]下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
【附图说明】
[0024]图1为本实用新型的电路原理框图。
[0025]图2为本实用新型MOSFET斩波电路、功率变换电路和输出整流滤波器的电路连接关系不意图。
[0026]图3为本实用新型微控制器模块的电路原理图。
[0027]图4为本实用新型PWM控制电路的电路原理图。
[0028]图5为本实用新型正电压采样电路的电路原理图。
[0029]图6为本实用新型正电流采样电路的电路原理图。
[0030]图7为本实用新型负电压采样电路的电路原理图。
[0031]图8为本实用新型负电流采样电路的电路原理图。
[0032]附图标记说明:
[0033]I一输入整流滤波器； 2—MOSFET斩波电路； 3—功率变换电路；
[0034]4一输出整流滤波器；5—直流输出电路；6—MOSFET驱动电路；
[0035]7-1 一正电压米样电路；7_2—正电流米样电路；7_3—负电压米样电路；
[0036]7-4—负电流采样电路；8—微控制器模块；9 一编码电位器电路；
[0037]10—PWM控制电路；11 一数码管驱动电路；12_1 —第一数码管；
[0038]12-2—第二数码管；12-3—第三数码管；12_4—第四数码管。
【具体实施方式】
[0039]如图1和图3所示，本实用新型包括微控制器模块8和MOSFET驱动电路6，以及依次连接的输入整流滤波器UM0SFET斩波电路2、功率变换电路3、输出整流滤波器4和直流输出电路5，所述微控制器模块8的输入端接有编码电位器电路9、正电压采样电路7-1、正电流米样电路7_2、负电压米样电路7-3和负电流米样电路7_4，所述微控制器模块8的输出端接有数码管驱动电路11和与所述MOSFET驱动电路6输入端相接的PWM控制电路10，所述MOSFET驱动电路6的输出端与所述MOSFET斩波电路2的输入端相接，所述数码管驱动电路11的输出端接有第一数码管12-1、第二数码管12-2、第三数码管12-3和第四数码管12-4，所述正电压采样电路7-1的输入端、正电流采样电路7-2的输入端、负电压采样电路7-3的输入端和负电流采样电路7-4的输入端均与所述输出整流滤波器4的输出端相接；
[0040]所述微控制器模块8为ARM微控制器LPC2478芯片；所述编码电位器电路9包括型号为EC11B15202AA的编码电位器U7、型号为EC11B15202AA的编码电位器U8、型号为EC11B15202AA的编码电位器U9和型号为EC11B15202AA的编码电位器UlO ;所述编码电位器U7的第2管脚、第3管脚和第5管脚分别与ARM微控制器LPC2478芯片的第14管脚、第16管脚和第18管脚相接；所述编码电位器U8的第2管脚、第3管脚和第5管脚分别与ARM微控制器LPC2478芯片的第192管脚、第177管脚和第185管脚相接；所述编码电位器U9的第2管脚、第3管脚和第5管脚分别与ARM微控制器LPC2478芯片的第182管脚、第184管脚和第147管脚相接；所述编码电位器UlO的第2管脚、第3管脚和第5管脚分别与ARM微控制器LPC2478芯片的第73管脚、第67管脚和第59管脚相接。
[0041 ] 如图2所示，本实施例中，所述MOSFET斩波电路2包括场效应晶体管MDO和场效应晶体管MDl，所述场效应晶体管MDO的栅极经并联的电容CHl和电阻RHl与MOSFET驱动电路6相接，场效应晶体管MDO的源极接地，场效应晶体管MDO的漏极经二极管DHl接稳压二极管DH3的阴极，稳压二极管DH3的阳极与输入整流滤波器I的输出端相接；所述场效应晶体管MDl的栅极经并联的电容CH3和电阻RH2与MOSFET驱动电路6相接，场效应晶体管MDl的源极接地，场效应晶体管MDl的漏极经二极管DH2接稳压二极管DH4的阴极，稳压二极管DH4的阳极与输入整流滤波器I的输出端相接。
[0042]如图2所示，本实施例中，所述功率变换电路3包括变压器Tl、肖特基二极管MUR3060PT和肖特基二极管MUR3060FT，所述变压器Tl的原级线圈一端与场效应晶体管MDO的漏极和二极管DHl的阳极的连接相接，变压器Tl的原级线圈另一端与场效应晶体管MDl的漏极和二极管DH2的阳极的连接相接，变压器Tl的原级线圈的中心抽头与稳压二极管DH3的阳极和稳压二极管DH4的阳极的连接端相接；变压器Tl的次级线圈的两端经肖特基二极管MUR3060PT与电感LVl的一端相接，肖特基二极管MUR3060PT的输出端经电容CVl和电容CV6与肖特基二极管MUR3060FT的输入端相接，肖特基二极管MUR3060FT的两个输出端分别与变压器Tl的次级线圈的两端相接。
