源极提供稳定的电位，避免该节点在双向浪涌保护器件(BSP)“阻断”状态下处于浮空，保证双向浪涌保护器件(BSP)在瞬态响应时不受该节点存储电荷的影响。
[0030]在上述方案的基础上，作为本发明的又一个改进，所述的浪涌保护器件还包括第一反馈分压器及第二反馈分压器，均由多数个电阻构成，其中，
[0031]第一反馈分压器及第二反馈分压器均并联于第三耗尽型场效应晶体管的漏极和外部电阻的第一接入端之间；
[0032]第一反馈分压器的中间节点与第一耗尽型场效应晶体管的栅极相连；
[0033]第二反馈分压器的中间节点与第二耗尽型场效应晶体管的栅极相连。
[0034]利用所述反馈分压器减小了双向阻断型浪涌保护器件在“短路”状态下的串联电阻，降低了正常工作情况下双向浪涌保护器件(BSP)对被保护系统的信号电压及功耗的影响。
[0035]在上述方案的基础上，第一反馈分压器由第四电阻和第五电阻串联构成，第四电阻与第五电阻之间为第一反馈分压器的中间节点;第二反馈分压器由第六电阻和第七电阻构成，第六电阻与第七电阻之间为第二反馈分压器的中间节点。
[0036]在上述方案的基础上，所述的第一耗尽型场效应晶体管或第二耗尽型场效应晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)、结型场效应晶体管(JFET)或静电感应场效应晶体管(SIT)中的一种。
[0037]在上述方案的基础上，所述的第一耗尽型场效应晶体管和第二耗尽型场效应晶体管均为金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)。
[0038]在上述方案的基础上，所述的第一耗尽型场效应晶体管和第二耗尽型场效应晶体管均为高压金属氧化物半导体场效应晶体管(HV M0SFET)。[〇〇39]在上述方案的基础上，所述的第三耗尽型场效应晶体管为结型场效应晶体管 (JFET)。
[0040]在上述方案的基础上，所述浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的导电沟道类型与第二耗尽型场效应晶体管的导电沟道类型相同，且均与第三耗尽型场效应晶体管的导电沟道类型相反。
[0041]在上述方案的基础上，提供一种对第一、第二、第三耗尽型场效应晶体管类型及其导电沟道类型的具体方案，所述第一耗尽型场效应晶体管及第二耗尽型场效应晶体管均为耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NM0SFET)，进一步优选高压耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(HV NM0SFET)，所述第三耗尽型场效应晶体管为耗尽型P沟道结型场效应晶体管(PJFET)。[〇〇42]通过高压耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(HV W0SFET)的漏极与双向浪涌保护器件(BSP)模块输入端或模块输出端相连，保证双向浪涌保护器件(BSP)“阻断” 时可以承受正负几百伏的高压。考虑到耗尽型P沟道结型场效应晶体管PJFET相比其他耗尽型P沟道场效应晶体管具有更为优越的通态性能及更宽的夹断电压范围，因此选择耗尽型 PJFET与耗尽型HV NM0SFET串联，保证了双向BSP在“短路”状态下更小的串联电阻和在发生 “阻断”时与耗尽型HV NM0SFET相互反馈形成更快的关断。
[0043]或者，所述第一耗尽型场效应晶体管及第二耗尽型场效应晶体管均为耗尽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PM0SFET);所述第三耗尽型场效应晶体管为耗尽型N沟道结型场效应晶体管(NJFET)。
[0044]本发明的有益效果是:
