一种h桥式换流驱动控制电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及换流驱动控制技术领域，尤其涉及H桥式换流驱动控制电路。
【背景技术】
[0002]现有的H桥式换流驱动控制电路包括四个场效应晶体管，每一个场效应晶体管需要单独一路驱动信号，因此，一个H桥式换流驱动控制电路需要四路驱动信号。
[0003]但是，四路驱动信号会致使整个换流驱动控制电路复杂且需要的电子元件多，从而使得整个换流驱动控制电路的成本增加。因此，如何通过更少的驱动信号实现四个场效应晶体管的驱动。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的主要目的在于提供一种H桥式换流驱动控制电路，解决现有的换流驱动控制电路需要四路驱动信号实现四个场效应晶体管的驱动，以致整个换流驱动控制电路复杂且需要的电子元件多的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供了一种H桥式换流驱动控制电路，该H桥式换流驱动控制电路包括场效应晶体管Q9、场效应晶体管Q10、场效应晶体管Q11、场效应晶体管Q11、半导体制冷器J1、第一控制电路、第二控制电路、第三控制电路、第四控制电路、电容Cl、电容C2、双向稳压管D1、双向稳压管D2、第一驱动信号、第二驱动信号、驱动电源正极、驱动电源负极，所述驱动电源负极接地，所述第一控制电路的输入端分别连接所述第一驱动信号、所述驱动电源正极，所述第一控制电路的输出端接地且分别与所述场效应晶体管Qll的栅极、所述场效应晶体管Qll的源极连接，所述第二控制电路的输入端连接所述第一驱动信号，所述第二控制电路的输出端分别与场效应晶体管Q9的栅极、所述场效应晶体管Q9的源极连接，所述电容Cl的一端经双向稳压管Dl分别与所述驱动电源正极、所述场效应晶体管Q9的漏极连接，所述电容Cl的另一端与所述场效应晶体管Q9的源极连接，所述第三控制电路的输入端分别连接所述第二驱动信号，所述驱动电源正极，所述第三控制电路输出端接地且分别与所述场效应晶体管QlO的栅极、所述场效应晶体管QlO的源极连接，所述电容C2的一端经双向稳压管D2分别与所述驱动电源正极、所述场效应晶体管Q12的漏极连接，所述电容C2的另一端与所述场效应晶体管Q12的源极连接，所述半导体制冷器Jl 一端与所述场效应晶体管Q9的源极、所述场效应晶体管QlO的漏极连接，所述半导体制冷器Jl另一端与所述场效应晶体管Q12的源极、所述场效应晶体管Qll的漏极连接，当所述第一驱动信号为高电平且所述第二驱动信号为低电平时，所述第一控制电路控制场效应晶体管Qll导通，所述驱动电源正极经第一控制电路、场效应晶体管Q11、半导体制冷器Jl为电容Cl充电，以致所述场效应晶体管Q9导通，所述驱动电源正极、所述场效应晶体管Q9、所述半导体制冷器J1、所述场效应晶体管Q11、所述驱动电源负极构成一个左上右下供电回路，所述半导体制冷器Jl处于制冷状态，当所述第一驱动信号为低电平且所述第二驱动信号为高电平时，所述第三控制电路用于控制所述场效应晶体管QlO的导通，所述驱动电源正极经第三控制电路、场效应晶体管Q10、半导体制冷器Jl为电容C2充电，以致所述场效应晶体管Q12导通，所述驱动电源正极、所述场效应晶体管Q12、所述半导体制冷器Jl、所述场效应晶体管Q10、所述驱动电源负极构成一个右上左下供电回路，所述半导体制冷器Jl处于制热状态。
[0006]优选地，所述驱动电源的电压为48V。
[0007]优选地，所述第一控制电路包括三极管Q5、三极管Q6、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13和电阻R14，所述三极管Q5的基极连接第一驱动信号，所述三极管Q5的基极经电阻Rll与所述三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q5的发射极与接地，所述三极管Q5的集电极经电阻R13与所述三极管Q6的基极连接，所述三极管Q6的基极经电阻R14与驱动电源正极连接，所述三极管Q6的发射极与驱动电源正极连接，所述三极管Q6的集电极经电阻R12与所述场效应晶体管Qll的栅极连接，所述三极管Q6的集电极经电阻R12、电阻RlO接地，且与所述场效应晶体管Qll的源极连接。
