一种igbt管保护电路的制作方法

文档序号:8756599阅读:264来源:国知局
一种igbt管保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种保护电路,具体为一种IGBT保护电路,属于电子元器件及电子电路技术领域。
【背景技术】
[0002]绝缘栅双极晶体管(IGBT)是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有功率MOSFET输入阻抗高、工作速度快、易驱动的优点,又具有双极达林顿功率管(GTO)饱和电压低、电流容量大、耐压高等优点,能正常工作于几十KHz频率范围内,在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GT0。但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而,在选择IGBT时除了要作降额考虑外,对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。因而,IGBT的保护成为一个较大的问题,每一个应用的厂家和IGBT的生产厂家都在对不同的IGBT研宄相应的IGBT的保护。如果IGBT的保护设计不好,就会出现炸机或者故障误报的现象。
[0003]为解决以上的各个技术问题,本实用新型提供了一种IGBT管保护电路,其结构简单、使用方便、可靠,通过设置第一电源和第二电源,通过NPN三极管和稳压管以及二极管的配合作用,能够有效的实现对IGBT管的过电流保护,而且不会出现在电流出现突然中断时,导致IGBT管的闭锁超载。

【发明内容】

[0004]针对上述情况,为解决现有技术之缺陷,本实用新型之目的就是提供了一种IGBT管保护电路,其包括IGBT管,所述IGBT管的集电极C与二极管的输出端连接,所述IGBT管的栅极G连接NPN三极管的集电极,所述IGBT管的源极依次串联连接第一电源和第一开关,所述IGBT管的源极E还依次串联第二电源和第二开关,所述第一电源、第一开关、第二电源和第二开关串联连接,所述的NPN三极管的发射极连接在所述第一电源和第一开关之间,所述NPN三极管的基极依次串联稳压管、第一电阻后连接在第一开关和第二开关之间,所述IGBT管的栅极G与所述第一开关和第二开关之间还串联连接有第二电阻,所述第一电阻和所述稳压管串联后与所述第二电阻并联,所述二极管的输入端连接在所述稳压管与所述第一电阻之间。
[0005]进一步,作为优选,本实用新型还包括第三电阻,所述第三电阻串联连接设置在所述IGBT管的栅极G与所述NPN三极管的集电极之间。
[0006]进一步,作为优选,所述第一电阻、第二电阻和所述第三电阻的阻值相等。
[0007]本实用新型的有益效果:本实用新型提供的一种IGBT管保护电路,其结构简单、使用方便、可靠,通过设置第一电源和第二电源,通过NPN三极管和稳压管以及二极管的配合作用,能够有效的实现对IGBT管的过电流保护,而且不会出现在电流出现突然中断时, 导致IGBT管的闭锁超载。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型提供的一种IGBT管保护电路的结构示意图。
[0009]其中,1、IGBT管,2、二极管,3、第一电源,4、第二电源,5、NPN三极管,6、稳压管,7、第三电阻,8、第二电阻,9、第一电阻,10、第二开关,11、第一开关。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
[0011]如图1所示,本实用新型提供了一种IGBT管保护电路,其包括IGBT管1,IGBT管I的集电极C与二极管2的输出端连接,IGBT管I的栅极G连接NPN三极管5的集电极,IGBT管I的源极依次串联连接第一电源3和第一开关11,IGBT管I的源极E还依次串联第二电源4和第二开关10,第一电源3、第一开关11、第二电源4和第二开关10串联连接,NPN三极管5的发射极连接在第一电源3和第一开关11之间,NPN三极管5的基极依次串联稳压管6、第一电阻9后连接在第一开关11和第二开关10之间,IGBT管I的栅极G与第一开关11和第二开关10之间还串联连接有第二电阻8,第一电阻9和稳压管6串联后与第二电阻8并联,二极管2的输入端连接在稳压管6与第一电阻9之间。
[0012]在本实施例中,本实用新型还包括第三电阻7,第三电阻7串联连接设置在IGBT管I的栅极G与NPN三极管5的集电极之间。第一电阻9、第二电阻8和第三电阻7的阻值相等。
[0013]本实用新型提供的一种IGBT管保护电路,其结构简单、使用方便、可靠,通过设置第一电源和第二电源,通过NPN三极管和稳压管以及二极管的配合作用,能够有效的实现对IGBT管的过电流保护,而且不会出现在电流出现突然中断时,导致IGBT管的闭锁超载的危险,有效实现了对IGBT管的过电流保护。
【主权项】
1.一种IGBT管保护电路,其包括IGBT管,所述IGBT管的集电极C与二极管的输出端连接,所述IGBT管的栅极G连接NPN三极管的集电极,所述IGBT管的源极依次串联连接第一电源和第一开关,所述IGBT管的源极E还依次串联第二电源和第二开关,所述第一电源、第一开关、第二电源和第二开关串联连接,所述的NPN三极管的发射极连接在所述第一电源和第一开关之间,所述NPN三极管的基极依次串联稳压管、第一电阻后连接在第一开关和第二开关之间,所述IGBT管的栅极G与所述第一开关和第二开关之间还串联连接有第二电阻,所述第一电阻和所述稳压管串联后与所述第二电阻并联,所述二极管的输入端连接在所述稳压管与所述第一电阻之间。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT管保护电路,其特征在于,还包括第三电阻,所述第三电阻串联连接设置在所述IGBT管的栅极G与所述NPN三极管的集电极之间。
3.根据权利要求2所述的一种IGBT管保护电路,其特征在于,所述第一电阻、第二电阻和所述第三电阻的阻值相等。
【专利摘要】本实用新型提供的一种IGBT管保护电路,其包括IGBT管,IGBT管的集电极C与二极管的输出端连接,IGBT管的栅极G连接NPN三极管的集电极,IGBT管的源极依次串联连接第一电源和第一开关,IGBT管的源极E还依次串联第二电源和第二开关,NPN三极管的发射极连接在第一电源和第一开关之间,NPN三极管的基极依次串联稳压管、第一电阻后连接在第一开关和第二开关之间,本实用新型通过设置第一电源和第二电源,通过NPN三极管和稳压管以及二极管的配合作用,能够有效的实现对IGBT管的过电流保护,而且不会出现在电流出现突然中断时,导致IGBT管的闭锁超载。
【IPC分类】H02M1-32
【公开号】CN204465334
【申请号】CN201520083689
【发明人】肖根福, 吴红园
【申请人】井冈山大学
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年2月4日
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