双级可调光无屏闪led开关电源的制作方法
【专利说明】双级可调光无屏闪LED开关电源
[技术领域]
[0001] 本实用新型涉及一种双级可调光无屏闪LED开关电源。
[【背景技术】]
[0002] 现有技术中，LED开关电源在整个调光范围内易出现可见闪烁问题，低频输出纹 波电流，而且一般都是采用单级调光，因此需要一款能解决闪烁问题、且能实现双级调光的 LED开关电源。
[【实用新型内容】]
[0003] 本实用新型提供了一种双级可调光无屏闪LED开关电源，其消除了整个调光范围 内的可见闪烁问题，使低频输出纹波电流最小化。
[0004] 本实用新型的技术方案是：
[0005] -种双级可调光无屏闪LED开关电源，包括电磁抗干扰电路、桥堆和变压器，电磁 抗干扰电路的输入端接交流电源，输出端接桥堆的输入端，其特征在于：还包括PWM芯片、 第一三极管、第二MOS管、第三MOS管、第四三极管和第一至第十八电阻、第一至第八电容、 第一至第四二极管；其中PWM芯片型号为G7617 ;
[0006] 桥堆的正极输出端分别与第二电容的一端、升压电感主绕组的结束端、第一二极 管的正极连接，桥堆的负极输出端和第二电容的另一端分别接地，第一二极管的负极分别 和第二二极管的负极、第一电容的一端、第七电阻的一端连接，升压电感主绕组的起始端与 第二二极管的正极连接，第一电容的另一端接地，第七电阻的另一端依次通过第八电阻、第 六电容接地；
[0007] 电磁抗干扰电路的其中一个输出端分别与第一电阻的一端、第四电阻的一端连 接，第一电阻的另一端依次通过第二电阻和第三电容接地，第四电阻的另一端与第三MOS 管的漏极连接，PWM芯片的VIN管脚连接在第二电阻和第三电容之间，PffM芯片的CFG管脚 通过第六电阻接地，PWM芯片的BDRV管脚与第一三极管的基极连接，PffM芯片的BVS管脚 与第一三极管的发射极连接，PWM芯片的BVS管脚通过第三电阻与升压电感的辅助绕组的 起始端连接，升压电感的辅助绕组的结束端接地，第一三极管的集电极与第二二极管的正 极连接，第一三极管的发射极通过第五电阻接地，PWM芯片的AGND管脚和PGND管脚接地， PffM芯片的ASU管脚与第三MOS管的栅极连接，PffM芯片的VCC管脚连接在第三MOS管的源 极和第四三极管的发射极之间，PWM芯片的FDRV管脚通过第九电阻与第二MOS管的栅极连 接，PffM芯片的FIS管脚通过第十三电阻与第二MOS管的源极连接、及通过第八电容接地， PffM芯片的FVS管脚通过第七电容接地、及与第十四电阻和第十五电阻的连接点连接，PffM 芯片的VCB管脚连接在第六电容和第八电阻之间，PffM芯片的VT管脚分别通过第十电阻、 第五电容接地；
[0008] 第四三极管的基极与第三三极管的负极连接，第三三极管的正极、及第四电容的 一端分别接地，第四电容的另一端接与第四三极管的发射极连接，第四三极管的集电极通 过第十一电阻与第四二极管的负极连接，第四三极管的集电极通过第十二电阻接地；第 四二极管的正极分别与第十四电阻的一端、变压器副边绕组的起始端连接，变压器副边绕 组的结束端接地；第十四电阻的另一端通过第十五电阻接地；第二MOS管的漏极与变压器 主绕组的起始端连接，第二MOS管的源极通过两个并联的第十六电阻和第十七电阻接地， 第二MOS管的栅极通过第十八电阻接地。
[0009] 本实用新型的LED开关电源，是真正两级拓扑结构，Boost前级采样BJT驱动，实 现高PF和Bleeder，反激级采样驱动M0SFET，实现高效率；消除了整个调光范围内的可见闪 烁问题，使低频输出纹波电流最小化，且采用原边采样技术，省略次级反馈电路和光耦，实 现了在不同AC线电压和LED负载电压下精确的LED电流调整，可以兼容大部分的墙面调光 器，包括前切调光器（R-type or R-L type)和后切调光器（R-C type)。