[0008]优选地，所述第二控制电路包括三极管Ql、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和稳压二极管ZD1，所述三极管Ql的基极连接所述第一驱动信号，所述三极管Ql的基极经电阻Rl与所述三极管Ql的发射极连接，所述三极管Ql的发射极接地，所述三极管Ql的集电极经电阻R2与三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的基极经电阻R5与所述三极管Q2的发射极、电容Cl的一端、双向稳压管Dl的一端连接，所述三极管Q2的集电极经电阻R3与所述场效应晶体管Q9的栅极连接，所述稳压二极管ZDl与所述电阻R4并联，并联后的一端分别与所述电阻R3、所述场效应晶体管Q9的栅极连接，并联后的另一端分别与所述半导体制冷器J1、所述场效应晶体管Q9的源极、所述电容Cl的另一端连接。
[0009]优选地，所述第三控制电路三极管Q3、三极管Q4、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9和电阻R20，所述三极管Q3的基极连接第二驱动信号，所述三极管Q3的基极经电阻R20与所述三极管Q3的发射极连接，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极经电阻R6与所述三极管Q4的基极连接，所述三极管Q4的基极经电阻R7与驱动电源正极连接，所述三极管Q4的发射极与驱动电源正极连接，所述三极管Q4的集电极经电阻R8与所述场效应晶体管QlO的栅极连接，所述三极管Q4的集电极经电阻R8、电阻R9接地且与所述场效应晶体管QlO的源极连接。
[0010]优选地，所述第四控制电路包括三极管Q7、三极管Q8、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19和稳压二极管ZD2，所述三极管Q7的基极连接所述第二驱动信号，所述三极管Q7的基极经电阻R16与所述三极管Q7的发射极连接，所述三极管Q7的发射极接地，所述三极管Q7的集电极经电阻R17与三极管Q8的基极连接，所述三极管Q8的基极经电阻R19与所述三极管Q8的发射极、电容C2的一端、双向稳压管D2的一端连接，所述三极管Q8的集电极经电阻R18与所述场效应晶体管Q12的栅极连接，所述稳压二极管ZD2与所述电阻R15并联，并联后的一端分别与所述电阻R18、所述场效应晶体管Q12的栅极连接，并联后的另一端分别与所述半导体制冷器J1、所述场效应晶体管Q12的源极、所述电容C2的另一端连接。
[0011]本实用新型中的第一驱动信号为高电平且第二驱动信号为低电平时，场效应晶体管Qll的导通，电容Cl利用电容自举升压原理将驱动电源正极电压双倍升压后，使得场效应晶体管Q9的栅极与源极之间产生压力差，从而使得场效应晶体管Q9的导通，形成驱动电源正极、场效应晶体管Q9、半导体制冷器J1、场效应晶体管Q11、驱动电源负极的左上右下供电回路，使得导体致冷器Jl处于制冷状态。
[0012]因此，本实用新型通过第一驱动信号和第二驱动信号即实现了场效应晶体管Q9、场效应晶体管Q10、场效应晶体管Ql 1、场效应晶体管Q12的驱动。
[0013]同时，本实用新型不需要采用昂贵的集成芯片与隔离变压器，因此，减少了电子元件需求量。还有，没有采用集成芯片，因此不存在集成芯片与H桥式换流驱动控制电路之间的电路设计，以及隔离变压器与H桥式换流驱动控制电路之间的电路设计，因此，降低换流驱动控制电路的复杂度。
[0014]最后，换流驱动控制电路的复杂度的降低，电子元件需求量的减少，致使换流驱动控制电路的设计成本、生成成本、原料成本均减少。
【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