一种基于比较放大电路的稳压开关电源的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于比较放大电路的稳压开关电源，其特征在于，主要由稳压芯片U2，二极管整流器U1，三极管VT1，极性电容C1，电阻R1，极性电容C2，电阻R2，分别与二极管整流器U1的负极输出端和稳压芯片U2相连接的电压控制输出电路，与三极管VT1的基极相连接的过压过流保护电路，以及串接在过压过流保护电路与电压控制输出电路之间的比较放大电路组成。本发明的稳压芯片U2优先采用了TH78H5集成芯片来实现，该芯片与外围电路能解决输入电压降压和整流不稳定的问题，并且本发明还能消除输入电流中的电磁干扰，从而确保了本发明能输出稳定的电压和电流，有效的确保了电子产品工作的稳定性。
【专利说明】
一种基于比较放大电路的稳压开关电源
技术领域
[0001]本发明涉及电子领域，具体的说，是一种基于比较放大电路的稳压开关电源。
【背景技术】
[0002]随着科技的发展，电子产品的功能也越来越强大，因此对电子产品的供电电源也提出了更高的要求。然而，现有电子产品的供电电源存在输出电压和电流不稳定的问题，导致电子产品工作不稳定，无法满足人们要求。
[0003]因此，提供一种能输出稳定的电压和电流的电子产品供电电源便是当务之急。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服现有技术中的电子产品的供电电源存在输出电压和电流不稳定的缺陷，提供的一种基于比较放大电路的稳压开关电源。
[0005]本发明通过以下技术方案来实现:一种基于比较放大电路的稳压开关电源，主要由稳压芯片U2，二极管整流器Ul，三极管VTl，正极与二极管整流器Ul的正极输出端相连接、负极与二极管整流器Ul的负极输出端相连接后接地的极性电容Cl，一端与三极管VTl的发射极相连接、另一端与稳压芯片U2的IN管脚相连接的电阻Rl，正极与稳压芯片U2的IN管脚相连接、负极与三极管VTl的发射极相连接的极性电容C2，一端与稳压芯片U2的GND管脚相连接、另一端与二极管整流器Ul的负极输出端相连接的电阻R2，分别与二极管整流器Ul的负极输出端和稳压芯片U2相连接的电压控制输出电路，与三极管VTl的基极相连接的过压过流保护电路，以及串接在过压过流保护电路与电压控制输出电路之间的比较放大电路组成。
[0006]所述比较放大电路由放大器P，三极管VT5，三极管VT6，负极经可调电阻R16后接地、正极作为比较放大电路的输入端并与过压过流保护电路相连接的极性电容ClO，一端与可调电阻R16的可调端相连接、另一端与放大器P的正极相连接的电阻R18，正极经电阻R17后与可调电阻R16的可调端相连接、负极接地的极性电容CU，一端与放大器P的负极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R19，N极顺次经电阻R21和电阻R22后与放大器P的输出端相连接、P极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D6，正极经电阻R20后与三极管VT5的集电极相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C12，正极与放大器P的输出端相连接、负极作为比较放大电路的输出端并与电压控制输出电路相连接的极性电容C13，一端与放大器P的输出端相连接、另一端与极性电容C13的负极相连接的电感L2，以及P极与极性电容C13的负极相连接、N极经电阻R23后与三极管VT6的发射极相连接的二极管D7组成;所述三极管VT5的集电极和三极管VT6的集电极均接地。
[0007]所述电压控制输出电路由过压过流保护电路由保护芯片U3，三极管VT3，三极管VT4，正极与三极管VTI的基极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C7，负极经电阻Rll后与保护芯片U3的VDD管脚相连接、正极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C8，P极电阻R12后与三极管VT3的发射极相连接、N极经电阻R13后与保护芯片U3的GND管脚相连接的二极管D5，一端与极性电容C8的负极相连接、另一端与保护芯片U3的IN管脚相连接的可调电阻R10，P极经电感LI后与三极管VT4的发射极相连接、N极经电阻R15后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D4，P极经电阻R8后与极性电容C7的正极相连接、N极，经电阻R9后与二极管D4的P极相连接的二极管D3，正极经电阻R6后与保护芯片U3的IN管脚相连接、负极与极性电容ClO的正极相连接的极性电容C6，以及负极与保护芯片U3的GND管脚相连接、正极经电阻R14后与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C9组成;所述保护芯片U3的OUT管脚与三极管VT4的基极相连接、其ST管脚与极性电容C9的负极相连接后接地。