[0045]本发明是一种与大多数浪涌保护器件不同的半导体器件，无需电源供应，其行为与可重置的熔丝相似，因为它可以在纳秒级时间内触发并与脆弱的电子设备断开连接，直到瞬态浪涌过去后恢复常态。与传统的旁路瞬态保护器将能量从负载转移的工作原理不同，阻断型浪涌保护器件与负载串联，从而使它能够特定地保护单个负载。
[0046]由于本发明的浪涌保护器件可以串联在被保护线路上，因此能够用于高带宽的系统，而传统器件无论是压敏电阻、晶闸管还是雪崩二极管等并联保护器件都无法应用于这些系统；
[0047]本发明的应用方法简单，便于保护设计，同时实现过电压和过电流保护，需要更少的元件和更小的空间，能够替代多种类型的器件，相对单位成本更低；
[0048]本发明在阻断型浪涌保护技术的基础上，实现了该类型浪涌保护器件的触发电流可编程，进一步提升了阻断型浪涌保护器件的应用灵活性。【附图说明】
[0049]图1为本发明实施例1的电路结构原理图。
[0050]图2为本发明实施例2的电路结构原理图。[〇〇511图3为本发明实施例3的电路结构原理图。[〇〇52]图4为本发明实施例4的电路结构原理图。[〇〇53]附图中标号说明:[〇〇54]A—模块输入端B—模块输出端
[0055]C—外部电阻第一接入端D—外部电阻第二接入端[〇〇56]10、20、30、40 —浪涌保护器件[〇〇57]Q1—第一耗尽型场效应晶体管[〇〇58]Q2—第二耗尽型场效应晶体管[〇〇59]Q3—第二耗尽型场效应晶体管[〇〇6〇]R1—第一电阻R2—第二电阻R3—第三电阻[〇〇61 ]R—第一反馈分压器R4—第四电阻R5—第五电阻[〇〇62]R’一第二反馈分压器R6—第六电阻R7—第七电阻
[0063]Rex—外部电阻
[0064]S—源极D—漏极G—概极【具体实施方式】[〇〇65]下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。
[0066]实施例1
[0067]如图1所示，一种双向阻断型浪涌保护器件，所述的浪涌保护器件10由第一耗尽型场效应晶体管Q1 (耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NM0SFET)、第二耗尽型场效应晶体管Q2(耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NM0SFET)、第三耗尽型场效应晶体管Q3(耗尽型P沟道结型场效应晶体管PJFET)、第一电阻R1(恒流源电阻)、第二电阻R2(恒流源电阻)及外部电阻(Rex)构成串联结构的导通路径，形成电路模块。[〇〇68]所述浪涌保护器件10(BSP)内部各器件的连接关系描述如下:[〇〇69]第一耗尽型场效应晶体管Q1的漏极D与模块输入端A相连，源极S与外部电阻第一接入端相连，栅极G与第二耗尽型场效应晶体管Q2的源极S相连；
[0070]第二耗尽型场效应晶体管Q2的漏极D与模块输出端B相连，源极S与第三耗尽型场效应晶体管的漏极D相连，栅极G与第一耗尽型场效应晶体管Q1的源极S相连；
[0071]第三耗尽型场效应晶体管Q3的源极与外部电阻Rex的第二接入端相连，栅极G与第一电阻R1和第二电阻R2分别相连；[0〇72 ]第一电阻R1的另一端与模块输入端A相连，第二电阻R2的另一端与模块输出端B相连。[〇〇73]可编程浪涌保护器件10(BSP)内部的工作原理描述如下:[〇〇74]当被保护线路正常工作时，模块输入端A与模块输出端B压降较小，因为串联的第一耗尽型场效应晶体管Q1、第二耗尽型场效应晶体管Q2和第三耗尽型场效应晶体管Q3都是耗尽型，所以模块输入端A到模块输出端B为小电阻特性，此时作为整个模块的双向浪涌保护器件10表现为正常的“短路”状态。