[【附图说明】]
[0010] 图1是本实用新型开关电源的电路原理图。
[【具体实施方式】]
[0011] 为了使本实用新型的目的、技术方案以及优点更加清楚明白，以下结合附图及实 施方式，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的【具体实施方式】仅仅用 以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0012] 下面结合附图对本实用新型的具体实施例做一详细的阐述。
[0013] 请参照图1，本实用新型的一种双级可调光无屏闪LED开关电源，包括电磁抗干扰 电路EMI、桥堆BDl和变压器T1，电磁抗干扰电路EMI的输入端接交流电源，输出端接桥堆 BDl的输入端，还包括PffM芯片、第一三极管Ql、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四三极 管Q4和第一至第十八电阻R1-R18、第一至第八电容C1-C8、第一至第四二极管D1-D4 ;其中 PffM芯片型号为G7617,为市场上可以购买得到的芯片，具体生产厂家为环球半导体有限公 司、英文名为 GLOBAL SEMICONDUCTOR LIMITED;
[0014] 桥堆BDl的正极输出端分别与第二电容C2的一端、升压电感LI主绕组的结束端、 第一二极管Dl的正极连接，桥堆BDl的负极输出端和第二电容C2的另一端分别接地，第 一二极管Dl的负极分别和第二二极管D2的负极、第一电容Cl的一端、第七电阻R7的一端 连接，升压电感Ll主绕组的起始端与第二二极管D2的正极连接，第一电容Cl的另一端接 地，第七电阻R7的另一端依次通过第八电阻R8、第六电容C6接地；
[0015] 电磁抗干扰电路EMI的其中一个输出端分别与第一电阻Rl的一端、第四电阻R4 的一端连接，第一电阻Rl的另一端依次通过第二电阻R2和第三电容C3接地，第四电阻R4 的另一端与第三MOS管Q3的漏极连接，PffM芯片的VIN管脚连接在第二电阻R2和第三电 容C3之间，PffM芯片的CFG管脚通过第六电阻R6接地，PffM芯片的BDRV管脚与第一三极 管Ql的基极连接，PWM芯片的BVS管脚与第一三极管Ql的发射极连接，PffM芯片的BVS管 脚通过第三电阻R3与升压电感Ll的辅助绕组的起始端连接，升压电感Ll的辅助绕组的结 束端接地，第一三极管Ql的集电极与第二二极管D2的正极连接，第一三极管Ql的发射极 通过第五电阻R5接地，PffM芯片的AGND管脚和PGND管脚接地，PffM芯片的ASU管脚与第三 MOS管Q3的栅极连接，PffM芯片的VCC管脚连接在第三MOS管Q3的源极和第四三极管Q4 的发射极之间，PWM芯片的FDRV管脚通过第九电阻R9与第二MOS管Q2的栅极连接，PffM芯 片的FIS管脚通过第十三电阻R13与第二MOS管Q2的源极连接、及通过第八电容C8接地， PffM芯片的FVS管脚通过第七电容C3接地、及与第十四电阻R14和第十五电阻R15的连接 点连接，PWM芯片的VCB管脚连接在第六电容C6和第八电阻R8之间，PffM芯片的VT管脚分 别通过第十电阻R10、第五电容C5接地；
[0016] 第四三极管Q4的基极与第三三极管D3的负极连接，第三三极管D3的正极、及第 四电容C4的一端分别接地，第四电容C4的另一端接与第四三极管Q4的发射极连接，第 四三极管Q4的集电极通过第十一电阻Rll与第四二极管D4的负极连接，第四三极管D4的 集电极通过