[0008]所述电压控制输出电路由场效应管M0S，三极管VT2，N极与稳压芯片U2的OUT管脚相连接、P极经可调电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接的二极管Dl，正极与稳压芯片U2的EN管脚相连接、负极与可调电阻R4的可调端相连接的极性电容C3，正极经电阻R3后与二极管Dl的P极相连接、负极经电阻R5后与场效应管MOS的栅极相连接的极性电容C4，N极与极性电容C4的正极相连接、P极与三极管VT2的发射极相连接的稳压二极管D2，以及正极与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻R7后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C5组成;所述场效应管MOS的漏极与二极管整流器Ul的负极输出端相连接;所述三极管VT2的基极与极性电容Cl 3的负极相连接;所述稳压二极管D2的N极与极性电容C5的负极共同形成电压控制输出电路的输出端。
[0009]为了本发明的实际使用效果，所述稳压芯片U2则优先采用TH78H5集成芯片来实现；同时，所述保护芯片U3则优先采用TWH7851集成芯片来实现。
[0010]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0011 ] (I)本发明的稳压芯片U2优先采用了 TH78H5集成芯片来实现，该芯片与外围电路能解决输入电压降压和整流不稳定的问题，并且本发明还能消除输入电流中的电磁干扰，从而确保了本发明能输出稳定的电压和电流，有效的确保了电子产品工作的稳定性。
[0012](2)本发明能对输出电压的进行增益，并且能使电流强度进一步增强，从而提高了本发明的输出功率。
[0013](3)本发明能对输出电压进行过压保护，并能对输出电流进行过流保护，从而确保了本发明输出的电压和电流的稳定性。
【附图说明】
[0014]图1为本发明的整体结构示意图。
[0015]图2为本发明的比较放大电路的电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合实施例及其附图对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0017]实施例
[0018]如图1所示，本发明主要由稳压芯片U2，二极管整流器Ul，三极管VTl，正极与二极管整流器Ul的正极输出端相连接、负极与二极管整流器Ul的负极输出端相连接后接地的极性电容Cl，一端与三极管VTl的发射极相连接、另一端与稳压芯片U2的IN管脚相连接的电阻Rl，正极与稳压芯片U2的IN管脚相连接、负极与三极管VTl的发射极相连接的极性电容C2，一端与稳压芯片U2的GND管脚相连接、另一端与二极管整流器Ul的负极输出端相连接的电阻R2，分别与二极管整流器Ul的负极输出端和稳压芯片U2相连接的电压控制输出电路，与三极管VTl的基极相连接的过压过流保护电路，以及串接在过压过流保护电路与电压控制输出电路之间的比较放大电路组成。所述二极管整流器Ul的输入端则与外部电源相连接。
[0019]其中，所述电压控制输出电路由过压过流保护电路由保护芯片U3，三极管VT3，三极管VT4，电阻R6，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电阻R15，极性电容C6，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9，二极管D3，二极管D4，二极管D5，以及电感LI组成。
[0020]连接时，极性电容C7的正极与三极管VTl的基极相连接、其负极与三极管VT3的集电极相连接。极性电容C8的负极经电阻Rll后与保护芯片U3的VDD管脚相连接、其正极与三极管VT3的基极相连接。
[0021]其中，二极管D5的P极电阻R12后与三极管VT3的发射极相连接、其N极经电阻R13后与保护芯片U3的GND管脚相连接。可调电阻RlO的一端与极性电容C8的负极相连接、其另一端与保护芯片U3的IN管脚相连接。二极管D4的P极经电感LI后与三极管VT4的发射极相连接、其N极经电阻R15后与三极管VT4的集电极相连接。二极管D3的P极经电阻R8后与极性电容C7的正极相连接、其N极，经电阻R9后与二极管D4的P极相连接。