[0075]当被保护线路发生由雷击或电源搭接引起的正向浪涌，模块输入端A与模块输出端B承受的压降迅速增大，流经双向浪涌保护器件10的电流也迅速增大，从而引起第一耗尽型场效应晶体管Q1的漏源压降和第三耗尽型场效应晶体管Q3的源漏压降迅速增加。[〇〇76]由于第三耗尽型场效应晶体管Q3的源漏压降反馈成为第一耗尽型场效应晶体管 Q1的负栅源偏压，随着第三耗尽型场效应晶体管Q3的源漏压降增加，第一耗尽型场效应晶体管Q1的栅源偏压负向增加，导致第一耗尽型场效应晶体管Q1的漏源电阻增大，进一步引起第一耗尽型场效应晶体管Q1的漏源压降增大。[〇〇77]由于第三耗尽型场效应晶体管Q3的栅极电位通过第一电阻R1及第二电阻R2构成的恒定电流源的耦合，跟随第一耗尽型场效应晶体管Q1的漏极电位，因此第一耗尽型场效应晶体管Q1的漏源压降与外部电阻的压降之和反馈成为第三耗尽型场效应晶体管Q3的正栅源偏压。随着第一耗尽型场效应晶体管Q1的漏源压降增加，第三耗尽型场效应晶体管Q3 的栅源偏压正向增加，导致第三耗尽型场效应晶体管Q3的源漏电阻增大。而第三耗尽型场效应晶体管Q3的源漏电阻增大引起的源漏压降与外部电阻压降之和又形成反馈，进一步引起第一耗尽型场效应晶体管Q1的栅源偏压负向增大。
[0078]如上所述，当正向浪涌电流进入输入端时，双向浪涌保护器件10内部两个串联的第一耗尽型场效应晶体管Q1和第三耗尽型场效应晶体管Q3之间形成相互关断的循环反馈， 耗尽型N沟道第二耗尽型场效应晶体管Q2始终导通，直到流经外部电阻Rex及第一耗尽型场效应晶体管Q1和第三耗尽型场效应晶体管Q3的电流达到使第一耗尽型场效应晶体管Q1和第三耗尽型场效应晶体管Q3完全关断的阈值，第一耗尽型场效应晶体管Q1和第三耗尽型场效应晶体管Q3会迅速进入截止状态，模块输入端A到模块输出端B形成高阻，此时作为整个模块的浪涌保护器件10表现为“阻断”状态。[〇〇79]在第一耗尽型场效应晶体管Q1和第三耗尽型场效应晶体管Q3由导通进入截止状态的过程中，外部电阻Rex贡献了一部分的反馈压降，因此其降低了第一耗尽型场效应晶体管Q1和第三耗尽型场效应晶体管Q3的截止所需的电流，即减小了所述浪涌保护器件10在正向浪涌保护时进入高阻状态所需的触发电流。随着外部电阻Rex的增加，所述浪涌保护器件 10的触发电流会减小，二者之间形成的确定关系将成为触发电流编程依据。器件使用者可以通过查表法或查图法的方式选择一定阻值的外部电阻，从而获得器件保护应用所需触发电流。
[0080]同理，当被保护线路发生负向浪涌，相当于此时模块输出端B进入正向浪涌，与模块输出端B相连的耗尽型N沟道第二耗尽型场效应晶体管Q2与第三耗尽型P沟道场效应管Q3 形成相互关断的循环反馈，耗尽型N沟道第一耗尽型场效应晶体管Q1始终导通，直到流经第二耗尽型场效应晶体管Q2和第三耗尽型场效应晶体管Q3的电流达到使第二耗尽型场效应晶体管Q2和第三耗尽型场效应晶体管Q3完全关断的阈值，第二耗尽型场效应晶体管Q2和第三耗尽型场效应晶体管Q3会迅速进入截止状态，模块输出端B到输入端形成高阻，从而阻断从模块输出端B进入的正向浪涌，即从模块输入端A进入的负向浪涌。在第二耗尽型场效应晶体管Q2和第三耗尽型场效应晶体管Q2由导通进入截止状态的过程中，外部电阻Rex贡献了一部分的反馈压降，因此其降低了第二耗尽型场效应晶体管Q2和第三耗尽型场效应晶体管Q3的截止所需的电流，即减小了所述浪涌保护器件10在负向浪涌时进入高阻状态所需的触发电流。[0081 ] 实施例2[〇〇82]图2所示，为针对实施例1的浪涌保护器件的一个改进，浪涌保护器件20增加了第三电阻R3(偏置电阻)，第三电阻R3并联于第三耗尽型场效应晶体管Q3的源极S和漏极D之间，即第三电阻R3连接耗尽型N沟道场效应晶体管Q1的源极S与耗尽型N沟道场效应晶体管 Q2的源极S。[〇〇83]第三电阻R3在第一耗尽型场效应晶体管Q1、第二耗尽型场效应晶体管Q2中的任意一个关断后，为第一耗尽型场效应晶体管Q1的源极S或第二耗尽型场效应晶体管Q2的源极S 提供稳定的电位，避免该节点在浪涌保护器件20的“阻断”状态下处于浮空，保证双向浪涌保护器件20在瞬态响应时不受该节点存储电荷的影响，保证了双向浪涌保护器件20稳定地阻断正反向瞬态浪涌。