[0043]实际接线中，肖特基二极管MUR3060PT与电感LVl之间的接点接并联的电容CVl和电容CV2的一端，并联的电容CVl和电容CV2的另一端接并联的电容CV6和电容CV7的一端，并联的电容CV6和电容CV7的另一端接肖特基二极管MUR3060FT与电感LV2的连接端，电感LVl的另一端接电阻RS3，电感LV2的另一端接电阻RS4，电感LVl的另一端与电阻RS3之间的接点接并联的电容CV3电容、CV4和电容CV5的一端，并联的电容CV3电容、CV4和电容CV5的另一端接并联的电容CV8电容、CV9和电容CVO的一端，并联的电容CV8电容、CV9和电容CVO的另一端与电感LV2的另一端和电阻RS4的连接端相接；电容CVl和电容CV6的连接端、电容CV2和电容CV7的连接端、电容CV3和电容CV8的连接端、电容CV4和电容CV9的连接端以及电容CV5和电容CVO的连接端均接地。
[0044]如图5、图6、图7和图8所示，本实施例中，所述正电压采样电路7_1包括电阻RB 11和电阻RB12，所述电阻RBll和电阻RB12的连接端与ARM微控制器LPC2478芯片的第106管脚相接；
[0045]所述正电流采样电路7-2包括芯片U71，所述芯片U71的输出端与ARM微控制器LPC2478芯片的第102管脚相接；
[0046]所述负电压采样电路7-3包括芯片U72，所述芯片U72的输出端与ARM微控制器LPC2478芯片的第108管脚相接；
[0047]所述负电流采样电路7-4包括芯片U73，所述芯片U73的输出端与ARM微控制器LPC2478芯片的第110管脚相接。
[0048]如图4所示，本实施例中，所述PWM控制电路10包括型号为TL494的芯片U5和型号为TL494的芯片U6，所述芯片U5的第I引脚通过串联的电阻RG16和电阻RG15与三极管QG5的集电极相接，三极管QG5的基极通过电阻RG13与ARM微控制器LPC2478芯片的第144管脚相接，芯片U5的第2引脚通过串联的电阻RG20和电阻RG19与三极管QG6的集电极相接，三极管QG6的基极通过电阻RG17与ARM微控制器LPC2478芯片的第150管脚相接，芯片U5的第9引脚经电阻R52接三极管Q51的基极，三极管Q51的集电极经电阻R53和电阻R54与-40V电源输出端相接；所述芯片U6的第I引脚通过串联的电阻RG06和电阻RG05与三极管QG2的集电极相接，三极管QG2的基极通过电阻RG03与三极管QGl的集电极相接，三极管QGl的基极通过电阻RGOl与ARM微控制器LPC2478芯片的第140管脚相接，芯片U6的第2引脚通过串联的电阻RG12和电阻RGl I与三极管QG4的集电极相接，三极管QG4的基极通过电阻RG09与三极管QG3的集电极相接，三极管QG3的基极通过电阻RG07与ARM微控制器LPC2478芯片的第142管脚相接，芯片U6的第11引脚经电阻R62接三极管Q61的基极，三极管Q61的集电极经电阻R63和电阻R64与-40V电源输出端相接。
[0049]本实施例中，所述电阻R53和电阻R54的连接端与MOSFET驱动电路6的一个输入端相接，所述电阻R63和电阻R64的连接端与MOSFET驱动电路6的另一个输入端相接。
[0050]本实施例中，所述数码管驱动电路11包括型号为74HC595的第一芯片和型号为74HC595的第二芯片，所述第一芯片的输入端和第二芯片的输入端均与所述ARM微控制器LPC2478芯片相接。
[0051]本实施例中，所述第一数码管12-1、第二数码管12-2、第三数码管12_3和第四数码管12-4均为四位数码管；所述第一数码管12-1和第二数码管12-2均与第一芯片相接，所述第三数码管12-3和第四数码管12-4均与第二芯片相接。
[0052]本实用新型实际使用时，输入整流滤波器I将市电交流电整流变换为直流电送入MOSFET斩波电路2，MOSFET斩波电路2将接收的固定直流电压变为可调电压的直流电，经过功率变换电路3和输出整流滤波器4的调理滤波去噪后由直流输出电路5输出电压，输出整流滤波器4中电感LVl与电阻RS3之间的接点为正电流采样电路7-2的输入端，输出