[0022]同时，极性电容C6的正极经电阻R6后与保护芯片U3的IN管脚相连接、其负极与极性电容ClO的正极相连接。极性电容C9的负极与保护芯片U3的GND管脚相连接、其正极经电阻R14后与三极管VT4的集电极相连接。所述保护芯片U3的OUT管脚与三极管VT4的基极相连接、其ST管脚与极性电容C9的负极相连接后接地。
[0023]进一步地，所述电压控制输出电路由场效应管MOS，三极管VT2，电阻R2，电阻R3，可调电阻R4，电阻R5，电阻R7，极性电容C3，极性电容C4，极性电容C5，二极管Dl，以及二极管D2组成。
[0024]连接时，二极管Dl的N极与稳压芯片U2的OUT管脚相连接、其P极经可调电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接。极性电容C3的正极与稳压芯片U2的EN管脚相连接、其负极与可调电阻R4的可调端相连接。极性电容C4的正极经电阻R3后与二极管Dl的P极相连接、其负极经电阻R5后与场效应管MOS的栅极相连接。稳压二极管02的~极与极性电容C4的正极相连接、其P极与三极管VT2的发射极相连接。极性电容C5的正极与三极管VT2的集电极相连接、其负极经电阻R7后与场效应管MOS的漏极相连接。
[0025]所述场效应管MOS的漏极与二极管整流器Ul的负极输出端相连接;所述三极管VT2的基极与极性电容C13的负极相连接;所述稳压二极管02的~极与极性电容C5的负极共同形成电压控制输出电路的输出端。
[0026]如图2所示，所述比较放大电路由放大器P，三极管VT5，三极管VT6，可调电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，极性电容ClO，极性电容Cl I，极性电容C12，极性电容C13，电感L2，二极管D6，以及二极管D7组成。
[0027]连接时，极性电容ClO的负极经可调电阻R16后接地、正极作为比较放大电路的输入端并与过压过流保护电路相连接。电阻R18的一端与可调电阻R16的可调端相连接、其另一端与放大器P的正极相连接。极性电容Cll的正极经电阻R17后与可调电阻R16的可调端相连接、其负极接地。电阻Rl 9的一端与放大器P的负极相连接、其另一端与三极管VT5的基极相连接。
[0028]其中，二极管06的~极顺次经电阻R21和电阻R22后与放大器P的输出端相连接、其P极与三极管VT5的发射极相连接。极性电容C12的正极经电阻R20后与三极管VT5的集电极相连接、其负极与三极管VT6的基极相连接。极性电容C13的正极与放大器P的输出端相连接、其负极作为比较放大电路的输出端并与电压控制输出电路相连接。
[0029]同时，电感L2的一端与放大器P的输出端相连接、其另一端与极性电容C13的负极相连接。二极管D7的P极与极性电容C13的负极相连接、其N极经电阻R23后与三极管VT6的发射极相连接。所述三极管VT5的集电极和三极管VT6的集电极均接地。
[0030]实施时，本发明的稳压芯片U2优先采用了TH78H5集成芯片来实现，该芯片与外围电路能解决输入电压降压和整流不稳定的问题，并且本发明还能消除输入电流中的电磁干扰，从而确保了本发明能输出稳定的电压和电流，有效的确保了电子产品工作的稳定性。本发明能对输出电压的进行增益，并且能使电流强度进一步增强，从而提高了本发明的输出功率。
[0031]同时，本发明能对输出电压进行过压保护，并能对输出电流进行过流保护，从而确保了本发明输出的电压和电流的稳定性。为了本发明的实际使用效果，所述稳压芯片U2则优先采用TH78H5集成芯片来实现;所述保护芯片U3则优先采用TWH7851集成芯片来实现。
[0032]按照上述实施例，即可很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种基于比较放大电路的稳压开关电源，其特征在于，主要由稳压芯片U2，二极管整流器Ul，三极管VTl，正极与二极管整流器Ul的正极输出端相连接、负极与二极管整流器Ul的负极输出端相连接后接地的极性电容Cl，一端与三极管VTl的发射极相连接、另一端与稳压芯片U2的IN管脚相连接的电阻Rl，正极与稳压芯片U2的IN管脚相连接、负极与三极管VTl的发射极相连接的极性电容C2，一端与稳压芯片U2的GND管脚相连接、另一端与二极管整流器Ul的负极输出端相连接的电阻R2，分别与二极管整流器Ul的负极输出端和稳压芯片U2相连接的电压控制输出电路，与三极管VTI的基极相连接的过压过流保护电路，以及串接在过压过流保护电路与电压控制输出电路之间的比较放大电路组成。