[0084] 实施例3[〇〇85]图3所示，为针对实施例1的浪涌保护器件的一个改进，浪涌保护器件30还包括第一反馈分压器R及第二反馈分压器R’，其中，[〇〇86] 第一反馈分压器R由第四电阻R4和第五电阻R5串联构成，第四电阻R4与第五电阻 R5之间为第一反馈分压器R的中间节点；第二反馈分压器R’由第六电阻R6和第七电阻R7构成，第六电阻R6与第七电阻R7之间为第二反馈分压器R’的中间节点。[〇〇87]第一反馈分压器R并联于第三耗尽型场效应晶体管Q3的漏极D与外部电阻Rex的第一接入端之间，该第一反馈分压器R的中间节点与第一耗尽型场效应晶体管Q1的栅极G相连；[〇〇88]第二反馈分压器R’并联于第三耗尽型场效应晶体管Q3的漏极D与外部电阻Rex的第一接入端之间，该第二反馈分压器R’的中间节点与第二耗尽型场效应晶体管Q2的栅极G 相连。[〇〇89] 通过第四电阻R4和第五电阻R5构成的第一反馈分压器R，第三耗尽型场效应晶体管Q3的源漏压降与外部电阻压降之和反馈到第一耗尽型场效应晶体管Q1的负栅源偏压由原来的VGS减至R4/(R4+R5)*VGS，同样情况下比实施例2的双向浪涌保护器件20的第一耗尽型场效应晶体管Q1的负栅源电压绝对值小，从而保证了第一耗尽型场效应晶体管Q1在同等电流下工作时具有较小的漏源电阻，减小了双向浪涌保护器件30在“短路”状态下的串联电阻，降低了对被保护系统的信号电压及功耗的影响。
[0090]同理，通过第六电阻R6和第七电阻R7构成的第二反馈分压器R’，第三耗尽型场效应晶体管Q3的源漏压降与外部接入电阻压降之和反馈到第二耗尽型场效应晶体管Q2的负栅源偏压由原来的VGS减至R6/(R6+R7)*VGS，同样情况下比实施例2的双向浪涌保护器件20 的第二耗尽型场效应晶体管Q2的负栅源电压绝对值小，也减小了双向浪涌保护器件30在 “短路”状态下的串联电阻。
[0091]实施例4[〇〇92]图4所示，为针对实施例3的浪涌保护器件的一个改进，浪涌保护器件40的第一耗尽型场效应晶体管Q1和第二耗尽型场效应晶体管Q2为高压耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(HV NM0SFET)，第三耗尽型场效应晶体管Q3为耗尽型P沟道结型场效应晶体管(PJFET)。[〇〇93] 因为HV NM0SFET漏源内部存在一个高压的反向二极管，它保证了HV NM0SFET能够承受几百伏的高压。目前耗尽型的HV NM0SFET可以利用横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDM0SFET)和纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDM0SFET)实现。通过耗尽型HV NM0SFET的漏端与BSP模块输入端A及模块输出端B相连，能够保证双向BSP “阻断” 时可以承受正负几百伏的高压。考虑到耗尽型P沟道结型场效应晶体管PJFET相比其他耗尽型P沟道场效应晶体管具有更为优越的通态性能及更宽的夹断电压范围，因此选择耗尽型 PJFET与耗尽型HV匪0SFET串联，保证了双向BSP “短路”状态下更小的串联电阻和在发生 “阻断”时与耗尽型HV NM0SFET相互反馈更快的关断。[〇〇94]以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
【主权项】
1.一种可编程阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，其特征在于: 所述的浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管(Q1)、第二耗尽型场效应晶体管(Q2)、 第三耗尽型场效应晶体管(Q3)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)及外部电阻(Rex)构成串联结 构的导通路径，其中，第一耗尽型场效应晶体管(Q1)的漏极与模块输入端(A)相连，源极与外部电阻(Rex)的 