2.根据权利要求1所述的一种基于比较放大电路的稳压开关电源，其特征在于，所述比较放大电路由放大器P，三极管VT5，三极管VT6，负极经可调电阻R16后接地、正极作为比较放大电路的输入端并与过压过流保护电路相连接的极性电容ClO，一端与可调电阻R16的可调端相连接、另一端与放大器P的正极相连接的电阻R18，正极经电阻R17后与可调电阻R16的可调端相连接、负极接地的极性电容Cll，一端与放大器P的负极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R19，N极顺次经电阻R21和电阻R22后与放大器P的输出端相连接、P极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D6，正极经电阻R20后与三极管VT5的集电极相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C12，正极与放大器P的输出端相连接、负极作为比较放大电路的输出端并与电压控制输出电路相连接的极性电容C13，一端与放大器P的输出端相连接、另一端与极性电容Cl3的负极相连接的电感L2，以及P极与极性电容Cl3的负极相连接、N极经电阻R23后与三极管VT6的发射极相连接的二极管D7组成；所述三极管VT5的集电极和三极管VT6的集电极均接地。3.根据权利要求2所述的一种基于比较放大电路的稳压开关电源，其特征在于，所述电压控制输出电路由过压过流保护电路由保护芯片U3，三极管VT3，三极管VT4，正极与三极管VTl的基极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C7，负极经电阻Rl I后与保护芯片U3的VDD管脚相连接、正极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C8，P极电阻R12后与三极管VT3的发射极相连接、N极经电阻R13后与保护芯片U3的GND管脚相连接的二极管D 5，一端与极性电容C 8的负极相连接、另一端与保护芯片U 3的IN管脚相连接的可调电阻R10，P极经电感LI后与三极管VT4的发射极相连接、N极经电阻R15后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D4，P极经电阻R8后与极性电容C7的正极相连接、N极，经电阻R9后与二极管D4的P极相连接的二极管D3，正极经电阻R6后与保护芯片U3的IN管脚相连接、负极与极性电容ClO的正极相连接的极性电容C6，以及负极与保护芯片U3的GND管脚相连接、正极经电阻R14后与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C9组成;所述保护芯片U3的OUT管脚与三极管VT4的基极相连接、其ST管脚与极性电容C9的负极相连接后接地。4.根据权利要求3所述的一种基于比较放大电路的稳压开关电源，其特征在于，所述电压控制输出电路由场效应管MOS，三极管VT2，N极与稳压芯片U2的OUT管脚相连接、P极经可调电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接的二极管Dl，正极与稳压芯片U2的EN管脚相连接、负极与可调电阻R4的可调端相连接的极性电容C3，正极经电阻R3后与二极管Dl的P极相连接、负极经电阻R5后与场效应管MOS的栅极相连接的极性电容C4，N极与极性电容C4的正极相连接、P极与三极管VT2的发射极相连接的稳压二极管D2，以及正极与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻R7后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C5组成;所述场效应管MOS的漏极与二极管整流器Ul的负极输出端相连接;所述三极管VT2的基极与极性电容C13的负极相连接;所述稳压二极管02的~极与极性电容C5的负极共同形成电压控制输出电路的输出端。5.根据权利要求4所述的一种基于比较放大电路的稳压开关电源，其特征在于，所述稳压芯片U2为TH78H5集成芯片。6.根据权利要求4所述的一种基于比较放大电路的稳压开关电源，其特征在于，所述保护芯片U3为TWH7851集成芯片。
【文档编号】H02M7/217GK106026708SQ201610519521
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月4日
【发明人】不公告发明人
【申请人】成都塞普奇科技有限公司