第一接入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管(Q2)的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管(Q2)的漏极与模块输出端(B)相连，源极与第三耗尽型场效 应晶体管(Q3)的漏极相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管(Q1)的源极相连；第三耗尽型场效应晶体管(Q3)的源极与外部电阻(Rex)的第二接入端相连，栅极与第 一电阻(R1)和第二电阻(R2)分别相连；第一电阻(R1)的另一端与模块输入端(A)相连，第二电阻(R2)的另一端与模块输出端 (B)相连。2.根据权利要求1所述的可编程阻断型浪涌保护器件，其特征在于:所述的浪涌保护器 件还包括第三电阻(R3)，该第三电阻(R3)并联于第三耗尽型场效应晶体管(Q3)的源极和漏 极之间。3.根据权利要求1所述的可编程阻断型浪涌保护器件，其特征在于:所述的浪涌保护器 件还包括第一反馈分压器(R)及第二反馈分压器(R’)，均由多数个电阻构成，其中，第一反馈分压器(R)及第二反馈分压器(R’)均并联于第三耗尽型场效应晶体管(Q3)的 漏极和外部电阻(Rex)的第一接入端之间；第一反馈分压器(R)的中间节点与第一耗尽型场效应晶体管(Q1)的栅极相连；第二反馈分压器(R’)的中间节点与第二耗尽型场效应晶体管(Q2)的栅极相连。4.根据权利要求3所述的可编程阻断型浪涌保护器件，其特征在于:第一反馈分压器 (R)由第四电阻(R4)和第五电阻(R5)串联构成，第四电阻(R4)与第五电阻(R5)之间为第一 反馈分压器(R)的中间节点;第二反馈分压器(R’)由第六电阻(R6)和第七电阻(R7)构成，第 六电阻(R6)与第七电阻(R7)之间为第二反馈分压器(R’)的中间节点。5.根据权利要求1至4之一所述的可编程阻断型浪涌保护器件，其特征在于:所述的第 一耗尽型场效应晶体管(Q1)或第二耗尽型场效应晶体管(Q2)为金属氧化物半导体场效应 晶体管、结型场效应晶体管或静电感应场效应晶体管中的一种。6.根据权利要求5所述的可编程阻断型浪涌保护器件，其特征在于:所述的第一耗尽型 场效应晶体管(Q1)和第二耗尽型场效应晶体管(Q2)均为金属氧化物半导体场效应晶体管。7.根据权利要求6所述的可编程阻断型浪涌保护器件，其特征在于:所述的第一耗尽型 场效应晶体管(Q1)和第二耗尽型场效应晶体管(Q2)均为高压金属氧化物半导体场效应晶 体管。8.根据权利要求5所述的可编程阻断型浪涌保护器件，其特征在于:所述的第三耗尽型 场效应晶体管(Q3)为结型场效应晶体管。9.根据权利要求5所述的可编程阻断型浪涌保护器件，其特征在于:所述浪涌保护器件 的第一耗尽型场效应晶体管(Q1)的导电沟道类型与第二耗尽型场效应晶体管(Q2)的导电 沟道类型相同，且均与第三耗尽型场效应晶体管(Q3)的导电沟道类型相反。10.根据权利要求8所述的可编程阻断型浪涌保护器件，其特征在于:所述第一耗尽型场效应晶体管(Q1)及第二耗尽型场效应晶体管(Q2)均为耗尽型N沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管，而所述第三耗尽型场效应晶体管(Q3)为耗尽型P沟道结 型场效应晶体管;或者，所述第一耗尽型场效应晶体管(Q1)及第二耗尽型场效应晶体管(Q2)均为耗尽型P沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管;而所述第三耗尽型场效应晶体管(Q3)为耗尽型N沟道结 型场效应晶体管。
【文档编号】H02H3/20GK105977909SQ201610511322
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年6月30日
【发明人】叶力
【申请人】上海芯琦电子科技有限公司